L'ultima generazione di MOSFET duali di ROHM, in grado di fornire la resistenza di ON migliore della categoria

Willich-Münchheide, Germania, 13 ottobre 2021 – ROHM ha sviluppato QH8Mx5/SH8Mx5, la serie di MOSFET duali (a canale N e P) caratterizzata da tensioni di tenuta pari a ±40 V/±60 V. Questi dispositivi sono perfetti per l’azionamento di motori nelle unità centrali (ventole di raffreddamento) e applicazioni industriali come apparecchiature di automazione industriale che richiedono una tensione di ingresso di 24 V. (Fig. 1) Negli ultimi anni la domanda di MOSFET è andata progressivamente aumentando, in quanto questi prodotti garantiscono un margine sufficiente contro le fluttuazioni di tensione, fornendo tensioni di tenuta da 40 V e 60 V, necessarie a supportare la tensione di ingresso di 24 V richiesta dai motori impiegati in apparecchiature industriali e stazioni base. Oltre a ciò si prevede che i MOSFET forniscano una commutazione a velocità più elevata associata a una resistenza di ON inferiore, caratteristiche che aumentano ulteriormente l'efficienza e la miniaturizzazione dei motori. A queste esigenze ROHM ha risposto con lo sviluppo della sua sesta generazione di MOSFET da 40 V/60 V ricorrendo ai più moderni processi di precisione per i MOSFET a canale N, successivamente al lancio dell'ultima generazione di MOSFET a canale P annunciato alla fine dello scorso anno. Questa combinazione consente a ROHM di fornire i migliori MOSFET duali a canale N e P della categoria, che forniscono la tensione di tenuta pari a ±40 V/±60 V necessaria per una tensione di ingresso di 24 V. Oltretutto l'azienda ha sviluppato anche la serie QH8Kxx/SH8Kxx (a canale N + N) da +40 V/+60 V per rispondere ad una gamma più ampia di esigenze. (12 modelli in totale fra MOSFET a canale N + P e canale N + N) La serie QH8Mx5/SH8Mx5 ricorre ai processi originali più moderni per raggiungere, in prodotti MOSFET duali nella categoria da ±40 V, la resistenza di ON più bassa della categoria, inferiore del 61% rispetto ai MOSFET a canale P. Ciò contribuisce ad un sensibile calo del consumo di potenza in un gran numero di applicazioni. Inoltre, l'integrazione di due dispositivi in un unico package contribuisce alla miniaturizzazione delle applicazioni riducendo l'area di montaggio e diminuendo il carico di lavoro che la selezione dei componenti implica (combinando il canale N e il canale P). (Fig. 2) Prossimamente ROHM continuerà ad ampliare la sua linea includendo prodotti da 100 V e 150 V destinati ad apparecchiature industriali che richiedono tensioni maggiori, dando così un contributo a soddisfare i requisiti di mercato che prevedono un consumo di potenza inferiore e dimensioni minori per una grande varietà di applicazioni. Linea di prodotti MOSFET duali a canale N + P (Tab. 1) MOSFET duali a canale N + N (Tab. 2) Esempi applicativi Motori per ventole in stazioni base e apparecchiature industriali (ovvero automazione industriale, robot) Motori per ventole in dispositivi consumer su larga scala

Informazioni su ROHM ROHM Semiconductor è una società globale da 3,295 miliardi di US $ al 31 marzo 2021 e 22.370 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei suoi prodotti altamente performanti. LAPIS Technology (in precedenza OKI Semiconductor), SiCrystal GmbH e Kionix sono società del gruppo ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com/eu