Die neueste Generation der Dual-MOSFETs von ROHM bietet branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand
Willich-Münchheide, 13. Oktober 2021 – ROHM bietet mit der QH8Mx5/SH8Mx5-Serie Dual-MOSFET-Produkte (N-Kanal und P-Kanal), die eine Spannungsfestigkeit von ±40 V/±60 V aufweisen. Die neuen Bausteine eignen sich ideal für die Ansteuerung von Motoren in Basisstationen (Kühlventilatoren) und für industrielle Anwendungen wie Fabrikautomatisierungsanlagen mit 24-V-Eingängen.
(Bild 1)

Zur Unterstützung dieser 24-V-Eingänge werden in zunehmendem Maße MOSFETs mit einer Spannungsfestigkeit von 40 V und 60 V verwendet, die eine ausreichende Toleranz gegenüber Spannungsschwankungen gewährleisten. Die steigende Nachfrage nach mehr Effizienz und weiterer Miniaturisierung von Motoren erfordert von MOSFETs zudem höhere Schaltgeschwindigkeiten und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

Vor diesem Hintergrund entwickelte ROHM die sechste Generation seiner 40 V/60 V-MOSFETs, bei denen die neuesten Präzisionsprozesse für N-Kanal-MOSFETs zum Einsatz kommen. Ende 2020 hatte das Unternehmen bereits die neueste P-Kanal-MOSFET-Generation vorgestellt. Diese Kombination erlaubt es ROHM, branchenführende Dual-MOSFETs mit N- und P-Kanälen und einer Spannungsfestigkeit von ±40 V/±60 V anzubieten. Zur Abdeckung eines noch breiteren Anforderungsspektrums hat das Unternehmen die QH8Kxx/SH8Kxx-Serie mit zwei N-Kanälen und einer Spannungsfestigkeit von +40 V/+60 V entwickelt. (Insgesamt stehen zwölf N-Kanal/P-Kanal- und N-Kanal/N-Kanal-MOSFET-Modelle zur Verfügung.)

Basierend auf den neuesten Prozessen von ROHM erreicht die QH8Mx5/SH8Mx5-Serie den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand, der um 61 % niedriger ist als der von P-Kanal-MOSFETs in Dual-MOSFET-Produkten der ±40-V-Klasse. Dies verringert die Leistungsaufnahme in einer Vielzahl von Anwendungen erheblich. Die Integration von zwei Bauelementen in einem Gehäuse trägt zur weiteren Miniaturisierung bei, da die Montagefläche verringert und der Aufwand für die Auswahl der Komponenten (Kombination von N-Kanal und P-Kanal) reduziert wird.
(Bild 2)

Anschließend wird ROHM die Produktpalette um 100-V- und 150-V-Produkte für Industrieanlagen erweitern, die höhere Spannungen erfordern. Damit erfüllt das Unternehmen die Anforderungen des Marktes an eine geringere Leistungsaufnahme und weiterer Miniaturisierung in unterschiedlichen Einsatzbereichen.

Produktspektrum
Dual-MOSFETs mit N- und P-Kanal
(Tabelle 1)

Dual-MOSFETs mit zwei N-Kanälen
(Tabelle 2)

Anwendungsbeispiele
  • Lüftermotoren für Basisstationen und Industrieanlagen (z. B. Fabrikautomation, Roboter)
  • Lüftermotoren für Großverbrauchergeräte
Über ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2021 einen Umsatz von rund 3,295 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 22.370 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. Lapis Technology, SiCrystal GmbH und Kionix gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de
 
 
 
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Datum: 13.10.2021 14:00
Nummer: PR 22/21DE
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