Neubau für mehr SiC-Wafer-Produktionsfläche bei der SiCrystal: Ein Meilenstein für die Zukunft
Die SiCrystal GmbH ist einer der globalen Marktführer für einkristalline Siliziumkarbid-(SiC) Halbleiterwafer. Unsere hochspezialisierten Produkte bilden die Basis für die Herstellung innovativer Elektronik-Komponenten weltweit in Bereichen wie z.B. der Elektromobilität oder Green Technologies wie Photovoltaik und Windkraft.

In einem wichtigen Schritt zur Stärkung der Halbleiterindustrie und zur Förderung nachhaltiger Technologien wird die SiCrystal GmbH im Nordosten Nürnbergs, direkt gegenüber dem bestehenden Standort, neue, zusätzliche Produktionsflächen schaffen. Das neue Gebäude wird zusätzliche 6.000 Quadratmeter Produktionsfläche bieten und mit modernster Technologie ausgestattet sein, um die Produktion von Siliziumkarbid-Wafern weiter zu optimieren. Die unmittelbare Nähe zum bestehenden Werk wird eine enge Verzahnung der Produktionsprozesse gewährleisten. Die Gesamtproduktionskapazität von SiCrystal, einschließlich des bestehenden Gebäudes, wird im Jahr 2027 etwa dreimal so hoch sein wie im Jahr 2024.

„Die neue Fläche wird die Produktionskapazität für SiC-Substrate deutlich erhöhen und wir sind stolz, dass wir unseren Oberbürgermeister König zum Spatenstich begrüßen konnten“, sagt Dr. Robert Eckstein, Geschäftsführer von SiCrystal. Dies unterstreicht die Bedeutung dieses Projekts für die Stadt und die Region.

„Dieser Spatenstich markiert einen wichtigen Meilenstein für SiCrystal und unterstreicht unser Engagement in der Metropolregion. So können wir auch in Zukunft innovative Produkte von höchster Qualität für unsere Kunden liefern und einen positiven Beitrag zur globalen Nachhaltigkeit leisten“, so Dr. Erwin Schmitt, COO von SiCrystal. „Mit den zusätzlichen Produktionskapazitäten werden wir unsere Marktposition stärken und einen wichtigen Beitrag zur technologischen Entwicklung in der Halbleiterindustrie leisten.“

Nürnbergs Oberbürgermeister Marcus König gratuliert zu diesem Ereignis: „SiCrystal ist einer der weltweit führenden Hersteller von Siliziumkarbid-Halbleitersubstraten – unter anderem werden diese Produkte für die Energiewende gebraucht. Ich freue mich, dass sich SiCrystal mit dieser wuchtigen Investition zum Standort Nürnberg bekennt und damit nicht nur Arbeitsplätze hält, sondern neue schafft. Nürnberg ist ein attraktiver Standort.“

Die Bauarbeiten sollen bis Anfang 2026 abgeschlossen sein und werden neue Arbeitsplätze in der Region schaffen.

Der Neubau wird in Zusammenarbeit mit dem Generalunternehmer Systeambau aus Hilpoltstein realisiert.

SiC-Wafer von SiCrystal, einer Tochtergesellschaft der japanischen ROHM-Gruppe, sind von entscheidender Bedeutung für die Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterkomponenten. Durch die Verwendung von SiC können wir eine höhere Effizienz, einen geringeren Energieverbrauch und eine bessere Leistung in verschiedenen Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, Solarenergie und Industrieanlagen erreichen.

SiCrystal ist stolz darauf, ein schnell wachsender Arbeitgeber in der Metropolregion zu sein und strebt an, die Zahl der Arbeitsplätze bis zum Ende des Geschäftsjahres 2027/28 um mehr als 100 zu erhöhen.

Über die SiCrystal GmbH
Die SiCrystal GmbH ist voller Energie und das seit über 25 Jahren. Mit ihren innovativen Substraten aus dem anspruchsvollen Halbleiter-Material Siliziumkarbid (SiC) gestaltet die SiCrystal GmbH aktiv mit an einer nachhaltigen Zukunft, in der Solar- und Windenergie an Bedeutung gewinnen und elektrisches Fahren die neue Mobilitätskultur sein wird. Als Tochter des Konzerns ROHM Semiconductor, der über 23.000 Mitarbeitenden weltweit beschäftigt, vereint SiCrystal die Erfahrung eines global agierenden Unternehmens mit fachlicher Kompetenz im Bereich der einkristallinen Wafer. Es sind oft die kleinen Dinge, die Großes bewegen: die SiCrystal GmbH liefert die unverzichtbare Basis für modernste elektronische Bauelemente und ist einer der globalen Markt-führer für einkristalline Siliziumkarbid-Halbleiterwafer.
Weitere Informationen über SiCrystal finden Sie unter www.sicrystal.de
 
 
 
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Datum: 05.07.2024 09:00
Nummer: PR17/24DE
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Spatenstich bei der SiCrystal für Neubau zur Produktionsflächenerweiterung von SiC-Substraten. V.l. Jürgen Voit und Daniel Polzin (Systeambau GmbH), Volker Petersik und Dr. Robert Eckstein (SiCrystal GmbH), Dr. Andrea Heilmaier (Wirtschaftsreferentin), Oberbürgermeister Marcus König, Takashi Shimane und Dr. Erwin Schmitt (SiCrystal GmbH), Harald Lötsch (Systeambau GmbH)
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SiCrystal GmbH
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Thurn-und-Taxis-Str. 20
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Kontakt: Peter Gramenz
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