| 14.06.2018 18:00 |
Alles digital: Europäisches Forschungsprojekt iDev40 setzt auf Vernetzung – von der Idee bis zum Kunden |
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München, Deutschland und Villach, Österreich, 14. Juni 2018 – Unter der Leitung von Infineon Austria startet heute das europäische Forschungsprojekt iDev40 (Integrated Development 4.0). Dabei forschen 38 Partner aus sechs Ländern an der intelligenten Vernetzung von Entwicklungs- und ... |
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| 08.06.2018 15:05 |
Infineon richtet sich auf stärkeres Langfristwachstum aus |
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Neubiberg, 8. Juni 2018 – Die Infineon Technologies AG sieht in ihren Zielmärkten bei Automobil-, Industrie-, IoT- und Sicherheitsanwendungen dauerhaft starke Wachstumsfaktoren, die zudem an Dynamik gewonnen haben. Deshalb richtet die Gesellschaft im Rahmen ihres langfristigen Planungsprozesses ihr Zielgeschäftsmodell, das die Zielwerte für Umsatzwachstum, Segmentergebnis-Marge und Investitionsquote über den Zyklus vorgibt, neu aus. ... |
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| 05.06.2018 10:15 |
PCIM 2018: CoolGaN™ von Infineon eröffnet neue Möglichkeiten beim Strommanagement |
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München und Nürnberg – 5. Juni 2018 – Die entscheidenden Vorteile von Galliumnitrid (GaN) sind u. a. hohe Leistungsdichte, hervorragende Effizienz und reduzierte Systemkosten. Die Infineon Technologies AG nimmt bis Ende 2018 die Serienfertigung von CoolGaN™-Produkten auf. Entwicklungsmuster der ... |
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| 04.06.2018 11:15 |
Automotive CoolSiC™ Schottky-Dioden: Leistung gepaart mit Robustheit |
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München, 4. Juni 2018 – Auf der diesjährigen PCIM Europe in Nürnberg (5. bis 7. Juni) präsentiert Infineon die ersten Produkte seines Siliziumkarbid-Portfolios für den Einsatz in Automobilen: Die Familie der CoolSiC™ Schottky-Dioden steht jetzt bereit für aktuelle und zukünftige OBC-Anwendungen ... |
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| 04.06.2018 10:15 |
Double DPAK: Die erste SMD-Lösung mit Oberseitenkühlung für Hochleistungsanwendungen |
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München, 4. Juni 2018 – Die zunehmende Komplexität der Endprodukte stellt hohe Anforderungen an die Designparameter von Hochspannungsnetzteilen: Sie erfordern höhere Leistung und mehr Effizienz auf immer kleinerem Raum. Halbleiterbauelemente sind für die Funktion und Leistung moderner Schaltnetzteile... |
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| 29.05.2018 10:15 |
Höchste Leistungsdichte für 650 V IGBT in D2PAK für Oberflächenmontage |
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München – 29. Mai 2018 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Produktportfolio mit der Dünnwafer-Technologie TRENCHSTOP™ 5 IGBT. Die neue 650-V-Familie bietet bis zu 40 A mit einer vollwertigen 40-A-Diode im Gehäuse TO-263-3, auch bekannt als D2PAK. Der neue TRENCHSTOP 5 IGBT im D2PAK-Gehäuse... |
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