ROHM präsentiert 200V-Schottky-Barrier-Dioden mit extrem niedrigen IR
Neue RBxx8BM/NS200-Dioden gewährleisten unter hohen Temperaturen stabilen Betrieb, verringern die Stromaufnahme und sorgen für Platzersparnis in automobilen Anwendungen
Willich-Münchheide, 19. November 2019 – Für Automobil-Anwendungen wie Antriebsstränge und xEVs kündigt ROHM 200V-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) mit extrem niedrigen IR an. Die neuen RBxx8BM/NS200-Dioden erweitern die RBxx8-Produktreihe, die einen Betrieb unter hohen Temperaturen ermöglicht und sich bereits im japanischen Automobilmarkt bewährt hat. Die RBxx8BM/NS200-SBDs zeichnen sich durch extrem niedrige Leckströme (IR) von 8µA bzw. 15µA und eine hohe Spannungsfestigkeit von 200V aus. Der Austausch der typischerweise in Fahrzeugen verwendeten Fast-Recovery-Dioden (FRD) und Gleichrichterdioden durch ROHMs neue SBDs reduziert die Eigenschaften der Durchlassspannung (VF) um elf Prozent gegenüber herkömmlichen FRDs. Dies verringert nicht nur die Leistungsverluste der Anwendung, sondern ermöglicht aufgrund der geringeren Wärmeentwicklung auch kleinere Gehäusedesigns, was wiederum zu einer größeren Platzersparnis beiträgt.
(siehe Bild 1)

Im Bereich der Antriebssysteme für 48V-Mild-Hybrid-Systeme geht der technologische Trend in Richtung mechanische Integration. Im Zuge dieser werden die Motor- und Peripherieschaltungen zu einem Modul zusammengefasst. Dies erfordert eine hohe Effizienz und High-Voltage-SBDs, die einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen ermöglichen. Zur Verbesserung der Funktionalität und Zuverlässigkeit erforden Systeme mit herkömmlichen 150V-Komponenten zudem SBDs mit höheren Spannungen.

ROHM bietet die RBxx8-Produktreihe mit extrem niedrigen IR an. Die SBDs, die jetzt eine Spannungsfestigkeit von bis zu 200V aufweisen, eignen sich für die hohen Temperaturen im Automobilumfeld.
(siehe Bild 2+3)

Wesentliche Merkmale
Von SBDs mit hohem Wirkungsgrad wird erwartet, dass sie in Kfz-Stromversorgungen konventionelle Gleichrichterdioden und FRDs ersetzen, die hohen Temperaturen ausgesetzt sind. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch, dass sich ihre IR-Eigenschaften bei höheren Betriebstemperaturen verschlechtern, was zu einem thermischen Durchgehen führen kann. Deshalb werden Produkte benötigt, die bei hohen Temperaturen einen stabilen Betrieb gewährleisten.
(siehe Bild 4)

Die RBxx8-Serie verwendet ein für hohe Temperaturen optimiertes Sperrmetall, das die IR-Eigenschaften deutlich verbessert. Dies gewährleistet in Automobil- und Industrieanwendungen einen sicheren Betrieb bei hohen Temperaturen und schließt ein thermisches Durchgehen aus.

1. Austausch von FRDs reduziert die Stromaufnahme der Anwendung
Mit Hilfe eines extrem niedrigen IR erreicht ROHM eine hohe Spannungsfestigkeit von 200V. Somit können die in Fahrzeugen verwendeten 200V-FRDs durch hocheffiziente SBDs ausgetauscht werden. Die RBxx8BM/NS200-Dioden reduzieren die VF-Eigenschaften um elf Prozent gegenüber herkömmlichen FRDs und senken die Leistungsverluste.

2. Geringe Wärmeentwicklung reduziert die Gehäusegröße und führt in einer Vielzahl von Anwendungen zu einer größeren Platzersparnis
Die Reduzierung der VF minimiert die Wärmeentwicklung und ermöglicht es dem Anwender, eine kleinere Gehäusegröße als bei herkömmlichen Lösungen einzusetzen. ROHM entwickelt derzeit Leistungsgehäuse mittlerer Größe. Das Unternehmen plant jedoch, mittels Austausch der 5,9 mm × 6,9 mm großen FRDs durch kompakte Produkte mit Abmessungen von 2,5 mm × 4,7 mm die Montagefläche um bis zu 71% zu reduzieren.
(siehe Bild 5)

Produktportfolio
Mit diesen acht neuen 200V-Versionen umfasst die RBxx8-Serie insgesamt 212 Produkte.
(siehe Bild 6)

Verfügbarkeit: Die 200V-Schottky-Barrier-Dioden sind ab sofort erhältlich.

Anwendungen
Automobilanwendungen (z.B. xEVs) wie Antriebsstrang, industrielle Wechselrichter und verschiedene Arten von Stromversorgungen.
Über ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2019 einen Umsatz von rund 3,652 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 22.899 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, zu der integrierte Schaltungen, SiC-Dioden, SiC-MOSFETs, SiC-Module, Transistoren, LEDs und weitere elektronische Bauelemente, aber auch Widerstände, Tantal-Kondensatoren und Druckköpfe gehören. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China.
Lapis Semiconductor, SiCrystal GmbH und Kionix gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an.
ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa).
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de
 
 
 
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» Presse-Information
Datum: 19.11.2019 14:00
Nummer: SBD-RBxx8_DE
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