| 03.12.2019 11:00 |
ROHM Semiconductor ernennt Andreas Thamm zum neuen Deputy Director des European Technical Center |
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Willich-Münchheide, 03. Dezember 2019 – ROHM Semiconductor ernennt Andreas Thamm mit Wirkung zum 01. September 2019 zum neuen Deputy Director des European Technical Center (EUTC). Andreas Thamm bringt mehr als 20 Jahre Erfahrung in High-Tech-Unternehmen mit, wo er unterschiedliche Positionen in der ... |
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| 19.11.2019 14:00 |
ROHM präsentiert 200V-Schottky-Barrier-Dioden mit extrem niedrigen IR |
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Willich-Münchheide, 19. November 2019 – Für Automobil-Anwendungen wie Antriebsstränge und xEVs kündigt ROHM 200V-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) mit extrem niedrigen IR an. Die neuen RBxx8BM/NS200-Dioden erweitern die RBxx8-Produktreihe, die einen Betrieb unter hohen Temperaturen ermöglicht und sich ... |
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| 12.11.2019 10:00 |
Neuer Multiband-LSI-Baustein, optimiert für die drahtlose Kommunikation mit Smart-Metern |
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Willich-Münchheide, 12. November 2019 – LAPIS Semiconductor, ein Unternehmen der ROHM Gruppe, kündigt mit dem ML7421 einen Multiband-LSI-Baustein für die drahtlose Kommunikation im Sub-GHz-Bereich (Sub-1GHz/2,4GHz) an. Der neue IC eignet sich für Anwendungen, die über relativ große ... |
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| 29.10.2019 14:00 |
ROHM kündigt die ersten Komparatoren mit extrem hoher Rauschunempfindlichkeit an |
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Willich-Münchheide, 29. Oktober 2019 – ROHM präsentiert mit der BA8290xYxxx-C-Serie Komparatoren mit Masseerkennung, die eine hohe Toleranz gegenüber elektromagnetischen Störungen (Rauschwiderstand) aufweisen. Die neuen Komparatoren zeichnen sich durch eine geringe Stromaufnahme von 0,6 mA bzw. 0,8 ... |
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| 15.10.2019 11:45 |
ROHM unterstützt Studenten der TU Ilmenau in der Formula Student |
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Willich-Münchheide, 15. Oktober 2019 – Ab der nächsten Saison wird ROHM in der Formula Student Electric & Driverless aktiv: Das Unternehmen schloss einen Sponsoring-Vertrag mit dem Team Starcraft der TU Ilmenau. Im Rahmen der Zusammenarbeit wird ROHM den Studenten Produkte aus seinem umfangreichen ... |
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| 08.10.2019 14:00 |
ROHM präsentiert neue SiC-MOSFETs im 4-Pin TO-247-4L-Gehäuse |
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Willich-Münchheide, 08. Oktober 2019 – ROHM bietet mit der SCT3xxx xR-Serie sechs neue SiC-MOSFETs (650V/1200V) mit Trench-Gate-Struktur. Die Bauelemente verfügen über ein TO-247-4L-Gehäuse mit vier Anschlüssen, das die Schaltleistung maximiert und die Schaltverluste gegenüber herkömmlichen ... |
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