Presse-Informationen 1141 bis 1146 von 1153
14.09.2005 14:30 X-FAB wird Infineon-Werk in Perlach nicht übernehmen
München, 14. September 2005 - Die Infineon Technologies AG, München, und die X-FAB Semiconductor Foundries AG, Erfurt, sind bei den – auf Initiative von Infineon begonnenen – Gesprächen der vergangenen Wochen zu dem Ergebnis gekommen, dass X-FAB das Infineon-Werk in Perlach nicht übernehmen wird...
31.08.2005 11:20 Infineons neue HF-Transistoren auf Basis von Silizium-Germanium-Kohlenstoff bieten weltweit niedrigste Rauschwerte für vielfältige drahtlose Applikationen
München, 31. August 2005 - Auf Basis seiner neuen Silizium-Germanium-Kohlenstoff-(SiGe:C) Prozesstechnologie bietet die neueste Generation der Heterojunction-Bipolar-Transistoren (HBTs) von Infineon Technologies AG derzeit die weltweit geringsten Rauschwerte für Silizium-basierte diskrete Transistoren...
31.08.2005 10:00 Infineon verstärkt Kommunikationsteam
München - 31. August 2005 - Zum 1. September übernimmt Markus Berner (41) bei Infineon Technologies, dem größten europäischen Halbleiterunternehmen, die Verantwortung für die neu geschaffene Kommunikationsregion Europa sowie Issues Management. Berner war zuletzt Pressesprecher Unternehmen national...
30.08.2005 10:45 Infineon liefert Schlüsselkomponenten für Spielkonsole Xbox 360 von Microsoft
München, 30. August 2005 - Die Infineon Technologies AG wird drei Schlüsselkomponenten in die Spielkonsole und Entertainment-Plattform Xbox 360 von Microsoft zuliefern. Hierzu gehören ein steckbares Speichermodul, ein anwendungsspezifischer ASIC (Application Specific Integrated Circuit)-Mikrocontroller...
23.08.2005 15:00 Alle Schlüsselkomponenten für DDR2-FB-DIMMs aus einer Hand: Infineon liefert Module und zentralen AMB Chip für die nächste Server-Speichergeneration
München und San Francisco 23. August 2005 - Auf dem Intel Developer Forum (IDF) in San Francisco kündigte Infineon Technologies DDR2-FB-DIMM (Double Data Rate 2, Fully Buffered Dual-In-line Memory Modules)-Muster mit Kapazitäten von 512 MByte bis zu 4 GByte an. Infineon entwickelt und fertigt als...
23.08.2005 15:00 Infineon erweitert Speicherportfolio für Serverapplikationen um besonders niedrige, platzsparende VLP-DIMMs mit bis zu 2GByte Speicherkapazität
München und San Francisco - 23. August 2005 - Auf dem Intel Developer Forum in San Francisco kündigte Infineon Speichermodule in VLP-DIMM (Very-Low-Profile Dual-In-Line Memory Module)-Bauform an. VLP-DIMMs mit 512MByte, 1GByte und 2 GByte Speicherkapazität stehen in Musterstückzahlen zur Verfügung...
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