| 13.12.2017 14:45 |
ROHM auf der CES 2018 – Produktdemos rund um Automobil-, Smart Factory- und Health-Produkte |
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Willich-Münchheide, 13. Dezember 2017 – Die ROHM Group präsentiert auf der CES 2018, der weltweit größten Elektronikmesse, 09. bis 12. Januar in Las Vegas, ihre neuesten Technologien rund um sieben Kernbereiche des Automobilmarkts, darunter branchenführende Power-Management-Technologien, auf SiC-... |
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| 01.12.2017 15:10 |
ROHM liefert Full-SiC-Power-Module an das VENTURI Formel-E-Rennteam |
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Willich-Münchheide, 01. Dezember 2017 - ROHM Semiconductor beliefert das VENTURI Formel-E-Team in der vierten Rennsaison der FIA Formel E (2017 – 2018) mit Full-SIC-Power-Modulen. Die FIA Formel E ist die führende Rennsportveranstaltung für Elektrofahrzeuge. Sie startet am 2. und 3. Dezember in Hong Kong. Full-SIC-Power-Module werden die Leistung der Fahrzeuge unter Rennbedingungen noch weiter verbessern. ... |
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| 28.11.2017 10:45 |
ROHM erweitert seine Produktpalette von niederohmigen High-Power-Shunt-Widerständen mit der GMR100-Serie |
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Willich-Münchheide, 28. November 2017 – ROHM kündigt die Entwicklung und Serienfertigung von niederohmigen High-Power-Shunt-Widerständen der GMR100-Serie zur Strommessung in Hochleistungsanwendungen im Automobil-, Industrie- und Konsumgüter-Elektronikbereich an. Die neuen Shunt-Widerstände zeichnen ... |
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| 20.11.2017 14:00 |
Neuer Tiefsetzsteller-IC von ROHM meistert die Herausforderungen von 48-V-Automotive-Systemen |
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Willich-Münchheide, 20. November 2017 – ROHM Semiconductor bietet mit dem BD9V100MUF-C einen Gleichspannungswandler mit integriertem MOSFET, der bei einer Schaltfrequenz von 2 MHz aus hohen Eingangsspannungen mit maximal 60 V Ausgangsspannungen von nur 3,3 V oder 5 V (minimal 2,5 V) erzeugen kann. ... |
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| 16.11.2017 15:00 |
ROHM kündigt weltweit ersten rauschunempfindlichen Operationsverstärker an |
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Willich-Münchheide, 16. November 2017 – ROHM bietet mit der BA8290xYxx-C-Serie automotive-qualifizierte Operationsverstärker, die sich durch eine überragende Störunempfindlichkeit auszeichnen. Die Ausgangsspannungsschwankungen werden auf allen Frequenzbändern auf weniger als ±1 % begrenzt, vergliche... |
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| 26.10.2017 16:40 |
Kooperation als Erfolgsmodell - ROHM Semiconductor intensiviert Dialog mit Kunden im Rahmen des SiC & Power Forum in Düsseldorf |
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Willich-Münchheide, 26. Oktober 2017 – Die Zukunft der Power Elektronik gemeinsam gestalten: Der Halbleiterspezialist ROHM Semiconductor hat sein SiC & Power Forum nach dem erfolgreichen Auftakt in 2015 als lebendige Plattform für den professionellen Austausch über Produkte und die Marktentwicklungen... |
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