| 07.05.2013 12:25 |
Infineon ergänzt EiceDRIVER™-Familie um die Compact-Klasse – Neue 2EDL EiceDRIVER™ für eine Vielzahl von Leistungsapplikationen |
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Neubiberg, 7. Mai, 2013 - Zur Fachmesse für Leistungselektronik PCIM 2013 führt die Infineon Technologies AG die neuen Halbbrücken Gate-Treiber 2EDL EiceDRIVER™ Compact für Anwendungen mit Sperrspannungen von 600 Volt auf den Markt ein. Mit einer sehr schnellen Bootstrap Diode und Widerstand ... |
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| 06.05.2013 15:20 |
Infineon bietet CoolMOS™-MOSFETs jetzt auch im TO 247-4-Gehäuse an; Deutliche Erhöhung des Wirkungsgrades in hart schaltenden Topologien |
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Neubiberg, 6. Mai 2013 - Infineon Technologies AG hat heute das TO 247-4-Gehäuse eingeführt. Der zusätzliche vierte Anschluss fungiert als "Kelvin-Source", um den negativen Einfluss der parasitären Induktivität in der Source-Zuleitung des Leistungs-MOSFETs zu reduzieren. Davon profitieren vor allem ... |
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| 06.05.2013 10:10 |
Infineon präsentiert CoolMOS™ C7; Technologiesprung ermöglicht weltweit niedrigsten Einschaltwiderstand in hart schaltenden Anwendungen |
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Neubiberg, 6. Mai 2013 - Infineon Technologies erweitert sein Produkt-Portfolio mit dem CoolMOS™ C7 und führt damit eine neue Generation der 650V Superjunction MOSFET-Technologie ein. ... |
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| 02.05.2013 07:43 |
Umsatz und Segmentergebnis des zweiten Quartals deutlich über Vorquartal |
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Neubiberg, 2. Mai 2013 - Die Infineon Technologies AG hat heute das Ergebnis für das am 31. März 2013 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahrs 2013 bekannt gegeben. ... |
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| 30.04.2013 11:10 |
Erfolgreiche Markteinführung der wärmeleitenden Paste TIM - Schnelle Ausweitung des Angebots auch auf andere Produktgruppen |
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Neubiberg, 30. April 2013 - Das von der Infineon Technologies AG entwickelte Thermal Interface Material (TIM) zur Verringerung des Kontaktwiderstands zwischen der Metallfläche des Leistungshalbleiters und dem Kühlkörper wurde erfolgreich am Markt eingeführt. Kunden konnten sich am Leittyp EconoPACK™ + der neuen D-Serie davon überzeugen, dass mithilfe der wärmeleitenden Paste die Leitfähigkeit deutlich verbessert wird. ... |
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| 29.04.2013 11:40 |
Infineon und GLOBALFOUNDRIES kündigen Entwicklungs- und Produktionskooperation für 40-nm Embedded-Flash-Prozesstechnologie an |
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Neubiberg, Dresden und Singapur, 29. April 2013 - Die Infineon Technologies AG und Globalfoundries Inc. haben heute ihre Entwicklungs- und Fertigungskooperation bei 40 Nanometer (nm) Embedded-Flash angekündigt. Die Vereinbarung umfasst die gemeinsame Entwicklung der Fertigungstechnologie auf Basis v... |
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