Presse-Informationen 553 bis 558 von 1755
25.05.2021 10:15 Samsung setzt auf Infineon: Samsungs erstes MOSFET-basiertes Inverter-Design für Kühlgeräte verwendet den 600 V CoolMOS™ PFD7
München und Seoul, Korea – 25. Mai 2021 – Die Infineon Technologies AG beliefert Samsung Electronics Co., Ltd. (FSE: SSUN / OTCQX: SSNLF) mit Leistungshalbleitern für den neuen eintürigen Kühlschrank (RR23A2J3XWX, RR23A2G3WDX) und für den French-Door-Kühlschrank (FDR: RF18A5101SR) mit Invertertechnik. Die Bauteile ermöglichen Kühlgeräte mit höchster Energieeffizienz und geringsten hörbaren Betriebsgeräuschen. Die Inverterisierung ist ein aufkommender Trend in modernen Umrichterdesigns, bei dem Gleichstrom in Wechselstrom umgewandelt wird. Dies trägt dazu bei, dass Kühlgeräte leiser und reibungsloser laufen, während die durchschnittliche Leistungsaufnahme im Vergleich zu einer herkömmlichen Ein/Aus-Steuerung reduziert wird.
19.05.2021 10:15 Die neue ModusToolbox™ Machine Learning ermöglicht TinyML für sicheres AIoT
München – 19. Mai 2021 – Die Kombination von KI und IoT, oft als Künstliche Intelligenz der Dinge (AIoT) bezeichnet, erweitert vernetzte Geräte um Machine-Learning-Funktionen und ermöglicht die Ausführung intelligenter Prozesse. Markets und Markets geht davon aus, dass der AIoT-Markt von 5,1 Mrd. US-Dollar in 2019 bis zum Jahr 2024 auf 16,2 Mrd. US-Dollar ansteigen wird, und das mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 26 Prozent. Um die Entwicklung von komplexen AIoT-Produkten zu unterstützen, bringt die Infineon Technologies AG jetzt ModusToolbox™ Machine Learning (ML) auf den Markt. Damit werden Deep-Learning-basierte Funktionen auf PSoC™-Mikrocontrollern (MCUs) von Infineon unterstützt.
18.05.2021 13:15 Mehr Sicherheit im Straßenverkehr: Infineon und Reality AI bringen Autos das Hören bei
München – 18. Mai 2021 – Die heutigen Fahrerassistenzsysteme (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS) basieren auf Kameras, Radar oder Lidar. Das hat zur Folge, dass sich Objekte innerhalb der Sichtlinie befinden müssen, um vom System erkannt zu werden. Zur Schwachstelle wird das, wenn es sich dabei um Einsatzfahrzeuge handelt – die sind viel früher zu hören als zu sehen und damit für ADAS später wahrnehmbar. Um diese Herausforderung zu meistern, hat die Infineon Technologies AG zusammen mit Reality AI eine fortschrittliche Sensorik-Lösung entwickelt, die Fahrzeugen den Hörsinn verleiht. Diese Lösung ergänzt bestehende Sensorsysteme um XENSIV™ MEMS-Mikrofone. Damit können Autos um die Ecke „sehen“ und vor bewegten Objekten in einem blinden Fleck warnen oder vor sich nähernden Einsatzfahrzeugen, die noch weiter entfernt sind.
10.05.2021 10:15 Infineon präsentiert den QML-V-zertifizierten QDR-II+ SRAM mit der branchenweit höchsten Baudichte für die Bilderverarbeitung in Satelliten
München – 10. Mai 2021 – Infineon Technologies LLC, ein Unternehmen der Infineon Technologies AG, hat die nächste Generation der 144 Mb Quad Data
Rate II+ (QDR®-II+) SRAMs vorgestellt. Der leistungsfähige Arbeitsspeicher ist nach der DLA Qualified Manufacturers List Class V (QML-V) zertifiziert, dem höchsten Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandard für ICs in der Raumfahrt. Bei dem strahlungsfesten 144 Mb QDR-II+ SRAM handelt es sich um einen externen Hochgeschwindigkeits-Cache-Speicher, der besonders für Radar-, On-Board-Datenverarbeitungs- und Netzwerkanwendungen im Weltraum geeignet ist.
06.05.2021 09:00 Infineon verbreitert Lieferantenbasis für Liefersicherheit bei Siliziumkarbid
München – 6. Mai 2021 – Die Infineon Technologies AG hat mit dem japanischen Wafer-Hersteller Showa Denko K.K. einen Liefervertrag über ein umfassendes Spektrum an Siliziumkarbid-Material (SiC) inklusive Epitaxie geschlossen. Damit sichert sich der deutsche Halbleiterhersteller weiteres Grundmaterial angesichts der steigenden Nachfrage nach Mikrochips auf SiC-Basis. SiC ermöglicht sehr effiziente und robuste Leistungshalbleiter, die insbesondere in den Bereichen Fotovoltaik, industrielle Stromversorgung und Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge zum Einsatz kommen.
04.05.2021 14:30 Infineon präsentiert CoolGaN™ IPS-Familie für Anwendungen im unteren und mittleren Leistungsbereich von 30 bis 500 W
München – 4. Mai 2021 – Leistungsschalter auf Basis des Wide-Bandgap (WBG) Halbleiters Galliumnitrid (GaN) ermöglichen die Realisierung von Systemen mit hervorragendem Wirkungsgrad und hoher Schaltfrequenz. Damit eröffnet diese Technologie vollkommen neue Möglichkeiten in der Leistungselektronik. Um diese Entwicklung zu unterstützen, erweitert die Infineon Technologies AG ihr umfangreiches Portfolio an WBG-Leistungshalbleitern um die neue CoolGaN™ IPS-Produktfamilie (IPS – integrated power stage). Zu Beginn enthält das IPS-Portfolio sowohl Produkte mit Einzelschaltern als auch solche mit zwei Schaltern in Halbbrückenkonfiguration; Zielanwendungen sind Ladegeräte und Adapter sowie interne und externe Stromversorgungen.
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