ROHM bietet neue Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode

RGWxx65C Serie verringert Verluste und Leistungsaufnahme

Willich-Münchheide, 19. Juli 2021 – ROHM kündigt mit seiner RGWxx65C Serie (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR) Hybrid-IGBTs mit einer integrierten 650-V-SiC-Schottky-Barrierediode an. Die Bauelemente im TO-247N-Gehäuse sind für Nennströme von 30 A, 40 A und 50 A ausgelegt und gemäß dem Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 qualifiziert. Sie eignen sich ideal für Automobil- und Industrieanwendungen, die große Leistungen verarbeiten. Dazu gehören Photovoltaik-Leistungsregler, Onboard-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in elektrischen und elektrifizierten Fahrzeugen (xEV). (Bild 1) Die RGWxx65C Serie verwendet die verlustarmen SiC-Schottky-Barrier-Dioden von ROHM als Freilaufdiode. Diese Diode weist nahezu keine Erholungsenergie auf und hat somit minimale Schaltverluste. Da der Rückspeisestrom beim Einschalten nicht vom IGBT verarbeitet werden muss, wird der Einschaltverlust des IGBT deutlich reduziert. Beides zusammen führt beim Einsatz in Kfz-Ladegeräten zu einem bis zu 67 % geringeren Verlust im Vergleich zu herkömmlichen IGBTs und 24 % weniger Verlust gegenüber Super-Junction-MOSFETs (SJ-MOSFETs). Dieser Effekt sorgt nicht nur für ein gutes Preis-Leistungs-Verhältnis, sondern senkt auch die Leistungsaufnahme in Industrie- und Automobilanwendungen. In den letzten Jahren haben die weltweiten Bemühungen zur Reduzierung der Umweltbelastung die Verbreitung von elektrifizierten Fahrzeugen (xEV) forciert. Derzeit findet auch eine Diversifizierung der Leistungshalbleiter statt, die in verschiedenen Wechselrichter- und Wandlerschaltungen in Fahrzeugen zur Konfiguration effizienterer Systeme zum Einsatz kommen. Dies geschieht durch technologische Innovationen sowohl bei verlustarmen SiC-Leistungsbauelementen (das heißt, SiC-MOSFETs, SiC-SBDs) als auch bei konventionellen Silizium-Leistungsbauelementen wie IGBTs und Super Junction MOSFETs. Um für eine breite Palette von Anwendungen effektive Stromversorgungs-lösungen anbieten zu können, entwickelt ROHM nicht nur Produkte und Technologien für branchenführende SiC-Leistungsbauelemente, sondern auch für Siliziumprodukte und Treiber-ICs. (Bild 2) Verfügbarkeit: Die RGWxx65C Serie ist seit März 2021 als Muster und ab Dezember 2021 in Serie erhältlich. Anwendungsbeispiele Kfz-Ladegeräte (Onboard-Ladegeräte) DC/DC-Wandler für Fahrzeuge Solarstrom-Wechselrichter (Power Conditioner) Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) Spezifikationen der neuen Hybrid IGBTs (RGWxx65C Serie) (Bild 3) Zudem bietet ROHM sowohl Produkte mit Silizium-FRDs als Freilaufdiode als auch Produkte ohne Freilaufdiode an. Weitere Informationen finden sich unter: https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw Entwicklungsunterstützung Auf der ROHM-Website befindet sich weiterführendes Material zur Entwicklungsunterstützung, darunter Simulationsmodelle (SPICE) und Anwendungshinweise zur Konzeption von Antriebsschaltungen. Diese sind für die Integration und Evaluierung notwendig und unterstützen eine schnelle Markteinführung. Weitere Informationen gibt es unter: https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?PS_BuiltInDiode=SiC-SBD

Über ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2021 einen Umsatz von rund 3,295 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 22.370 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. Lapis Technology, SiCrystal GmbH und Kionix gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de