ROHMs neue 600-V-Super-Junction-MOSFETs im SMT-Gehäuse bieten hohe thermische Leistungsfähigkeit

Willich-Münchheide, 09. Juli 2026 – ROHM hat mit den Serien R60xxXNx und R60xxWNx eine neue Produktreihe von 600-V-Super-Junction-MOSFETs entwickelt. (Bild 1) In Rechenzentren und Industrieanlagen steigt der Strombedarf mit zunehmender Rechenlast weiter an. Dies führt zu einer starken Nachfrage nach einer effizienteren Stromversorgung, die sowohl den Stromverbrauch als auch die Wärmeentwicklung reduziert. Angesichts immer kleiner werdender Anwendungen müssen Stromversorgungsschaltungen eine höhere Leistungsdichte und Platzersparnis erzielen und gleichzeitig auf begrenztem Raum eine höhere Ausgangsleistung liefern. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, müssen Super-Junction-MOSFETs noch geringere Verluste und eine verbesserte thermische Leistung aufweisen. Das wiederum fördert den zunehmenden Einsatz von oberflächenmontierbaren Gehäusen mit hervorragender Wärmeableitung. Zur Reduzierung des Beschaffungsrisikos sind in den letzten Jahren die Unterstützung von Multi-Sourcing und die Sicherung von Zweitlieferanten unverzichtbar geworden. Eine hohe Kompatibilität mit bestehenden Standardprodukten ist somit eine wichtige Anforderung. Die neuen Produkte der Serien R60xxXNx und PrestoMOS™ R60xxWNx ergänzen das bestehende Gehäuseangebot um oberflächenmontierbare DFN8080-5L-Gehäuse (8,0 × 8,0 × 0,85 mm) und TOLL-Gehäuse (11,68 × 9,9 × 2,3 mm). Dank ihrer kompakten, flachen Bauweise und der hervorragenden Wärmeableitung eignen sie sich ideal für Anwendungen, die Platzersparnis und eine höhere Leistungsdichte erfordern. Beispiele hierfür sind Netzteile für KI-Server und Industrieanlagen. Hinsichtlich der Eigenschaften liegt die zum Einschalten des MOSFET erforderliche Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) mit 3 V bis 5 V im weit verbreiteten Bereich von Standardprodukten, wodurch ein breites Spektrum an Ansteuerungsbedingungen abgedeckt wird. Verbesserte dynamische Eigenschaften sorgen darüber hinaus für eine höhere Designflexibilität und geringere Schaltverluste im Vergleich zur herkömmlichen R60xxYNx-Serie sowie zur PrestoMOS™ R60xxVNx-Serie. Oberflächenmontierte Gehäuse mit marktüblichen Abmessungen gewährleisten eine hohe Vielseitigkeit und erleichtern gleichzeitig den Austausch in bestehenden Stromversorgungs-schaltungen sowie die Auswahl alternativer Lieferanten. Das Produktportfolio umfasst 21 Modelle der R60xxXNx-Serie für Hochgeschwindigkeitsschaltungen sowie elf Modelle der PrestoMOS™ R60xxWNx-Serie mit branchenführenden* Fast-Recovery-Eigenschaften. Je nach Applikationsanforderungen können Anwender das optimale Bauelement auswählen. Das Angebot reicht von Produkten für Designs, bei denen die Kompatibilität im Vordergrund steht, bis hin zu solchen, die sich für Designs mit geringen Verlusten eignen. Die Serienproduktion wurde im Juni 2026 schrittweise aufgenommen. Der Online-Vertrieb von Produkten in TOLL-Gehäusen (Artikelnummern: R6020XNJ2, R6038XNJ2, R6049XNJ2, R6055XNJ2, R6024WNJ2, R6035WNJ2) hat ebenfalls begonnen. Diese sind über Online-Distributoren wie DigiKey erhältlich. ROHM wird sein Angebot an Super-Junction-MOSFETs weiter ausbauen. Das Unternehmen plant, die Serienproduktion von 650-V-Produkten sowie von Produkten der nächsten Generation aufzunehmen. Produktpalette (Bild 2) Anwendungsbeispiele • Stromversorgungen für KI-Server und Rechenzentren • Stromversorgungen für Industrieanlagen und Verbrauchergeräte (LLC, PFC, Flyback usw.) • Motoren und Wechselrichter für Lüfter, AC-Servos und andere Anwendungen Die Marke EcoMOS™ EcoMOS™ ist ROHMs Marke für Silizium-Leistungs-MOSFETs, die für energieeffiziente Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickelt wurden. EcoMOS™ wird häufig in Anwendungen wie Haushaltsgeräten, Industrieanlagen und Automobilsystemen eingesetzt. Die Marke bietet eine vielfältige Produktpalette, die eine Produktauswahl auf der Grundlage von Schlüssel-parametern wie Rauschverhalten und Schalteigenschaften ermöglicht, um spezifische Anforderungen zu erfüllen. EcoMOS™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd. PrestoMOS™ Der italienische Begriff „Presto“ stammt aus der Musik und bedeutet „sehr schnell“. PrestoMOS™ ist ein von ROHM entwickelter Leistungs-MOSFET. Er vereint die hohe Spannungsfestigkeit und den niedrigen Durchlasswiderstand von Super-Junction-MOSFETs und verkürzt gleichzeitig die Rückstellzeit der integrierten Diode. Aufgrund der reduzierten Schaltverluste eignet er sich ideal für ein breites Spektrum an Anwendungen mit Wechselrichterschaltungen, beispielsweise für Klimaanlagen und Kühlschränke. PrestoMOS™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd. *Studie von ROHM vom 9. Juli 2026

Über ROHM Semiconductor ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren. Weitere Informationen zu ROHM finden Sie unter: www.rohm.de