SiC-MOSFET von ROHM wird in Battery Backup Units für KI-Server eingesetzt, HVDC-Architekturen entwickeln sich weiter

Willich-Münchheide, 03. Juni 2026 – ROHM hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in einer BBU (Battery Backup Unit) für die Stromversorgung von KI-Servern zum Einsatz kommt. Mit dem Aufkommen generativer KI steigen die Spannungen in den Stromversorgungssystemen von KI-Servern und es findet ein rascher Übergang zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) statt. In diesem Umfeld wurde das SiC-Leistungsbauelement von ROHM als Lösung für Stromversorgungssysteme der nächsten Generation ausgewählt. Da GPUs immer leistungsfähiger werden und generative KI zunehmend Einzug hält, steigt die Leistungsaufnahme von Rechenzentren rapide an. Zur Lösung dieses Problems setzt die Branche zunehmend auf HVDC-Architekturen, um Verluste bei der Stromübertragung zu reduzieren. In Hochleistungs- und Hochspannungsumgebungen spielen BBUs und CUs (Kondensatoreinheiten), die den Strom auf Server-Rack-Ebene ausgleichen, eine immer wichtigere Rolle. Sie gleichen den Strom auf Server-Rack-Ebene aus und schützen so Systeme und riesige Datenmengen im Falle von Störungen wie Stromausfällen oder kurzzeitigen Unterbrechungen. Bei dem eingesetzten Produkt handelt es sich um den SCT4013DLL, einen 750-V-SiC-MOSFET, der im Stromversorgungsbereich einer ±400-V-Stromversorgungsarchitektur für KI-Server verbaut ist. Dank der Eigenschaften von SiC bietet dieses Produkt eine hohe Temperaturbeständigkeit mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C. Somit ist ein stabiler Betrieb selbst in BBUs gewährleistet, in denen die Wärmeentwicklung mit steigender Spannung und Leistungsdichte zunimmt. In 800-VDC-Stromversorgungsarchitekturen der nächsten Generation beträgt die an den Akku im Inneren der BBU gelieferte Versorgungsspannung etwa 560 V. Aus diesem Grund können die 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM auch in diesen Systemen eingesetzt werden. Hochspannungs-Gleichstrom-Versorgungen für KI-Server der nächsten Generation erfordern Backup-Systeme, die im Falle einer Störung hohe Spannungen und große Ströme sofort regeln können, und zwar bei minimalem Leistungsverlust. Um diesen hohen Anforderungen gerecht zu werden, gelten SiC-Leistungsbauelemente, die hohe Spannungsfestigkeit, geringe Verluste und hohe Temperaturbeständigkeit vereinen, als Schlüsselkomponenten im Kern der Leistungssteuerung. Angesichts des zu erwartenden anhaltenden Wachstums auf den Märkten für KI-Server und Rechenzentren wird ROHM die Entwicklung und Bereitstellung von Leistungsbauelementen auf Basis von SiC, GaN und Silizium weiter vorantreiben. Durch die Entwicklung von Lösungen, die diese Leistungsbauelemente mit analogen ICs und anderen Technologien kombinieren, wird ROHM darüber hinaus zu einer höheren Energieeffizienz und zur Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen. Die Marke EcoSiC™ EcoSiC™ ist eine Marke für Bauelemente, die Siliziumkarbid (SiC) verwenden. Im Bereich der Leistungselektronik gewinnt SiC aufgrund seiner höheren Leistungsfähigkeit im Vergleich zu Silizium zunehmend an Bedeutung. ROHM entwickelt die erforderlichen Kerntechnologien für die Weiterentwicklung von SiC-Bauelementen vollständig im eigenen Haus, von der Wafer-Herstellung und dem Produktionsprozess über das Packaging bis hin zu Methoden zur Qualitätskontrolle. Gleichzeitig hat ROHM ein vollständig integriertes Produktionssystem für den gesamten Herstellungsprozess aufgebaut, wodurch die Position des Unternehmens als führender SiC-Lieferant weiter gestärkt wird. *EcoSiC™ ist eine Marken oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd. Weiterführende Informationen ROHM stellt auf seiner Website Informationen zu SiC-Leistungshalbleitern bereit. Dazu gehört die praktische Funktion „Easy Part Finder“, mit der sich Produkte anhand festgelegter Kriterien auswählen lassen. Außerdem stehen Designmodelle zur Verfügung, die die Bewertung und Implementierung unterstützen. Technische Unterlagen und weitere Ressourcen finden Sie unter den folgenden Links: • Anwendungshinweis: SiC-MOSFETs der 4. Generation im diskreten Gehäuse: Eigenschaften und Hinweise zum Schaltungsdesign • Anwendungshinweis: Anwendungsvorteile der Verwendung von SiC-MOSFETs der 4. Generation • Whitepaper: ROHMs 800-VDC-Architekturlösungen für KI-Server • Exklusiver Dialog: Die Strombeschränkungen in Rechenzentren verschärfen sich – warum Delta und ROHM verstärkt auf Hochspannungs-Gleichstrom (HVDC) setzen

Über ROHM Semiconductor ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren. Weitere Informationen zu ROHM finden Sie unter: www.rohm.de