| Press Releases 7 to 12 of 156 |
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| 27.02.2025 14:00 |
ROHM lancia HEMT al GaN da 650 V in un package TOLL compatto a elevata dissipazione del calore |
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Willich-Münchheide, Germania, 27 febbraio 2025 – ROHM ha sviluppato degli HEMT al GaN da 650 V nel package TOLL (TO-LeadLess): si tratta di GNP2070TD-Z. Caratterizzato da un design compatto con un'eccellente dissipazione del calore, un'elevata capacità di corrente e prestazioni di commutazione superiori, il package TOLL è sempre più adottato nelle applicazioni che richiedono la gestione di una potenza elevata, in particolare all'interno di apparecchiature industriali e sistemi automotive. Per questo lancio, la produzione dei package è stata affidata ad ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (di seguito ATX), un fornitore OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test) di lunga esperienza. |
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| 15.01.2025 14:00 |
ROHM offre i dispositivi di oscillazione e rilevamento delle onde terahertz più piccoli* del settore |
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Willich-Münchheide, Germania, 15 gennaio 2025 - ROHM ha avviato l’offerta di campioni dei dispositivi di oscillazione e rilevamento delle onde terahertz (THz) più piccoli* del settore, che utilizzano elementi semiconduttori noti come diodi a tunnel risonante (RTD). Si prevede che le onde terahertz saranno applicate ai test non distruttivi, all'imaging e al rilevamento nei settori medico e sanitario, oltre che potenzialmente a future tecnologie di comunicazione ultraveloce. L’offerta di questi dispositivi contribuisce all’avanzamento delle applicazioni delle onde terahertz. |
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| 10.12.2024 14:00 |
ROHM e TSMC lanciano una collaborazione strategica per lo sviluppo della tecnologia basata sul nitruro di gallio per il settore automotive |
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Willich-Münchheide, Germania, 10 dicembre 2024 – ROHM Co., Ltd. (ROHM) ha annunciato oggi di aver avviato insieme a TSMC una partnership strategica per lo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni su veicoli elettrici. |
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| 26.11.2024 09:30 |
Valeo e ROHM Semiconductor co-sviluppano la prossima generazione di elettronica di potenza |
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Parigi/Düsseldorf, 26 novembre 2024 – Valeo, azienda tecnologica leader per il settore automotive, e ROHM Semiconductor, importante produttore di semiconduttori e componenti elettronici, uniscono le forze per ottimizzare e proporre la prossima generazione di moduli di potenza per gli inverter dei motori elettrici, combinando le rispettive competenze nella gestione dell'elettronica di potenza. Come primo passo, ROHM fornirà a Valeo il suo modulo SiC 2 in 1 TRCDRIVE pack per le future soluzioni di powertrain. |
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| 12.11.2024 14:00 |
Nuovi diodi a barriera Schottky SiC di Rohm per sistemi ad alta tensione destinati ai veicoli elettrici (xEV): il package dal design unico migliora la resistenza di isolamento |
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Willich-Münchheide, Germania, 12 novembre 2024 - ROHM ha sviluppato diodi a barriera Schottky (SBD) SiC per il montaggio superficiale che migliorano la resistenza di isolamento aumentando la distanza di dispersione tra i terminali. La line-up iniziale comprende otto modelli - SCS2xxxNHR - per le applicazioni automotive, come i caricabatterie di bordo (OBC), ma l'intenzione è quella di distribuire nel dicembre 2024 anche otto modelli - SCS2xxxN - per le apparecchiature industriali, come i dispositivi per l’automazione industriale e gli inverter fotovoltaici. |
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| 07.11.2024 14:00 |
I nuovi IGBT da 1200 V di ROHM garantiscono le perdite più basse del settore* e un’elevata tolleranza al cortocircuito. |
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Willich-Münchheide, Germania, 7 novembre 2024 - ROHM ha sviluppato IGBT da 1200 V di quarta generazione qualificati AEC-Q101 per il settore automotive, caratterizzati da perdite minime - le più basse della categoria* - e un’elevata resistenza al cortocircuito. Questa combinazione li rende la soluzione ideale per compressori elettrici automobilistici, resistori ad alta tensione e inverter industriali. L’attuale line-up comprende quattro modelli - RGA80TRX2HR / RGA80TRX2EHR / RGA80TSX2HR / RGA80TSX2EHR - in due tipi di package discreti (TO-247-4L e TO-247N), insieme a 11 varianti di chip nudi - SG84xxWN - e si prevede di espandere ulteriormente la gamma in futuro. |
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