Entwicklung SiC-basierter Automobil-Wechselrichter: ROHM und LEADRIVE gründen gemeinsames Labor
08. Juli 2020 – ROHM und Leadrive Technology (LEADRIVE), der führende chinesische Hersteller von Antriebssträngen für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb mit Hauptsitz in Shanghai, eröffnen ein gemeinsames Forschungslabor für SiC-Technologie (Siliziumkarbid) in der Shanghaier Freihandelszone (Lingang New Area).

SiC-Leistungsbauelemente werden zunehmend in On-Board-Ladegeräten und DC/DC-Wandlern für Kraftfahrzeuge eingesetzt. Diese Komponenten bieten im Vergleich zu Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis wie IGBTs wesentliche Vorteile. Dazu gehören deutlich geringere Schalt- und Leitungsverluste sowie eine höhere Temperaturfestigkeit.

ROHM und LEADRIVE arbeiten bereits seit 2017 zusammen und führen einen detaillierten technischen Austausch über Automobilanwendungen mit SiC-Leistungsbauelementen durch. Der Aufbau eines gemeinsamen Forschungslabors, das sich auf Fahrzeugleistungsmodule und -umrichter unter Verwendung von ROHMs SiC-MOSFET-Chips und isolierten Gate-Treibern konzentriert, gibt beiden Unternehmen die Möglichkeit, die Entwicklung innovativer Stromversorgungslösungen weiter voranzutreiben.

„Die Verwendung von Leistungsmodulen mit integrierten SiC-Chips für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb wird sich in den nächsten Jahren zu einem Branchentrend entwickeln. Die Kommerzialisierung ausgereifter Komponenten auf Basis der SiC-Technologie durch die Integration von Ressourcen aus der ganzen Welt und die Durchführung von Forschung und Entwicklung verschafft uns als Tier-1-Hersteller in der Automobilindustrie einen Wettbewerbsvorteil“, sagt Dr. Jie Shen, Chairman und General Manager bei Leadrive Technology (Shanghai) Co. „ROHM ist seit der Gründung von LEADRIVE ein starker Partner. Mit dem gemeinsamen Forschungslabor werden wir unsere Zusammenarbeit weiter vertiefen“, ergänzt Dr. Shen.

„Als Pionier und führender Anbieter von SiC-Leistungshalbleitern verfügt ROHM über eine beachtliche Erfolgsbilanz bei der Bereitstellung qualitativ hochwertiger Stromversorgungslösungen. Wir haben uns dem Einsatz von SiC in Elektrofahrzeugen der nächsten Generation verschrieben“, kommentiert Dr. Kazuhide Ino, Member of the Board, Corporate Officer, CSO und Senior Director of Power Device Business bei ROHM Co. LTd. „Ein Verständnis für die Kundenbedürfnisse und Markttrends ist bei der Entwicklung von SiC-Leistungshalbleitern äußerst wichtig. LEADRIVE spielt als Hersteller von Leistungsmodulen und -wechselrichtern für die Automobilindustrie eine wichtige Rolle in der angewandten Forschung im Bereich SiC. Durch das gemeinsame Forschungslabor stärken wir unsere Partnerschaft und leisten einen Beitrag zur technischen Innovation von Leistungseletroniklösungen für Automobile“, so Dr. Ino abschließend.

Elektronische Fachbegriffe auf einen Blick:
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Ein Leistungstransistor, der die schnellen Schalteigenschaften eines MOSFETs mit dem geringen Leitungsverlust eines Bipolartransistors kombiniert.

Schalt- und Leitungsverluste
Bei Transistoren wie MOSFETs und IGBTs treten aufgrund ihrer besonderen Bauteilstruktur zwangsläufig Verluste auf. Schaltverluste entstehen, wenn der Leitungszustand des Bauelements geschaltet wird (während des Schaltvorgangs). Leitungsverluste werden durch den internen Widerstand erzeugt, wenn Strom durch das Bauelement fließt (EIN-Zustand).

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Die am häufigsten verwendete Struktur in FETs. Wird häufig als Schaltelement eingesetzt.


Über LEADRIVE

LEADRIVE wurde 2017 gegründet. Das High-Tech-Unternehmen liefert Leistungsmodule mit modernsten Halbleitern und Antriebslösungen unter Verwendung von Motoren und Wechselrichtern für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb „New Energy Vehicles“. Durch den Einsatz modernster F&E- und Designfähigkeiten kann das Unternehmen hochleistungsfähige und kostengünstige Produkte entwickeln.
Mit mehr als zehn Jahren Erfahrung in der Entwicklung von SiC-Leistungsmodulen und -systemen unter Verwendung von SiC-Bare-Chips und über 100 internationalen Patenten verfügt LEADRIVE über die Ressourcen und die Fähigkeit, Produkte und Technologien von Weltklasse in drei Hauptbereichen anzubieten: neue Energie, Leistungsumwandlung und Leistungselektronik.
Weitere Informationen finden Sie auf der Website von LEADRIVE (http://www.leadrive.com).
Über ROHM

ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Von Automobil- und Industrieanwendungen bis hin zum Consumer- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein globales Entwicklungs- und Vertriebsnetz ICs, diskrete und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit.
Unsere Stärke auf dem Markt der analogen Stromversorgung ermöglicht es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten wie Transistoren, Dioden und Widerstände mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren.  
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte die Website von ROHM www.rohm.de
 
 
 
» ROHM Semiconductor
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» Presse-Information
Datum: 08.07.2020 14:00
Nummer: LEADRIVE and ROHM_DE
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Dr. Jie Shen, Chairman und General Manager von LEADRIVE (rechts), und Shinya Kubota, der (damalige) Geschäftsführer von ROHM Semiconductor (Shanghai) Co. (links), eröffnen das gemeinsame Forschungslabor für SiC-Technologie
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