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| 16.09.2025 14:00 |
ROHM lance le module SiC 2 en 1 « DOT-247 » |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 16 septembre 2025 – ROHM a développé le « DOT-247 », un module SiC moulé 2 en 1 (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx), idéal pour les applications industrielles telles que les onduleurs photovoltaïques, les systèmes ASI et les relais à semiconducteurs. Le module conserve la polyvalence du boîtier « TO-247 » largement adopté, tout en offrant une grande souplesse de conception et une densité de puissance élevée. |
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| 09.09.2025 14:00 |
ROHM a mis au point un amplificateur opérationnel CMOS ultra-compact, fournissant un courant de circuit ultra-faible à la pointe de l’industrie* |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 09 septembre 2025 – L’amplificateur opérationnel CMOS ultra-compact de ROHM (ampli op) TLR1901GXZ de ROHM présente le courant de circuit opérationnel le plus faible de l’industrie. Ce circuit intégré est optimisé pour une utilisation comme amplificateur de détection dans des applications de taille limitée, telles que les instruments de mesure portatifs, les objets personnels connectés et les détecteurs de mouvement en intérieur. |
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| 04.09.2025 09:30 |
Les MOSFET SiC de ROHM adoptés dans le bloc Inverter de Schaeffler : maintenant en production série |
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ROHM et Schaeffler, un équipementier automobile allemand de premier plan, ont lancé la production en série d'un nouveau bloc Inverter High-Voltage équipé de puces MOSFET SiC (carbure de silicium) de ROHM, dans le cadre de leur partenariat stratégique. Ce module Inverter est destiné à un grand constructeur automobile chinois. |
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| 10.07.2025 14:00 |
ROHM publie de nouveaux modèles SPICE de niveau 3 avec une vitesse de simulation améliorée |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 10 juillet 2025 – ROHM a annoncé la publication de nouveaux modèles SPICE de niveau 3 (L3) qui offrent une convergence nettement améliorée et des performances de simulation plus rapides. |
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| 25.06.2025 14:00 |
ROHM présente un circuit intégré d'attaque de grille isolé pour les composants GaN haute tension |
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Willich-Münchheide, Allemagne, 25 juin 2025 – ROHM a développé le BM6GD11BFJ-LB, un circuit intégré d'attaque de grille isolé, spécialement optimisé pour le fonctionnement des HEMT HV-GaN. Ce circuit d'attaque de grille est conçu pour une utilisation dans les systèmes d'alimentation à haute tension. En combinaison avec des composants GaN, ce pilote permet un fonctionnement stable dans des conditions de commutation rapides et à haute fréquence, contribuant ainsi à une plus grande miniaturisation et efficacité dans les applications à haute intensité comme les moteurs et les alimentations de serveurs. |
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| 28.04.2025 09:45 |
Le module de Semikron Danfoss avec les derniers MOSFET SiC 2 kV de ROHM est intégré dans le système photovoltaïque à grande échelle de SMA |
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SMA Solar Technology AG, un des principaux spécialistes mondiaux de la technologie des systèmes photovoltaïques et de stockage, adopte le module de Semikron Danfoss avec les derniers MOSFET SiC 2 kV de ROHM dans son nouveau système photovoltaïque à grande échelle « Sunny Central FLEX », une plateforme modulaire conçue pour rationaliser et améliorer les connexions au réseau pour les installations photovoltaïques à grande échelle, les systèmes de stockage par batteries et les technologies émergentes. |
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