Presse-Informationen 733 bis 738 von 1739
15.04.2019 10:15 Easy-Familie mit neuem Gehäuse: Infineon bietet das breiteste Portfolio an Powermodulen ohne Bodenplatte mit 12 mm Höhe
München, 15. April 2019 – Die Infineon Technologies AG erweitert die Easy-Familie um einen neuen Gehäusetyp: Easy 3B. Zusammen mit den anderen Easy 1B- und 2B-Gehäusen bietet die Familie jetzt das breiteste Portfolio von Leistungsmodulen mit 12 mm Höhe ohne Bodenplatte. Das Easy 3B ist die ideale ...
04.04.2019 11:30 Neues 3,3 kV XHP™ 3 Leistungshalbleitermodul von Infineon für kompakte und skalierbare Designs von Wechselrichtern
München, 4. April 2019 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Portfolio an Hochspannungsbauteilen mit einem neuen Gehäuse: XHP™ 3. Diese neue flexible IGBT-Modulplattform wurde entwickelt für High-Power-Anwendungen im Spannungsbereich von 3,3 kV bis 6,5 kV. Das Modul ermöglicht skalierbare ...
27.03.2019 10:15 Geschützte Kommunikation innerhalb der vernetzten Fabrik und zur Cloud: Infineon präsentiert weltweit erstes TPM 2.0 für Industrie 4.0
München, 27. März 2019 – Die Infineon Technologies AG präsentiert auf der Hannover Messe (1.-5. April 2019) das weltweite erste Trusted Platform Module (TPM) speziell für industrielle Anwendungen. Das OPTIGA™ TPM SLM 9670 schützt die Geräteidentität und -integrität von Industrie-PCs, Server, Industr...
22.03.2019 14:15 Für die kommenden KI- und 5G-Netzwerke: der branchenweit erste echte 1000-A-Spannungsregler
München, 22. März 2019 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Portfolio von Chipsätzen für Hochstromsysteme mit dem branchenweit ersten 16-Phasen-Digital-PWM-Regler XDPE132G5C. Dieser ermöglicht Ströme von 500 bis 1000 A und darüber für die CPUs, GPUs, FPGAs und ASICs der Zukunft, die in High-...
14.03.2019 10:15 Die neue MOSFET-Familie OptiMOS™ 6 40 V: Beeindruckender RDS(on) kombiniert mit überlegener Schaltleistung
München, 14. März 2019 – Mit der OptiMOS™ 6-Familie setzt die Infineon Technologies AG erneut Technologiestandards für diskrete Leistungs-MOSFET. Basierend auf der Dünnwafer-Technologie von Infineon, ermöglicht diese erhebliche Vorteile für die Gesamtperformance. Die neuen 40 V MOSFET-Bauteile sind ...
14.03.2019 08:15 Dr. Sven Schneider wird zum 1. Mai 2019 Finanzvorstand von Infineon
München, 14. März 2019 – Der Aufsichtsrat der Infineon Technologies AG hat Dr. Sven Schneider mit Wirkung zum 1. Mai 2019 zum Finanzvorstand berufen. Sein Vertrag hat zunächst eine Laufzeit von drei Jahren. Dr. Schneider wechselt zu Infineon von der Linde AG, wo er derzeit Sprecher des Vorstands, ...
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