ROHM bietet MOSFET mit großem SOA in kompaktem 5×6-mm-Gehäuse für KI-Server
Willich-Münchheide, 25. November 2025 – ROHM hat mit dem RS7P200BM einen 100-V-Leistungs-MOSFET im 5060-Gehäuse (5,0 mm x 6,0 mm) entwickelt, der sich durch einen großen sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) auszeichnet. Das Produkt eignet sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern mit 48-V-Stromversorgungen sowie für industrielle Stromversorgungen, die einen Batterieschutz benötigen.

Die rasante Entwicklung und zunehmende Verbreitung von KI-Technologien haben die Nachfrage nach stabilem Betrieb und verbesserter Energieeffizienz bei Servern erhöht, die mit generativer KI und leistungsstarken GPUs ausgestattet sind. Insbesondere in Hot-Swap-Schaltungen sind Leistungs-MOSFETs mit einem großen SOA unerlässlich, um Einschaltströme und Überlastbedingungen zu bewältigen und eine stabile Funktion zu gewährleisten. Vor dem Hintergrund der Energieeinsparung erfolgt in Rechenzentren und bei KI-Servern der Umstieg auf 48-V-Stromversorgungen, die eine deutlich bessere Energieumwandlungseffizienz bieten. Dies erfordert die Entwicklung von Hochspannungs-Stromversorgungsschaltungen mit hohem Wirkungsgrad, die diesen Anforderungen gerecht werden.

Um der Marktnachfrage zu entsprechen, hat ROHM sein Angebot an 100-V-Leistungs-MOSFETs erweitert. Diese eignen sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern. Der neue RS7P200BM verfügt über ein kompaktes DFN5060-8S-Gehäuse (Größe 5060). Damit ermöglicht er eine noch höhere Bestückungsdichte als der im Mai 2025 von ROHM auf den Markt gebrachte KI-Server-Leistungs-MOSFET „RY7P250BM“ im DFN8080-8S-Gehäuse (Größe 8,0 mm x 8,0 mm).

Der RS7P200BM erreicht einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 4,0 mΩ (Bedingungen: VGS = 10 V, ID = 50 A, Ta = 25 °C). Gleichzeitig gewährleistet er einen weiten SOA von 7,5 A bei einer Impulsbreite von 10 ms und 25 A bei 1 ms unter Betriebsbedingungen von VDS = 48 V. Dieses Gleichgewicht zwischen niedrigem Einschaltwiderstand und großem SOA, das normalerweise einen Kompromiss darstellt, reduziert die Wärmeentwicklung während des Betriebs. Dadurch werden die Effizienz der Serverstromversorgung verbessert, die Kühllast verringert und die Stromkosten gesenkt.

Die Massenproduktion des neuen Produkts begann im September 2025. Der RS7P200BM kann auch online über Händler wie DigiKey und Mouser erworben werden.

ROHM wird sein Produktangebot für 48-V-Stromversorgungen, die zunehmend in Anwendungen wie KI-Servern zum Einsatz kommen, weiter ausbauen. Durch die Bereitstellung hocheffizienter und zuverlässiger Lösungen trägt das Unternehmen dazu bei, sowohl den Leistungsverlust und die Kühllast in Rechenzentren zu reduzieren als auch die hohe Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Serversystemen zu verbessern.

Anwendungsbeispiele
• 48-V-KI-Serversysteme und Hot-Swap-Stromversorgungsschaltungen in Rechenzentren
• 48-V-Stromversorgungssysteme für industrielles Equipment (Gabelstapler, Elektrowerkzeuge, Roboter, Lüftermotoren etc.)
• Batteriebetriebene industrielle Geräte wie fahrerlose Transportsysteme
• USV- und Notstromsysteme (Batterie-Backup-Einheiten)

Die Marke EcoMOS™
EcoMOS™ ist ROHMs Marke für Silizium-Leistungs-MOSFETs, die für energieeffiziente Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickelt wurden. EcoMOS™ wird häufig in Anwendungen wie Haushaltsgeräten, Industrieanlagen und Automobilsystemen eingesetzt. Die Marke bietet eine vielfältige Produktpalette, die eine Produktauswahl auf der Grundlage von Schlüssel-parametern wie Rauschverhalten und Schalteigenschaften ermöglicht, um spezifische Anforderungen zu erfüllen.
• EcoMOS™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.

Über ROHM Semiconductor
ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren.
Weitere Informationen finden Sie unter: www.rohm.de
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 25.11.2025 14:00
Nummer: PR36/25DE
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katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
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Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Deutschland
Kontakt: Peter Gramenz
Tel.: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
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