MSI nutzt hocheffizientes, kompaktes Netzteil mit ROHMs EcoGaN-Leistungsstufen-IC in seinen Produkten
Willich-Münchheide, 06. November 2025 – ROHM Co., Ltd. (im Folgenden „ROHM“) gibt bekannt, dass sein EcoGaN™-Leistungsstufen-IC in den Netzteilen von MSI-Produkten, darunter Gaming-Laptops, zum Einsatz kommt.

Das von Delta Electronics, einem weltweit führenden Anbieter von Power-Management-Lösungen, entwickelte Netzteil integriert den EcoGaN™-Leistungsstufen-IC „BM3G005MUV-LB“ von ROHM, der sich durch einen schnellen Schaltbetrieb und einen niedrigen Einschaltwiderstand auszeichnet. In Kombination mit Delta’s umfassender Expertise im Bereich Stromversorgungsdesign und seinen führenden energieeffizienten Power-Management-Technologien ermöglicht diese Zusammenarbeit eine erhebliche Verkleinerung und Energieeinsparung im Vergleich zu herkömmlichen Netzteilen.

Dank der Integration des EcoGaN™-Leistungsstufen-ICs können die von Delta für MSI-Produkte entwickelten Netzteile eine hohe Ausgangsleistung liefern und diese Spitzenleistung über einen bestimmten Zeitraum aufrechterhalten. Dies gewährleistet eine stabile Stromversorgung auch unter hohen Lastbedingungen, wie sie typischerweise in Gaming-Umgebungen mit hohen Leistungsanforderungen auftreten.

Da Gaming-Laptops mit immer leistungsstärkeren GPUs und CPUs ausgestattet werden, steigt auch ihr Stromverbrauch. Dieser Trend erfordert Netzteile, die eine hohe Leistung liefern und gleichzeitig die Erwartungen der Anwender an die Mobilität durch Miniaturisierung erfüllen.

GaN-Bauelemente sind für ihren niedrigen Einschaltwiderstand und ihre schnellen Schalteigenschaften bekannt. Aufgrund ihrer Fähigkeit, die Effizienz von Stromversorgungen zu verbessern und die Größe von Peripheriekomponenten wie Induktivitäten zu reduzieren, gewinnen sie zunehmend an Bedeutung. Der Leistungsstufen-IC von ROHM integriert einen 650-V-GaN-HEMT, einen Gate-Treiber, Schutzfunktionen und Peripheriekomponenten in einem Gehäuse. Er ermöglicht die Maximierung der GaN-HEMT-Leistung durch den einfachen Austausch herkömmlicher Silizium-MOSFETs.

Red Lin, General Manager, Edge Computing Power Business Unit, Delta Electronics, Inc.
„Die Kombination der hochmodernen Stromversorgungslösungen von Delta mit dem EcoGaN™-Leistungsstufen-IC von ROHM ermöglicht bei diesem Netzteil für Gaming-Laptops eine hohe Leistungsabgabe, optimale Energieeffizienz und Miniaturisierung. Wir sind stolz darauf, dass diese Lösung in den Produkten von MSI, einer weltweit anerkannten Marke, zum Einsatz kommt. Wir freuen uns darauf, unsere Partnerschaft mit ROHM, einem Unternehmen mit umfassender Expertise im Bereich der GaN-Technologie, fortzusetzen, um unseren Kunden die energieeffizienten Stromversorgungslösungen der nächsten Generation von Delta anbieten zu können.“

Satoru Nate, Division Manager, Power GaN Solution und Product Development Division, LSI Development Headquarters, ROHM Co., Ltd.
„Delta Electronics und ROHM arbeiten seit langem im Bereich der Stromversorgungssysteme zusammen. Wir freuen uns, dass diese Anwendung die erfolgreiche Integration des Know-hows von Delta im Bereich Stromversorgungsdesign mit den Technologien von ROHM in den Bereichen Entwicklung und Herstellung von Leistungsbauelementen sowie analoge Stromversorgungen widerspiegelt. In Zukunft wollen wir nicht nur bei Gaming-PCs, sondern auch bei Servern, Industrieanlagen und Automobilanwendungen zur Miniaturisierung und Effizienzsteigerung von Netzteilen beitragen.”

GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICs
Die GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICs von ROHM bieten eine optimale Lösung für alle elektronischen Systeme, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern. Ein GaN-HEMT und ein Gate-Treiber, der für die Maximierung der Leistung des GaN-HEMT optimiert ist, sind in einem Gehäuse untergebracht. Mit einem breiten Eingangsspannungsbereich von 2,5 V bis 30 V kann das Bauelement mit jedem Controller-IC kombiniert werden. Der IC ist für die Anpassung an gängige Controller ausgelegt, sodass er auch als Ersatz für herkömmliche diskrete Leistungsschalter wie Super-Junction-MOSFETs verwendet werden kann.

ROHMs EcoGaN™
Der Markenname von ROHM für GaN-Bauelemente, die die Eigenschaften von GaN maximieren und damit zur Energieeinsparung und Miniaturisierung beitragen. Das Ziel ist es, den Stromverbrauch einer Anwendung zu reduzieren, periphere Komponenten zu miniaturisieren und einfachere Designs mit weniger Bauteilen zu erreichen.
• EcoGaNTM ist ein Warenzeichen oder eingetragenes Warenzeichen von ROHM Co., Ltd.

Über ROHM Semiconductor
ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren.
Weitere Informationen finden Sie unter: www.rohm.de
 
 
 
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» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 06.11.2025 10:00
Nummer: PR33/25DE
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