Presse-Informationen 1195 bis 1200 von 1591
15.06.2010 11:00 Infineon leitet neues Zeitalter bei hardware-basierter Sicherheit ein: BSI bestätigt höchste Sicherheit der SLE 78 Sicherheitscontroller mit revolutionärer "Integrity Guard"-Sicherheitstechnologie
Neubiberg, 15. Juni 2010 - Infineons Sicherheitscontroller der SLE 78-Familie haben die Sicherheitszertifizierung für den Einsatz in elektronischen Ausweisdokumenten und Chipkartenanwendungen erhalten. Damit bestätigt das Bundesamt für Sicherheit in der Informationstechnik (BSI) das hohe ...
20.05.2010 10:00 Infineon und Elpida legen Rechtsstreit bei
Neubiberg, 20. Mai 2010 - Die Infineon Technologies AG und Elpida Memory Inc. legen ihre Rechtsstreitigkeiten wegen Patentverletzungen bei und ziehen jeweils ihre Klagen zurück. Infineon hatte im Februar 2010 ein Verfahren angestrengt und Klage bei der U.S. International Trade Commission (ITC), ...
14.05.2010 11:00 Infineon von Toyotas Hirose-Werk mit höchstem Qualitätspreis ausgezeichnet
Neubiberg und Tokio, Japan, 14. Mai 2010 - Das Hirose-Werk des Automobilherstellers Toyota hat Infineon Technologies mit seinem höchsten Qualitätspreis für außergewöhnlich gute Produktqualität ausgezeichnet. Es ist das erste Mal, dass ein nicht-japanisches Unternehmen diesen Qualitätspreis, ...
05.05.2010 09:00 Infineon bietet 2. Generation der ThinQ! Siliziumkarbid Schottky-Dioden jetzt auch im voll isolierten TO-220 FullPAK-Gehäuse
Neubiberg, 5. Mai 2010 - Infineon Technologies kündigte heute die Verfügbarkeit seiner zweiten Generation Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden im TO-220 FullPAK-Gehäuse an. Das neue Produktportfolio im TO220 FullPak kombiniert die ausgezeichneten elektrischen Kennwerte der ThinQ! SiC-Schottky-Dioden ...
05.05.2010 09:00 Infineon präsentiert neue kompakte IGBT-Module PrimePACK 3 und EconoDUAL 3 mit höchster Leistungsdichte und Zuverlässigkeit
Neubiberg - 5. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt auf der PCIM Europe 2010 in Nürnberg (4. bis 6. Mai) neue IGBT-Module vor, die für höchste Leistungsdichte und Zuverlässigkeit ausgelegt sind: ein PrimePACK-Modul mit 1400 A in 1700 V im PrimePACK 3-Gehäuse und das neue Flaggschiff ...
05.05.2010 09:00 Infineon überwindet mit 3. Generation der 600-V und 1200-V-IGBTs bisherige Beschränkungen bei Schalt-Performance und Effizienz
Neubiberg - 5. Mai 2010 - Infineon Technologies stellte heute seine 3. Generation High Speed-IGBTs mit 1200 und 600V vor. Die neue High Speed 3-IGBT-Familie ist für hochfrequente und hart schaltende Anwendungen ausgelegt. Die neue Produktfamilie setzt Maßstäbe in Bezug auf reduzierte Schaltverluste ...
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