ROHM trägt mit erweitertem Angebot an kompakten PMDE-Gehäusedioden (SBD/FRD/TVS) zur Miniaturisierung von Anwendungen bei
Hervorragende Zuverlässigkeit, ideal für Automotive-Anwendungen
Willich-Münchheide, 26. April 2022 – ROHM hat seine PMDE-Gehäusereihe (2,5 mm × 1,3 mm) um 14 neue Modelle erweitert (RBxx8-Serie, RFN-Serie, VS-Serie), die die Anforderungen an kleinere Schutz- und Schaltkreise erfüllen.
(Bild 1)

Dioden werden zur Gleichrichtung, zum Schutz und für Schaltkreise in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, beispielsweise im Automotive-, Industrie- und Unterhaltungselektronikbereich. Darüber hinaus besteht ein zunehmender Bedarf, die Gehäusegröße zu verringern, um die Montagefläche zu minimieren. Gleichzeitig ist eine höhere Leistung erforderlich, um den Stromverbrauch zu reduzieren.

Bei einer Verkleinerung des Gehäuses wird jedoch auch die Oberfläche der Rückseitenelektrode kleiner, was zu einer geringeren Wärmeableitung führt. Um diesen Nachteil zu beheben, verbessert ROHMs PMDE-Gehäuse die Wärmeableitungsleistung, indem es die Rückseitenelektrode vergrößert und den Wärmeableitungspfad optimiert.
Dadurch können die gleichen elektrischen Eigenschaften erreicht werden wie bei herkömmlichen Gehäusen in einem kleineren Format.

Das von ROHM entwickelte kompakte PMDE-Gehäuse verfügt über einen Leiterbahnen-Aufbau, der dem des herkömmlichen SOD-323-Typs entspricht. Durch die Überarbeitung der Rückseitenelektrode und des Wärmeableitungspfads konnte ROHM die gleichen elektrischen Eigenschaften (d. h. Strom, Spannungsfestigkeit) wie beim Standard-SOD-123FL-Gehäuse (3,5 mm × 1,6 mm) in einem kleineren Gehäuseformat erreichen. Dies trägt zur Miniaturisierung der Platine bei, da die Montagefläche um etwa 42 Prozent reduziert wurde. Darüber hinaus ist die mechanische Festigkeit etwa 1,4-mal höher als beim SOD-123FL, wodurch das Risiko von Lötrissbildung bei Belastung der Leiterplatte verringert und eine höhere Montagezuverlässigkeit ermöglicht wird.

Das PMDE-Gehäuse-Portfolio besteht aus acht Modellen der RBxx8-Serie von Schottky-Barrier-Dioden (SBDs), zwei Modellen der RFN-Serie von Fast-Recovery-Dioden (FRDs) und zwei Modellen der VS-Serie von Transient Voltage Suppressors (TVSs). Mit den kompakten Dioden kann eine Vielzahl von Schaltungs-anwendungen realisiert werden.

Auch in Zukunft strebt ROHM danach, die Qualität seiner Halbleiterbauelemente von niedrigen bis zu hohen Spannungen weiter zu verbessern und gleichzeitig sein unverwechselbares Produktangebot zu stärken, um den Stromverbrauch weiter zu reduzieren und eine stärkere Miniaturisierung der Gehäuse zu erreichen.
(Bild 2)

Produkte im PMDE-Gehäuse
Das PMDE-Gehäuse bietet die gleichen elektrischen Eigenschaften wie das herkömmliche SOD-123FL-Gehäuse in einem kleineren Format und ermöglicht eine bessere Wärmeableitung und Montagezuverlässigkeit. Darüber hinaus sind alle Automotive-kompatiblen Bauteilnummern gemäß dem AEC-Q101-Standard für Automotive-Zuverlässigkeit qualifiziert. Die neuen Produktreihen von PMDE-Gehäusen sind unten aufgeführt.

1. SBDs: RBxx8-Serie Merkmale (Neue Produkte)
Diese SBDs liefern eine niedrige VF zusammen mit einer hohen Effizienz. Die RBxx8-Serie wurde um zehn Modelle im PMDE-Gehäuse mit Durchbruchspannungen von 30 V bis 150 V erweitert, die extrem niedrige IR-Werte (Rückstrom) liefern und auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen stabil arbeiten.

RBxx8 Serie
(Bild 3)

2. SBDs: Merkmale der RBR-Serie (vorgestellt im August 2021)
Die RBR-Serie bietet ein ausgewogenes Verhältnis zwischen niedrigem VF-Wert, der für die Verbesserung der Effizienz ausschlaggebend ist, und niedrigem IR-Wert (Massenproduktion seit Juni 2020). Sechs Modelle der Serie sind im PMDE-Gehäuse erhältlich.

RBR-Serie (PMDE-Gehäuse)
(Bild 4)

3. FRDs: Merkmale der RFN-Serie (Neue Produkte)
FRDs bieten eine hohe Spannungsfestigkeit (bis zu 800 V), die der von Gleichrichterdioden entspricht, sowie eine hervorragende trr (Reverse Recovery Time; Sperrverzögerungszeit), die für den Hochfrequenzbetrieb wichtig ist. Die RFN-Serie bietet die gleichen elektrischen Eigenschaften wie herkömmliche Produkte in einem kompakten PMDE-Gehäuse.

RFN-Serie (PMDE-Gehäuse)
(Bild 5)

4. TVS: Merkmale der VS-Serie (Neue Produkte)
TVS ist eine Art von Diode, die die plötzliche Spannung (Stoßspannung) absorbiert, die während des Motorstarts oder -ausfalls fließt, und anschließend auf eine konstante Spannung herunterschaltet. Die VS-Serie unterstützt einen breiten VRWM -Bereich (Reverse Working Voltage) von 5 V bis 130 V.
(zwischen 5 V und 130 V werden 32 Stufen von Sperrspannungen angeboten)

VS-Serie (PMDE-Gehäuse)
(Bild 6)

Verfügbarkeit: In Serienproduktion, über die Online-Vertriebshändler Digi-key, Mouser und Farnell AG.

Anwendungsbeispiele
(Bild 7 – 8)

Über ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2021 einen Umsatz von rund 3,295 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 22.370 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. LAPIS Technology, SiCrystal GmbH und Kionix gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de
 
 
 
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» Presse-Information
Datum: 26.04.2022 14:00
Nummer: PR08/22DE
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