| Presse-Informationen 523 bis 528 von 1816 |
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| 18.03.2022 10:15 |
Die neuen EiceDRIVER™ 2EDN-Gate-Treiber-ICs setzen neue Maßstäbe hinsichtlich Formfaktor, UVLO-Reaktion und aktiver Ausgangsklemmung |
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München – 18. März 2022 – Die Infineon Technologies AG bringt eine neue EiceDRIVER™ 2EDN-Produktfamilie auf den Markt. Ausgerichtet auf platzbegrenzte Designs, ergänzen die Bauteile der nächsten Generation die bestehenden 2EDN-Treiber-ICs. Dabei bieten sie eine höhere Effizienz auf Systemebene, eine ausgezeichnete Leistungsdichte und eine konsistente Systemrobustheit mit weniger externen Komponenten. Mit dieser Erweiterung ist die 2EDN-Familie nun in der Lage, die Leistungsschaltung zu verbessern in Anwendungen wie Servern, Telekommunikation, DC-DC-Wandlern, industriellen Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Motorsteuerungen, Elektrofahrzeugen mit geringer Geschwindigkeit, Akku-Werkzeuge, LED-Beleuchtung und Solarenergiesystemen. |
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| 11.03.2022 10:15 |
Infineon ergänzt IPOSIM-Plattform um automatisierte Lebensdauervorhersage zur leichteren Auswahl geeigneter Halbleiterbauelemente |
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München – 11. März 2022 – Die Infineon Power Simulation Plattform (IPOSIM) der Infineon Technologies AG wird für die Ermittlung der Verluste und des thermischen Verhaltens von Leistungsmodulen, Diskreten, Thyristoren und Dioden eingesetzt. Die Plattform bietet direkten Zugang zu Analysen mit einzelnen Arbeitspunkten und benutzerdefinierten Lastprofilen. Für industrielle Kunden gewinnt jedoch auch die Abschätzung der Lebensdauer von Leistungsmodulen in der frühen Design-Phase von Leistungselektroniksystemen zunehmend an Bedeutung. Insbesondere für kleine und mittlere Unternehmen ist das eine große Herausforderung, da ihnen häufig die nötigen Ressourcen fehlen, um geeignete Simulationen zu erstellen und durchzuführen. Um diese Unternehmen zu unterstützen, bietet die IPOSIM-Plattform von Infineon nun ein neues Premium-Feature: einen automatisierten Service, der eine einfache Abschätzung der Lebensdauer von Komponenten je nach Einsatz und Anwendungsanforderungen ermöglicht. |
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| 10.03.2022 10:30 |
Infineon und Sleepiz ermöglichen hochpräzise Schlafüberwachung zu Hause auf Basis von Radartechnologie |
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München – 10. März 2022 – Milliarden Menschen haben Schlafprobleme. Wissenschaftlichen Untersuchungen zufolge leiden allein etwa eine Milliarde Menschen an Schlafapnoe, an nächtlichen Atemaussetzern. Sie können zu verschiedenen Beschwerden wie Schnarchen und Tagesmüdigkeit, aber auch zu gravierenden gesundheitlichen Folgen wie Herzproblemen oder Diabetes führen. Die Diagnose von Schlafapnoe ist schwierig und erfordert oft die Beobachtung eines Patienten in einem Schlaflabor – eine stressige Situation, die zu Irritationen und verfälschten Ergebnissen führen kann. |
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| 09.03.2022 10:45 |
APEC 2022: Infineon präsentiert „The future of power“ auf der Applied Power Electronics Conference in Houston, Texas |
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München und San Jose, Kalifornien – 8. März 2022 – „Zukunft der Energie“: Die Infineon Technologies AG präsentiert auf der Applied Power Electronics Conference (APEC) 2022 vom 20. bis 24. März in Houston das breiteste Spektrum an Leitungsbauelementen der Branche. Das Portfolio umfasst sowohl fortschrittliche Silizium- als auch Wide-Bandgap-Materialien. Ingenieure verlassen sich auf Infineon, wenn es um Lösungen mit höherer Leistungsdichte, geringerer Größe und verbesserter Leistung geht, die eine umweltfreundlichere Zukunft ermöglichen. |
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| 03.03.2022 10:45 |
Infineon präsentiert neue 750 V EDT2 IGBTs im TO247PLUS-Gehäuse für diskrete Traktionswechselrichter |
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München – 3. März 2022 – Die Infineon Technologies AG bringt die neuen EDT2 IGBTs im TO247PLUS-Gehäuse auf den Markt. Diese sind für diskrete Automotive-Traktionswechselrichter optimiert und erweitern das Portfolio von Infineon an diskreten Hochspannungsbauelementen für KFZ-Anwendungen. Aufgrund ihrer hohen Qualität erfüllen und übertreffen die IGBTs den Industriestandard AECQ101 für Automotive-Bauteile. Dadurch können die EDT2 IGBTs die Leistung und Zuverlässigkeit von Umrichtersystemen deutlich erhöhen. Mit dem Micro-Pattern-Trench-Field-Stop-Zellendesign für Automotive-Applikationen basieren die IGBTs auf einer Technologie, die bereits in mehreren Wechselrichtermodulen wie dem EasyPACK™ 2B EDT2 oder dem HybridPACK™ erfolgreich eingesetzt wird. |
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| 28.02.2022 10:15 |
Die neuen OptiMOS™ 5 25 V und 30 V-MOSFETs im PQFN-2x2-Gehäuse setzen neue Maßstäbe bei Formfaktor, Durchlasswiderstand und Schaltleistung |
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München – 28. Februar 2022 – Mit dem Ziel, neue Technologiestandards bei diskreten Leistungs-MOSFETs zu setzen, hat die Infineon Technologies AG heute die neue Produktfamilie PQFN 2 x 2 mm² OptiMOS™ 5 25 V und 30 V vorgestellt. Durch die Kombination der Dünnwafer-Technologie mit Gehäuseinnovation ermöglichen die neuen Bauteile erhebliche Leistungsvorteile in einem extrem kleinen Formfaktor. OptiMOS 5 25 V und 30 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen (SMPS) für Server, Brick-Wandler für Telekommunikation, tragbare Ladegeräte und kabelloses Laden optimiert. Die Leistungs-MOSFETs sind zudem für elektronische Drehzahlregler für kleine bürstenlose Motoren in Drohnen konzipiert, die kleinere Formfaktoren und leichtere Komponenten erfordern. |
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