ROHMs SiC-MOSFETs im TOLL-Gehäuse verbinden Miniaturisierung mit hoher Leistungsfähigkeit

Willich-Münchheide, 04. Dezember 2025 – ROHM hat mit der Massenproduktion von SiC-MOSFETs der SCT40xxDLL-Serie in TOLL-Gehäusen (TO-Leadless) begonnen. Im Vergleich zu herkömmlichen TO-263-7L-Gehäusen mit gleicher Nennspannung und gleichem Einschaltwiderstand bieten die neuen Gehäuse eine um ca. 39 % verbesserte Wärmeleistung. Dies ermöglicht trotz ihrer kompakten Größe und ihres flachen Profils eine hohe Leistungsaufnahme. Die SiC-MOSFETs eignen sich ideal für Industrieanlagen wie Server-Netzteile und Energiespeichersysteme (ESS), bei denen eine zunehmende Leistungsdichte und flache Komponenten für ein miniaturisiertes Produktdesign erforderlich sind. (Bild 1) In Anwendungen wie KI-Servern und kompakten PV-Wechselrichtern geht der Trend zu höheren Nennleistungen, wobei gleichzeitig eine Miniaturisierung gefordert wird. Daher müssen Leistungs-MOSFETs eine höhere Leistungsdichte erreichen. Insbesondere in Totem-Pole-PFC-Schaltungen für schlanke Netzteile, die oft als „Pizzaschachtel-Typ“ bezeichnet werden, gelten strenge Anforderungen. So darf die Dicke diskreter Halbleiter beispielsweise maximal 4 mm betragen. Das neue Produkt von ROHM erfüllt diese Anforderungen, indem es die Bauteilfläche um etwa 26 % reduziert und eine geringe Bauhöhe von 2,3 mm erreicht – etwa die Hälfte der herkömmlichen Produkte. Während die meisten Standardprodukte mit TOLL-Gehäuse auf eine Drain-Source-Nennspannung von 650 V begrenzt sind, unterstützen die neuen Produkte von ROHM bis zu 750 V. Dies verringert den Gate-Widerstand und erhöht die Sicherheitsmarge für Überspannungen, wodurch sich die Schaltverluste reduzieren. Das Produktspektrum umfasst sechs Modelle mit Einschaltwiderständen zwischen 13 mΩ und 65 mΩ. Die Serienproduktion dieser Modelle hat im September 2025 begonnen. Die Produkte können online bei Händlern wie DigiKey, Mouser und Farnell erworben werden. Simulationsmodelle für alle sechs neuen Produkte sind auf der Website von ROHM verfügbar. Sie unterstützen eine schnelle Bewertung des Schaltungsdesigns. Produktspektrum (Bild 2) Anwendungsbeispiele • Industrieanlagen: Stromversorgungen für KI-Server und Rechenzentren, PV-Wechselrichter, Energiespeichersysteme • Verbrauchergeräte: Allgemeine Stromversorgungen Die Marke EcoSiC™ EcoSiC™ ist ein Markenzeichen für Bauelemente, die Siliziumkarbid (SiC) verwenden. Im Bereich der Leistungselektronik steht SiC wegen seiner höheren Leistungsfähigkeit im Vergleich zu Silizium (Si) im Mittelpunkt des Interesses. ROHM entwickelt unabhängig Technologien, die für die Weiterentwicklung von SiC entscheidend sind, von der Wafer-Herstellung und den Produktionsprozess bis hin zum Packaging und Methoden zur Qualitätskontrolle. Gleichzeitig hat ROHM ein integriertes Produktionssystem für den gesamten Herstellungsprozess aufgebaut, das die Position des Unternehmens als führender SiC-Lieferant untermauert. • EcoSiC™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.

Über ROHM Semiconductor ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren. Weitere Informationen finden Sie unter: www.rohm.de