I nuovi SBD ROHM offrono tempi di reverse recovery ai vertici della categoria* con una tensione di scarica disruptiva di 100 V grazie a una struttura trench-MOS che migliora in modo significativo il bilanciamento VF-IR
Perfetti per fari LED per il settore automotive e altre applicazioni di commutazione ad alta velocità
Willich-Münchheide, Germania, 15 febbraio 2024 – ROHM ha sviluppato diodi a barriera Schottky (SBD) con una tensione di scarica disruptiva di 100 V che offrono un tempo di reverse recovery (trr) leader del settore per i circuiti di protezione e alimentazione di applicazioni automotive, industriali e di consumo.
(Fig. 1 + 2)

Anche se esistono già numerosi tipi di diodi, gli SBD a efficienza elevata vengono sempre più utilizzati in una vasta gamma di applicazioni. In particolare gli SBD con una struttura trench-MOS in grado di offrire un valore VF inferiore a quello dei tipi planari consentono una maggiore efficienza nelle applicazioni di rettifica. Uno degli inconvenienti delle strutture trench-MOS a, tuttavia, è che generalmente sono caratterizzate da un trr peggiore rispetto alle topologie planari, cosa che comporta una perdita di potenza maggiore quando vengono utilizzate per la commutazione.

Per ovviare al problema, ROHM ha sviluppato una nuova serie basata su una struttura trench-MOS proprietaria che riduce contemporaneamente VF e IR (che si trovano in una relazione di bilanciamento) ottenendo al contempo un trr ai vertici della categoria.

Andando ad aggiungersi alle pre-esistenti quattro line-up di SBD tradizionali ottimizzate per una vasta serie di requisiti, la serie YQ è la prima di ROHM ad adottare una struttura trench-MOS. Il design proprietario raggiunge un trr leader del settore pari a 15 ns che riduce la perdita del trr di circa il 37% e la perdita di commutazione complessiva di circa il 26% rispetto ai prodotti trench-MOS comuni, contribuendo a una riduzione del consumo di potenza dell'applicazione. La nuova struttura migliora anche la perdita di VF e IR rispetto agli SBD planari tradizionali. Questo comporta una riduzione della perdita di potenza durante l'uso in applicazioni di polarizzazione diretta come la rettifica, offrendo allo stesso tempo un minor rischio di thermal runaway, sempre in agguato negli SBD. Di conseguenza questi diodi sono ideali per apparecchiature che richiedono un'elevata velocità di commutazione, ad esempio i circuiti di pilotaggio di fari LED per il settore automotive e i convertitori DC-DC negli xEV che tendono a generare calore.

In futuro ROHM continuerà a migliorare ulteriormente la qualità dei suoi dispositivi a semiconduttori, dai modelli a bassa tensione a quelli ad alta tensione e a consolidare al contempo la sua ampia line-up per ridurre ulteriormente il consumo di potenza e ottenere livelli di miniaturizzazione superiori.
(Fig. 3 + 4)

Struttura trench-MOS degli SBD
La struttura trench-MOS viene creata formando una trincea che utilizza polisilicone nello strato epitassiale del wafer per attenuare la concentrazione del campo elettrico. Questo riduce la resistenza di tale strato, ottenendo un valore VF più basso quando si applica tensione nella direzione diretta. Allo stesso tempo, durante la polarizzazione inversa la concentrazione del campo elettrico viene ridotta al minimo, diminuendo in modo significativo il valore IR. Di conseguenza la serie YQ migliora i valori VF e IR di circa il 7% e l'82% rispettivamente rispetto ai prodotti tradizionali.
(Fig. 5)

E a differenza delle strutture trench-MOS tipiche, in cui il trr è peggio di quello dei tipi planari a causa di una maggiore capacità parassita (componente della resistenza nel dispositivo), la serie YQ raggiunge un trr leader del settore di 15 ns grazie all'adozione di un design strutturale esclusivo. Questo consente di ridurre le perdite di commutazione di circa il 26%, contribuendo al minor consumo di potenza dell'applicazione.

Esempi applicativi
• Fari LED per il settore automotive
• Convertitori DC-DC destinati a xEV
• Alimentatori per apparecchiature industriali
• Illuminazione

Line-up
(Fig. 6)

Pagina prodotti e informazioni correlate
Sul sito web di ROHM sono disponibili note applicative che sottolineano i vantaggi di questi nuovi prodotti nei circuiti e un white paper che descrive le caratteristiche di ciascuna serie di SBD. È inoltre disponibile una pagina sugli SBD che consente agli utenti di restringere la ricerca immettendo le condizioni della tensione e altri parametri, semplificando così il processo di selezione durante la progettazione. Per maggiori informazioni fare clic sugli URL in basso.

Pagina prodotti SBD ROHM
https://www.rohm.com/products/diodes/schottky-barrier-diodes

Note applicative
Vantaggi della serie YQ: diodi a barriera Schottky compatti e con un'elevata efficienza di conversione di potenza per il settore automotive
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-e.pdf

White Paper
La linea di SBD di ROHM contribuisce a una maggiore miniaturizzazione e a una riduzione delle perdite nelle apparecchiature industriali, di consumo e automotive
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-e.pdf

Informazioni sulle vendite online
Distributori online: DigiKey, Mouser e Farnell
Codici prodotto applicabili: fare riferimento alla tabella. (Fig. 6)
Disponibilità: dicembre 2023
I prodotti verranno offerti anche presso altri distributori online.

Per ulteriori informazioni visitare il sito web di ROHM
https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2024-02-15_news_sbd&defaultGroupId=false

*Ricerca ROHM 15 febbraio 2024

Informazioni su ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor è una società globale da 507,8 miliardi di Yen (3,9 miliardi US Dollar) al 31 marzo 2023 con oltre 23.700 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Germania, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei prodotti altamente performanti. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa).
Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Press Releases
» Press Release
Date: 15.02.2024 14:00
Number: PR05/24IT
» Press Photos

 Download der hochauflösenden Version...
I nuovi SBD ROHM offrono tempi di reverse recovery ai vertici della categoria con una tensione di scarica disruptiva di 100 V grazie a una struttura trench-MOS che migliora in modo significativo il bilanciamento VF-IR

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 1

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 2

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 3

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 4

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 5

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 6
» Contacts
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Contact Agency
Mexperts AG
Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Germany
Phone: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» More Press Releases
10.04.2024 14:00
ROHM sviluppa un nuovo amplificatore operazionale che riduce al minimo il consumo di corrente

14.03.2024 14:00
ROHM ha sviluppato LDO primari automotive che sfruttano la tecnologia QuiCur™ per ottenere caratteristiche di risposta al carico ai vertici del settore*

15.02.2024 14:00
I nuovi SBD ROHM offrono tempi di reverse recovery ai vertici della categoria* con una tensione di scarica disruptiva di 100 V grazie a una struttura trench-MOS che migliora in modo significativo il bilanciamento VF-IR

07.02.2024 14:00
Nuovo amplificatore operazionale Zero-Drift di ROHM ad alta precisione, insensibile alle variazioni di temperatura

24.01.2024 14:00
I MOSFET compatti da 600 V con package SOT-223-3 di ROHM contribuiscono a ridurre e assottigliare i design di alimentatori per illuminazione, pompe e motori