Presse-Informationen 1153 bis 1158 von 1591
28.02.2011 10:20 Infineon präsentiert neue ISOFACE Digital Input Produktfamilie für Industriesteuerungen und Automationssysteme – deutlich intelligenter und robuster als bisherige Lösungen
Neubiberg, 28. Februar 2011 - Die neuen ISOFACE™ Digital Input Produkte erweitern das innovative Produktsegment galvanisch-isolierter Interfaces von Infineon Technologies für Anwendungen im Bereich Automation und Industriesteuerungen. ...
21.02.2011 11:25 Infineons Innovationskraft von Deutscher Wirtschaft ausgezeichnet; Infineon erhält Innovationspreis für Sicherheitstechnologie "Integrity Guard"
Neubiberg, 21. Februar 2011 - Infineon Technologies wurde am Wochenende mit dem Innovationspreis der Deutschen Wirtschaft für die beste technologische Innovation ausgezeichnet. Infineon erhielt den renommierten Preis in der Kategorie "Großunternehmen" für seine Sicherheitstechnologie "Integrity Guard" ...
17.02.2011 20:13 Wolfgang Mayrhuber einstimmig zum neuen Vorsitzenden des Aufsichtsrats der Infineon Technologies AG gewählt
Neubiberg, 17. Februar 2011 - Die Hauptversammlung der Infineon Technologies AG hat heute Wolfgang Mayrhuber mit 98,4 Prozent der Stimmen als Vertreter der Anteilseigner in den Aufsichtsrat berufen. ...
17.02.2011 10:25 Hauptversammlung 2011 der Infineon Technologies AG in München
Infineon Hauptversammlung am 17. Februar 2011, ab 10:00 Uhr im Internationalen Congress Center München (ICM). Reden und Präsentationen stehen unter http://www.infineon.com/cms/de/corporate/press/ zur Verfügung. ...
17.02.2011 10:00 Aufsichtsrat von Infineon verlängert Vorstandsverträge
Neubiberg, 17. Februar 2011 - Der Aufsichtsrat der Infineon Technologies AG hat die Dienstverträge mit den amtierenden Vorstandsmitgliedern Peter Bauer und Dr. Reinhard Ploss verlängert. Die Vertragslaufzeiten entsprechen den Amtszeiten der Vorstandsmitglieder. ...
07.02.2011 10:00 Einzigartige Erfolgsgeschichte der CoolMOS-Technologie: Infineon führt ersten 650-Volt-MOSFET mit integrierter Fast-Body-Diode ein und erhöht mit jetzt über 3,5 Milliarden Hochvolt-Transistoren die Energieeffizienz weltweit
Neubiberg, 7. Februar 2011 - Am 19. Januar 2011 verließ der 3,5 Milliardste CoolMOS™-Hochvolt-MOSFET die Produktionslinie im Werk von Infineon in Villach/Österreich. Infineon ist damit der weltweit erfolgreichste Anbieter für diese Transistoren für Spannungen von 500 bis 900 Volt. ...
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