| 20.04.2006 11:00 |
Samsung setzt für neue EDGE-Mobiltelefone auf RF-Transceiver von Infineon; Chip reduziert Anzahl der Bauelemente und Platinengröße für Funkteil |
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München, 20. April 2006 - Die Infineon Technologies AG wird Samsung, die weltweite Nummer Drei unter den Mobiltelefon-Anbietern, mit dem CMOS-Single-Chip Radio Frequency (RF) -Transceiver SMARTi PM beliefern. Samsung will den Chip in neuen EDGE-Mobiltelefonen einsetzen, die in der zweiten Hälfte ... |
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| 06.04.2006 17:10 |
Infineon fertigt als weltweit erster Halbleiterhersteller 130nm Embedded-Flash-Mikrocontroller für die Automobilindustrie in Serie |
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München, 6. April 2006 - Die Infineon Technologies AG ist der weltweit erste Halbleiterhersteller, der mit der Serienfertigung von Embedded-Flash-Produkten in 130nm-Technologie für den Einsatz in Automobilen begonnen hat. Die beiden 32-bit Flash-Mikrocontroller TC1796 und TC1766 aus Infineons ... |
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| 31.03.2006 15:15 |
Weber übernimmt Leitung der Unternehmenskommunikation von Infineon |
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München, den 31. März 2006 - Thomas Weber (46) übernimmt als Corporate Vice President zum 15. April 2006 die Leitung der weltweiten Unternehmenskommunikation der Infineon Technologies AG, München, und berichtet in dieser Funktion direkt an den Vorstandsvorsitzenden Dr. Wolfgang Ziebart. ... |
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| 31.03.2006 12:00 |
Infineon treibt Ausgliederung voran: Neues Speicherunternehmen Qimonda startet am 1. Mai 2006 |
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München, 31. März 2006 - Die Infineon Technologies AG hat einen weiteren Meilenstein in ihrer strategischen Neuausrichtung erreicht. Die Ausgliederung des Geschäftsbereichs Speicherprodukte in ein neues Unternehmen erfolgt zum 1. Mai 2006. Dann nimmt das neue Unternehmen mit dem Namen Qimonda seine ... |
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| 21.03.2006 14:00 |
Neue 100V-MOSFET-Familie von Infineon bietet den industrieweit geringsten Durchlasswiderstand und höchste Schaltgeschwindigkeiten für AC/DC-Schaltnetzteile und DC/DC-Spannungswandler |
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München und Dallas, Texas – 20. März 2006 – Anlässlich der Leistungselektronikmesse APEC (Applied Power Electronics Conference and Exposition) hat die Infineon Technologies AG heute ihre neue Familie von 100-V-MOSFETs vorgestellt. Im Vergleich zu Standard-Lösungen senken diese MOSFETs die erforderliche... |
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| 21.03.2006 14:00 |
Zweite Generation der Siliziumkarbid-Schottky-Dioden von Infineon bietet doppelt so hohe Stromstoßfestigkeit |
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München / Dallas, Texas, 20. März 2006 – Die Infineon Technologies AG hat heute auf der Leistungselektronikmesse APEC (Applied Power Electronics Conference and Exposition) die zweite Generation seiner auf Siliziumkarbid (SiC)-Technologie basierenden Schottky-Dioden vorgestellt. Mit der neuen thinQ!... |
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