| ROHM entwickelt innovative Schottky-Barrier-Diode mit niedrigem VF und IR für zuverlässigen Schutz von hochauflösenden Bildsensoren |
| Willich-Münchheide, 23. Oktober 2025 – ROHM hat mit der RBE01VYM6AFH eine innovative Schottky-Barrier-Diode entwickelt, die den herkömmlichen Kompromiss zwischen VF und IR überwindet. Auf diese Weise bietet sie einen hochzuverlässigen Schutz für eine Vielzahl von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren, darunter ADAS-Kameras. (Bild 1) Moderne ADAS-Kameras und ähnliche Systeme erfordern eine höhere Pixelanzahl, um den Anforderungen an eine höhere Präzision gerecht zu werden. Dadurch ergibt sich jedoch ein zunehmendes Problem: das Risiko von Schäden durch Photovoltaik-Spannungen, die bei Lichteinwirkung im ausgeschalteten Zustand entstehen können. SBDs mit niedrigem VF stellen eine wirksame Gegenmaßnahme dar. Während des Betriebs ist jedoch auch ein niedriger IR unerlässlich, um thermisches Durchgehen zu verhindern. Die gleichzeitige Realisierung niedriger VF- und IR-Werte stellte bislang eine erhebliche technische Herausforderung dar. ROHM hat diese Hürde durch eine grundlegende Neugestaltung der Bauelementestruktur überwunden und erfolgreich eine SBD entwickelt, die einen niedrigen VF-Wert mit einem niedrigen IR-Wert kombiniert und sich somit ideal für Schutzanwendungen eignet. Die RBE01VYM6AFH steht für ein neuartiges Konzept: Die Nutzung der niedrigen VF-Eigenschaften von Gleichrichter-SBDs zu Schutzzwecken. Durch den Einsatz einer proprietären Architektur ist es ROHM gelungen, einen niedrigen IR zu erreichen – ein Wert, der bei Designs mit niedrigem VF normalerweise nur schwer zu realisieren ist. Mit einem VF von weniger als 300 mV (bei IF = 7,5 mA, selbst bei Ta = –40 °C) und einem IR von weniger als 20 mA (bei VR = 3 V, selbst bei Ta = 125 °C) erfüllt das Bauelement auch unter rauen Umgebungsbedingungen die Anforderungen des Marktes. Diese herausragenden Eigenschaften verhindern nicht nur Schäden an der Schaltung durch hohe Photovoltaik-Spannungen, die beim Ausschalten entstehen können, sondern verringern auch das Risiko von thermischem Durchgehen und Fehlfunktionen während des Betriebs erheblich. (Bild 2) Die Diode ist in einem kompakten SOD-323HE-Gehäuse (2,5 mm × 1,4 mm) mit flachen Anschlüssen untergebracht, das sowohl platzsparend als auch sehr gut bestückbar ist. Dadurch eignet es sich für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot wie Automobilkameras, Industrieanlagen und Sicherheitssysteme. Die RBE01VYM6AFH ist gemäß AEC-Q101 qualifiziert und somit die ideale Schutzvorrichtung für die Automobilelektronik der nächsten Generation, die eine hohe Zuverlässigkeit und langfristige Stabilität erfordert. In Zukunft wird ROHM sein Sortiment um noch kleinere Gehäuse erweitern, um den anhaltenden Anforderungen an die Miniaturisierung gerecht zu werden. Die wichtigsten Spezifikationen (Bild 3) Anwendungsbeispiele Mit Bildsensoren ausgestattete Geräte wie ADAS-Kameras, intelligente Gegen-sprechanlagen, Überwachungskameras und IoT-Geräte für den Heimgebrauch. Informationen zum Online-Verkauf Bauteilnummer: RBE01VYM6AFHTR Online-Distributoren: DigiKey, Mouser und Farnell Die Produkte werden auch von bei anderen Online-Händlern angeboten, sobald sie verfügbar sind. Terminologie Photovoltaik-Spannung Ein Begriff, der häufig im Zusammenhang mit optischen Sensoren verwendet wird und sich auf die Spannung bezieht, die bei Lichteinfall entsteht. Im Allgemeinen gilt: Je stärker die Lichtintensität oder je höher die Pixelanzahl, desto größer ist die erzeugte Spannung. |
| Über ROHM Semiconductor ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren. Weitere Informationen finden Sie unter: www.rohm.de |




