ROHM präsentiert 650-V-IGBTs mit branchenweit führenden* niedrigen Durchlassverlusten

Willich-Münchheide, 25. August 2026 – ROHM hat 650-V-IGBTs der 4. Generation entwickelt. Diese eignen sich ideal für elektrische Kompressoren und Hochspannungsheizungen in Fahrzeugen sowie für Wechselrichter in Industrieanlagen. Als Produkte der 650-V-Klasse in Automobilqualität erzielen die neuen IGBTs mit VCE(sat) = 1,55 V branchenführende* niedrige Durchlassverluste. Zudem bieten sie eine hohe Kurzschlussfestigkeit und erfüllen die Automobil-Zuverlässigkeitsnorm AEC-Q101. (Bild 1) Da Elektrofahrzeuge zunehmend auf höhere Spannungen umgestellt werden, kommt SiC immer häufiger in Hochleistungsanwendungen wie Antriebswechselrichtern zum Einsatz. Gleichzeitig werden 650-V-IGBTs in großem Umfang als Schaltelemente in Hilfssystemen mit geringerer Leistungsfähigkeit eingesetzt, darunter elektrische Kompressoren und Hochspannungsheizungen in Kraftfahrzeugen. Silizium-IGBTs finden zudem breite Anwendung in Industrieanlagen, insbesondere in Motoren und Kompressoren. Es wird erwartet, dass die Nachfrage künftig steigen wird. Diese Applikationen erfordern höhere Energieeinsparungen und kompaktere Bauformen, was zu einer starken Nachfrage nach Leistungsbauelementen führt, die sich durch höhere Zuverlässigkeit, geringere Abmessungen und höheren Wirkungsgrad auszeichnen. Insbesondere Wechselrichter- und Heizkreise erfordern eine Kurzschlusstoleranz, die ausreichend ist, um die Zeit zu überbrücken, die zur Erkennung und Unterbrechung eines Überstroms während eines Kurzschlusses benötigt wird. Als Reaktion auf diese Marktanforderungen hat ROHM die Bauelementstruktur – einschließlich des Fertigungsprozesses und der Randanschlussstruktur – neu konzipiert. Das Ergebnis sind IGBTs der 4. Generation, die verlustarme Eigenschaften mit einer hohen Kurzschlussfestigkeit verbinden und gleichzeitig den Anforderungen an höhere Spannungen gerecht werden. Durch die Überarbeitung der Bauelementstruktur erhöhen die Produkte die Stromdichte und reduzieren gleichzeitig die Leit- und Schaltverluste. Darüber hinaus bieten die Produkte trotz des Kompromisses zwischen geringeren Verlusten und Kurzschlussfestigkeit eine lange Kurzschluss-Standzeit von 7 µs bei Tj = 25 °C. Dies trägt zu einem höheren Wirkungsgrad und einer verbesserten Zuverlässigkeit in den Anwendungen bei. Das Sortiment umfasst 12 Produkte im TO-247N-Gehäuse, die Serien RGAxxTS65HR / RGAxxTS65EHR, sowie 10 Bare-Wafer-Produkte der Serie SG83xxWN. ROHM entwickelt außerdem 12 Produkte im TO-247-4L-Gehäuse, die Serien RGAxxTR65HR und RGAxxTR65EHR. Entwurfsmodelle und Materialien, die für den Schaltungsentwurf benötigt werden, stehen zudem auf der offiziellen Website von ROHM zum Download bereit. Die Produkte im TO-247N-Gehäuse sowie ausgewählte Produkte als Bare-Wafer sind bereits erhältlich. Der Online-Verkauf von Produkten im TO-247N-Gehäuse erfolgt über Online-Distributoren wie DigiKey und Farnell. Für die Zukunft plant ROHM, das Produktangebot in diesen Gehäusen weiter auszubauen und kompakte IGBT-Produkte für die Oberflächenmontage zu entwickeln, die das TO-263L-Gehäuse sowie TSC-Gehäuse (Top-Side Cooling) nutzen. Damit wird ROHM sein Angebot an leistungsstarken IGBT-Produkten weiter ausbauen und so zu einem höheren Wirkungsgrad der Antriebe sowie zur Miniaturisierung in Anwendungen der Automobil- und Industrieausrüstung beitragen. Produktpalette Diskrete Produkte (Bild 2 + 3) Bare-Wafer-Produkte (Bild 4) Anwendungsbeispiele • Elektrische Kompressoren für Kraftfahrzeuge • HV-Heizungen für Kraftfahrzeuge (PTC-Heizungen, Kühlmittelheizungen) • Wechselrichter für Industrieanlagen Informationen zum Support Auf der offiziellen Website von ROHM finden Sie SPICE-Modelle, die die elektrischen Eigenschaften der Produkte in Simulationen originalgetreu wiedergeben, PLECS-Modelle für die Simulation elektrischer Schaltungen sowie weitere Materialien, die für den Schaltungsentwurf benötigt werden. Weitere Informationen finden Sie auf der Produktseite zum Field-Stop-Trench-IGBT. Die Marke EcoIGBT™ EcoIGBT™ ist die Marke von ROHM für IGBTs. Sie umfasst sowohl Bauelemente als auch Module und erfüllt die Anforderungen von Hochspannungsanwendungen im Bereich der Leistungsbauelemente. ROHM entwickelt unabhängig Technologien, die für die Entwicklung von Leistungsbauelementen von entscheidender Bedeutung sind, von der Wafer-Herstellung und den Produktionsprozessen bis hin zum Packaging und Qualitätskontrollmethoden. Gleichzeitig hat ROHM ein integriertes Produktionssystem über den gesamten Fertigungsprozess hinweg etabliert und damit die Position des Unternehmens als führender Anbieter von Leistungshalbleitern gefestigt. EcoIGBT™ ist eine Marke oder eingetragene Marke der ROHM Co., Ltd. *Studie von ROHM vom 25. August 2026

Über ROHM Semiconductor ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren. Weitere Informationen zu ROHM finden Sie unter: www.rohm.de