| 26.09.2017 13:40 |
Sechste Generation von CoolSiC™ Schottky-Dioden 650 V von Infineon für schnelles Schalten |
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München, 26. September 2017 – Die Infineon Technologies AG stellt die CoolSiC™ Schottky Diode 650 V G6 vor. Die neueste Entwicklung innerhalb der CoolSiC Diodenfamilie basiert auf den herausragenden Merkmalen der fünften Generation. Sie sind deshalb gekennzeichnet durch Zuverlässigkeit, Qualität und... |
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| 21.09.2017 14:55 |
Infineon Technologies verkauft Produktionsstandort Newport an Neptune 6 Ltd. |
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München, Deutschland, und Newport, Vereinigtes Königreich – 21. September 2017 – Die Infineon Technologies AG und das Privatunternehmen Neptune 6 Ltd. haben einen Vertrag zum Verkauf des Produktionsstandorts Newport (IR Newport Ltd.) geschlossen. Der Abschluss der Transaktion und die Übergabe des ... |
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| 07.09.2017 17:00 |
Infineon setzt auf sprachgesteuerte Mensch-Maschinen-Interaktion durch strategisches Investment bei XMOS |
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München, Deutschland, und Bristol, Großbritannien - 7. September 2017 - Auto, Wohnung, Fabrik oder Endgerät - alles wird zunehmend mit dem Internet verbunden: In drei Jahren werden 30 Milliarden Geräte zum Internet der Dinge (auch „Internet of Things“ oder IoT) gehören. ... |
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| 22.08.2017 10:15 |
CoolMOS™ P7 im SOT-223-Gehäuse kombiniert gute Leistung und Benutzerfreundlichkeit mit einer kostengünstigen Gehäuse-Lösung |
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München, 22. August 2017 - Die Infineon Technologies AG erweitert die kürzlich vorgestellte CoolMOS™ P7-Familie um ein SOT-223-Gehäuse. Der Baustein gleicht bei der Grundfläche dem DPAK-Gehäuse und ersetzt diese Bauform eins-zu-eins. ... |
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| 01.08.2017 07:45 |
Umsatzanstieg getrieben durch Industrieanwendungen und Stromversorgungen. Automotive-Geschäft wegen zunehmendem Halbleiteranteil im Fahrzeug weiterhin auf hohem Niveau |
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Neubiberg, 1. August 2017 - Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 30. Juni 2017 abgelaufene dritte Quartal des Geschäftsjahres 2017 bekannt. ... |
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| 25.07.2017 12:00 |
OptiMOS™ Linear FET kombiniert niedrigen RDS(on) mit großem sicheren Arbeitsbereich |
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München, 25. Juli 2017 – Die Infineon Technologies AG legt die OptiMOS™-Linear-FET-Serie auf. Die neue Produktfamilie kombiniert den bestmöglichen Durchlasswiderstand (RDS(on)) eines Trench-MOSFETs mit dem breiten sicheren Arbeitsbereich (Safe Operating Area, SOA) eines planaren MOSFETs. Dies ... |
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