| Presse-Informationen 505 bis 510 von 1795 |
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| 09.03.2022 10:45 |
APEC 2022: Infineon präsentiert „The future of power“ auf der Applied Power Electronics Conference in Houston, Texas |
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München und San Jose, Kalifornien – 8. März 2022 – „Zukunft der Energie“: Die Infineon Technologies AG präsentiert auf der Applied Power Electronics Conference (APEC) 2022 vom 20. bis 24. März in Houston das breiteste Spektrum an Leitungsbauelementen der Branche. Das Portfolio umfasst sowohl fortschrittliche Silizium- als auch Wide-Bandgap-Materialien. Ingenieure verlassen sich auf Infineon, wenn es um Lösungen mit höherer Leistungsdichte, geringerer Größe und verbesserter Leistung geht, die eine umweltfreundlichere Zukunft ermöglichen. |
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| 03.03.2022 10:45 |
Infineon präsentiert neue 750 V EDT2 IGBTs im TO247PLUS-Gehäuse für diskrete Traktionswechselrichter |
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München – 3. März 2022 – Die Infineon Technologies AG bringt die neuen EDT2 IGBTs im TO247PLUS-Gehäuse auf den Markt. Diese sind für diskrete Automotive-Traktionswechselrichter optimiert und erweitern das Portfolio von Infineon an diskreten Hochspannungsbauelementen für KFZ-Anwendungen. Aufgrund ihrer hohen Qualität erfüllen und übertreffen die IGBTs den Industriestandard AECQ101 für Automotive-Bauteile. Dadurch können die EDT2 IGBTs die Leistung und Zuverlässigkeit von Umrichtersystemen deutlich erhöhen. Mit dem Micro-Pattern-Trench-Field-Stop-Zellendesign für Automotive-Applikationen basieren die IGBTs auf einer Technologie, die bereits in mehreren Wechselrichtermodulen wie dem EasyPACK™ 2B EDT2 oder dem HybridPACK™ erfolgreich eingesetzt wird. |
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| 28.02.2022 10:15 |
Die neuen OptiMOS™ 5 25 V und 30 V-MOSFETs im PQFN-2x2-Gehäuse setzen neue Maßstäbe bei Formfaktor, Durchlasswiderstand und Schaltleistung |
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München – 28. Februar 2022 – Mit dem Ziel, neue Technologiestandards bei diskreten Leistungs-MOSFETs zu setzen, hat die Infineon Technologies AG heute die neue Produktfamilie PQFN 2 x 2 mm² OptiMOS™ 5 25 V und 30 V vorgestellt. Durch die Kombination der Dünnwafer-Technologie mit Gehäuseinnovation ermöglichen die neuen Bauteile erhebliche Leistungsvorteile in einem extrem kleinen Formfaktor. OptiMOS 5 25 V und 30 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen (SMPS) für Server, Brick-Wandler für Telekommunikation, tragbare Ladegeräte und kabelloses Laden optimiert. Die Leistungs-MOSFETs sind zudem für elektronische Drehzahlregler für kleine bürstenlose Motoren in Drohnen konzipiert, die kleinere Formfaktoren und leichtere Komponenten erfordern. |
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| 24.02.2022 10:15 |
Beste Antenneneffizienz: Antennentuner von Infineon ermöglichen höchste Datenrate, beste Signalqualität und längere Batterielaufzeit in 5G-Smartphones |
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München – 24. Februar 2022 – Die Zahl der vernetzten Geräte nimmt rasant zu. Gleichzeitig erwarten die Kunden ein immer besseres Nutzererlebnis mit Blick auf Design und Funktionalität der Produkte. Dies stellt eine große Herausforderung für Entwickler dar, weil auch die Komplexität des Antennendesigns aufgrund neuer Funktionen, Leistungsanforderungen und innovativer Formfaktoren ständig zunimmt. Insbesondere die Einführung von 5G bringt zusätzliche Herausforderungen mit sich, da noch mehr Frequenzbänder auf begrenztem Raum abgedeckt werden müssen. All diese Faktoren können sich auf die Antennenleistung auswirken. |
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| 22.02.2022 10:15 |
Vielseitiger Kurzschlussschutz für Leistungselektronik: Infineon präsentiert EiceDRIVER™ F3 Enhanced |
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München – 22. Februar 2022 – Eine möglichst hohe Systemeffizienz ist eine der wichtigsten Voraussetzung für die moderne Leistungselektronik und führt zu immer höheren Leistungsdichten. Im Falle eines Kurzschlusses laufen die potenziell teuren Systemlösungen jedoch Gefahr, zerstört zu werden. Um dies zu verhindern und Systemen gleichzeitig den besten Schutz zu gewähren, erweitert die Infineon Technologies AG das Portfolio an isolierten EiceDRIVER™ Enhanced-Gate-Treibern um die F3 Enhanced (1ED332x)-Familie. Die Gate-Treiberfamilie implementiert einen zuverlässigen und vielseitigen Kurzschlussschutz, wodurch sowohl herkömmliche Leitungsbauelemente wie IGBTs als auch CoolSIC™-Wide-Bandgap-Bauelemente abgesichert werden. Die Treiber-Familie ist ausgelegt für industrielle Antriebe, Solarsysteme, Schnellladen von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme, gewerbliche Klimaanlagen und andere Anwendungen. |
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| 18.02.2022 10:15 |
MERUS™ Class D Audioverstärker Multichip-Modul ermöglicht kleine Baugröße, hohe Leistungsdichte und kühlkörperfreien Betrieb |
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München – 18. Februar 2022 – Class D Audio-Leistungsverstärker bieten eine Kombination aus geringer Größe, geringer Wärmeabgabe, hoher Integration und hervorragender Klangqualität. Die Infineon Technologies AG stellt das MERUS™ Class D Multichip-Modul (MCM) MA5332MS mit zwei Kanälen und analogem Eingang vor, das das Potenzial der erstklassigen Leistungs-MOSFET-Technologie des Unternehmens voll ausschöpft. Es ist ein leistungsfähiges Upgrade des Vorgängers und bietet die gleiche oder sogar eine höhere Ausgangsleistung als monolithische Alternativen, ohne Kühlkörper und mit 50 Prozent weniger Platzbedarf. Mit einer Leistung von 100-400 W/Kanal ist das MA5332MS ideal für Consumer-Produkte wie integrierte Heimkinos, Soundbars, Subwoofer und Mini-Komponenten-Systeme. Es eignet sich auch gut für professionelle Anwendungen wie Aktivlautsprecher, aktive Studiomonitore, Gitarrenverstärker, Aftermarket-Autoverstärker und Schiffs-Audioverstärker. |
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