| 22.06.2015 12:30 |
IGBT- und Diodenfunktion auf einem Chip: Höhere Zuverlässigkeit bei Hochleistungs-Anwendungen wie Schienenfahrzeugen und Industrieantrieben |
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München, 22. Juni 2015 – Die Infineon Technologies AG hat ein 6,5 kV-Leistungsmodul vorgestellt, in dem die Funktionalitäten eines IGBTs und einer Freilaufdiode in einem Chip vereint sind. Dieser neue RCDC (Reverse Conducting IGBT with Diode Control)-Chip eignet sich ... |
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| 09.06.2015 11:14 |
Für mehr Elektrofahrzeuge auf Europas Straßen: Drei Forschungsprojekte starten unter Leitung von Infineon |
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München und Brüssel/Belgien, 9. Juni 2015 – Drei neue Forschungsprojekte der Europäischen Kommission haben zum Ziel, Elektromobilität günstiger, effizienter und gleichzeitig zuverlässiger zu machen. Dadurch sollen mehr dieser umweltfreundlichen Fahrzeuge auf Europas Straßen kommen. Unter der Leitung... |
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| 02.06.2015 10:45 |
OptiMOS™ 300 V bietet hohe Effizienz und neue Designperspektiven für hart schaltende Anwendungen |
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München, 2. Juni 2015 – Die Infineon Technologies AG erweitert das MOSFET-Portfolio für mittelhohe Spannungen durch OptiMOS™ 300 V und setzt einen neuen Maßstab auf dem Markt für Leistungs-MOSFETs. Infineon untermauert damit außerdem die Position als Marktführer bei energieeffizienten Lösungen... |
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| 30.05.2015 09:15 |
Infineon und Google ATAP entwickeln fortschrittliche Radartechnologie für Gesten- und Anwesenheitserkennung |
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München, 30. Mai 2015 – Die Infineon Technologies AG und Google ATAP (Advanced Technology and Projects) arbeiten gemeinsam an einer neuen Sensor-lösung. Die Sensoren können in tragbaren Geräten, für Produkte rund um das Internet der Dinge oder auch in Autos zum Einsatz kommen. Erste Anwendungsbeispi... |
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| 19.05.2015 13:15 |
Infineon stellt als erstes Unternehmen einen lichtzündbaren Hochleistungs-Thyristor mit integrierten Schutzfunktionen vor |
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München, 19. Mai 2015 - Die Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG erweitert die Familie an bipolaren Halbleitern mit einem optisch zündbaren Thyristor. Der neue Thyristor erhöht die Zuverlässigkeit, senkt die Systemkosten und vereinfacht das Design in Anwendungen mit sehr hoher Leistung. Der 6... |
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| 19.05.2015 10:15 |
Neueste CoolMOS™-Generation von Infineon reduziert Schaltverluste um 50 Prozent; EiceDRIVER™ setzt neuen Standard bei Systemrobustheit |
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München, 19. Mai 2015 - Die Infineon Technologies AG stellt eine neue Familie von CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ)-MOSFETs vor. Diese 600-V-Serie reduziert die Ausschaltverluste im Vergleich zu den CoolMOS™ CP MOSFETs um 50 Prozent. ... |
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