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14.03.2024 14:00 ROHM a développé des LDO primaires pour l’automobile : exploitation de la technologie propriétaire QuiCur™ pour aboutir à des caractéristiques de réponse de charge à la pointe de l’industrie*
Willich-Münchheide, Allemagne, 14 mars 2024 – ROHM a développé des régulateurs LDO primaires de 45V et de 500mA d’intensité nominale : BD9xxM5-C (BD933M5EFJ-C / BD950M5EFJ-C / BD900M5EFJ-C / BD933M5WEFJ-C / BD950M5WEFJ-C / BD900M5WEFJ-C). Ces appareils sont adaptés à l’alimentation de composants électroniques automobiles tels que les ECU qui fonctionnent à partir des batteries de véhicules.
15.02.2024 14:00 Les nouvelles SBD de ROHM : Le meilleur temps de recouvrement inverse de sa catégorie* avec une tension de claquage de 100V en adoptant une structure Trench-MOS améliorant significativement le compromis VF-IR
Willich-Münchheide, Allemagne, 15 février 2024 – ROHM a développé des diodes à barrière Schottky (SBD) à 100V de tension de claquage fournissant un temps de récupération inverse (trr) à la pointe de l’industrie pour l’alimentation électrique et les circuits de protection dans les applications automobiles, industrielles et grand public.
07.02.2024 14:00 Un nouvel amplificateur opérationnel à dérive nulle de ROHM et de haute précision, indépendamment des changements de température
Willich-Münchheide, Allemagne, 07 février 2024 – ROHM a développé un amplificateur opérationnel à dérive nulle, le LMR1002F-LB. Conçu pour les appareils électroniques industriels et grand public, il minimise à la fois la tension d’offset d’entrée et la dérive de température de tension d’offset d’entrée. Capable d’amplifier avec précision les signaux de sortie depuis des capteurs installés dans différents appareils de mesure, ce nouvel amplificateur opérationnel est idéal pour les applications de détection de courant telles que les onduleurs de contrôle de puissance et les détecteurs de température/pressions/flux/gaz.
24.01.2024 14:00 Les MOSFET compacts SOT-223-3 600V de ROHM contribuent à réduire la taille et diminuer l’épaisseur des alimentations d’éclairages, de pompes et de moteurs
b]Willich-Münchheide, Allemagne, 24 janvier 2024[/b] – ROHM a ajouté une gamme de MOSFET compacts 600V à super-jonction : les R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4. Ces appareils sont idéaux pour les petites alimentations d’éclairages, de pompes et de moteurs.
06.12.2023 14:00 En ajoutant les SiC et les IGBT, ROHM propose la plus vaste* bibliothèque de modèles LTspice® de l’industrie avec plus de 3 500 modèles
Willich-Münchheide, Allemagne, 06 décembre 2023 – ROHM a étendu la bibliothèque de la gamme de modèles SPICE pour LTspice de son simulateur de circuits. LTspice est également doté de fonctions de capture de schéma de circuit et de visualisation de forme d’onde qui permettent aux concepteurs de contrôler et vérifier en amont si le fonctionnement du circuit a été réalisé comme prévu. En plus de la gamme existante de transistors bipolaires, de diodes et de MOSFET, ROHM a ajouté des appareils d’alimentation SiC et des IGBT faisant passer son nombre de modèles LTspice[ à plus de 3 500 pour les éléments discrets (téléchargeables depuis les pages de produits). Cela porte la couverture de modèles LTspice sur le site Web de ROHM à plus de 80 % de tous les produits, ce qui offre une plus grande commodité aux concepteurs lors de l’utilisation de simulateurs de circuits qui intègrent des produits discrets, y compris désormais des appareils d’alimentation.
08.11.2023 14:00 Nouveau Gate Driver ultra-haute vitesse de ROHM : maximisation de la performance des dispositifs GaN
Willich-Münchheide, Allemagne, 8 novembre 2023 – ROHM a développé un Gate Driver, le BD2311NVX-LB. Cet IC est optimisé pour les dispositifs GaN et atteint des vitesses de commande de l’ordre de quelques nanosecondes (ns), capacité idéale pour la commutation GaN haute vitesse. Cela a été facilité par une compréhension en profondeur de la technologie GaN et par la recherche continuelle d’une haute performance des Gate Driver. Le résultat : une commutation rapide avec une largeur d'impulsion entrante minimale de 1,25ns contribuant à miniaturiser les applications, à les rendre plus efficaces en énergie et plus performantes.
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