05.07.2018 14:00 |
ROHM bietet neuen CMOS-Operationsverstärker mit optimiertem Rauschverhalten |
|
Willich-Münchheide, 05. Juli 2018 – ROHM kündigt die Verfügbarkeit eines CMOS-Operationsverstärkers mit optimiertem Rauschverhalten an. Der LMR1802G-LB reduziert die äquivalente Eingangs-Rauschdichte im Vergleich zu herkömmlichen Produkten um die Hälfte auf 2,9nV/√ Hz bei 1 kHz bzw. 7,8nV/... |
![](../pics/spacer.gif) |
![](../pics/spacer.gif) |
21.06.2018 14:00 |
ROHM kündigt ROKIX-Sensorknoten an |
|
Willich-Münchheide, 21. Juni 2018 – ROHM und Kionix präsentieren mit dem ROKIX-Sensorknoten eine Schlüsselkomponente für die neue ROKIX-IoT-Plattform. Der Sensorknoten verwendet den fortschrittlichen Bluetooth-5/Bluetooth-Low-Energy- (Bluetooth LE) Multiprotokoll-System-on-Chip (SoC) nRF52840 von ... |
![](../pics/spacer.gif) |
![](../pics/spacer.gif) |
14.06.2018 15:15 |
Arduino-Erweiterungs-Board von ROHM ermöglicht die Konfiguration einer Sensorumgebung in nur fünf Minuten |
|
Willich-Münchheide, 14. Juni 2018 – ROHM bietet mit dem SensorShield-EVK-003 ein neues Evaluation-Board, das mit acht Sensorplatinen bestückt werden kann und für den Einsatz mit bestehenden Open-Plattform-MCU-Boards wie Arduino und mbed ausgelegt ist. The SensorShield-EVK-003 ist das neueste ... |
![](../pics/spacer.gif) |
![](../pics/spacer.gif) |
05.06.2018 10:00 |
ROHMs 650-V-IGBTs mit höchster Effizienz und sanftem Schaltverhalten sind jetzt verfügbar |
|
Willich-Münchheide, 05. Juni 2018 – ROHM kündigt die Verfügbarkeit von zwei neuen 650-V-IGBT Serien an, die niedrigste Leistungsverluste mit schnellen Schaltcharakteristiken verbinden. Die Bausteine eignen sich für die Leistungsumwandlung in Wechselrichtern und anderen Stromstellern. ... |
![](../pics/spacer.gif) |
![](../pics/spacer.gif) |
04.06.2018 18:30 |
ROHM und GaN Systems kooperieren bei GaN-Leistungshalbleitern |
|
Willich-Münchheide und Ottawa, Kanada, 4. Juni 2018 – ROHM, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern, und GaN Systems, der weltweit führende Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern, gaben heute ihre Zusammenarbeit im Bereich GaN (Galliumnitrid) Leistungshalbleiter bekannt. Ziel der Kooperation ... |
![](../pics/spacer.gif) |
![](../pics/spacer.gif) |
04.06.2018 18:30 |
ROHM plant neues Gebäude für mehr SiC-Produktionskapazität |
|
Willich-Münchheide, 04. Juni 2018 – ROHM hat angekündigt, im Apollo Werk im japanischen Chikugo ein neues Produktionsgebäude zu planen. Die erweiterte Produktionskapazität soll den steigenden Bedarf an SiC-Power-Bauteilen decken. Die Eigenschaften des noch relativ neuen Materials SiC versprechen um... |
![](../pics/spacer.gif) |
![](../pics/spacer.gif) |
|
««
«
26
27
28
29
30
»
»»
|