| 10.03.2015 07:15 |
Infineon und Panasonic vereinbaren Dual Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Leistungsbausteine |
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München und Osaka, Japan, 10. März 2015 - Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) und die Panasonic Corporation (TSE: 6752) haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet. ... |
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| 03.03.2015 13:45 |
Infineon liefert Sicherheitschips für Samsung Galaxy S6 und S6 edge Smartphones |
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München und Barcelona, Spanien, 3. März 2015 – Die neuen Premium-Smartphones Samsung Galaxy S6 und S6 edge nutzen Sicherheitschips von Infineon Technologies. Der SOLID FLASH-basierte SLE 97 embedded Secure Element (eSE) Chip von Infineon kann vertrauliche Daten wie Bankinformationen des Nutzers als... |
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| 02.03.2015 09:15 |
Infineon sichert smarte Mobilgeräte mit neuen embedded Secure Elements |
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München, Deutschland und Barcelona, Spanien – 2.März 2015 – Anlässlich des Mobile World Congress 2015 hat Infineon neue Sicherheitscontroller für Premium-Smartphones und Smart Wearables vorgestellt. Die neuen Mitglieder der
SOLID FLASH-basierten SLE 97-Produktfamilie haben mit bis zu 1,5 MByte die... |
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| 26.02.2015 16:15 |
Infineon macht M2M-Kommunikation der nächsten Generation möglich |
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München, 26. Februar 2015 – Fahrzeuge, die Informationen über den Verkehr austauschen, Industriemaschinen mit Selbstdiagnose, intelligentes Tracking der Lieferkette oder die Überwachung von Stromzählern in entlegenen Gebieten: In der vernetzten Welt erfolgt der Datenaustausch zwischen Geräten und ... |
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| 26.02.2015 12:30 |
Barometrischer Niedrigstrom-Drucksensor von Infineon macht Smartphones und Wearables sowie IoT-Geräte präziser |
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München, 26. Februar 2015 – Die Infineon Technologies AG hat einen neuen Miniatur-MEMS-Drucksensor (Micro Electro Mechanical Systems) mit einer ultrahohen +/-5 cm-Auflösung entwickelt, der in Smartphones und Wearables sowie in IoT-(Internet of Things)-Geräten eingesetzt werden kann. Der DPS310 ist ... |
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| 26.02.2015 10:15 |
Infineon kündigt 650 V IGBT mit höchster Effizienz für schnelles Schaltverhalten beim Einsatz in Elektro- und Hybridfahrzeugen an |
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München, 26. Februar 2015 – Die Infineon Technologies AG hat eine neue Familie von robusten 650 V IGBTs angekündigt, die höchste Effizienz bei schnell schaltenden Applikationen im Automobilbereich ermöglicht. Die AEC-Q-qualifizierten TRENCHSTOP 5 AUTO IGBTs reduzieren die Verlustleistung und ... |
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