| 10.08.2023 10:15 |
Infineon präsentiert automotive-qualifizierte 60 V und 120 V OptiMOS™ 5 MOSFETs in TOLx-Gehäusen für 24 V- bis 72 V-Steuergeräte mit hoher Leistung |
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München – 10. August 2023 – Die Elektrifizierung von Fahrzeugen im Straßenverkehr schreitet weiter voran. Neben PKW werden zunehmend auch Zwei- und Dreiradfahrzeuge sowie kleinere Leichtfahrzeuge elektrifiziert. Dementsprechend wird der Markt für elektronische Steuergeräte (ECUs), die mit 24 V bis 72 V betrieben werden, in den nächsten Jahren weiter wachsen. Um diese Entwicklung zu unterstützen, erweitert die Infineon Technologies AG ihr OptiMOS™ 5-Portfolio von Automotive-MOSFETs im Bereich 60 V und 120 V. Diese sind in leistungsstarken TOLL-, TOLG- und TOLT-Gehäusen untergebracht und bieten einen kompakten Formfaktor mit sehr guten thermischen Eigenschaften in Verbindung mit hervorragendem Schaltverhalten.
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| 08.08.2023 12:08 |
TSMC, Bosch, Infineon und NXP planen Joint Venture und bringen moderne Halbleiterfertigung nach Europa |
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Hsinchu, Stuttgart, München, Eindhoven – 8. August 2023 – TSMC (TWSE: 2330, NYSE: TSM), Robert Bosch GmbH, Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) und NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) haben heute angekündigt, gemeinsam in das Joint Venture „European Semiconductor Manufacturing Company (ESMC) GmbH“ in Dresden zu investieren. Ziel ist es, eine moderne 300-Millimeter-Fabrik zur Halbleiterfertigung aufzubauen, um den zukünftigen Kapazitätsbedarf der schnell wachsenden Automobil- und Industriesektoren decken zu können. Die finale Investitionsentscheidung wird mit der Bestätigung des Umfangs der öffentlichen Förderung für das Projekt fallen. Das Projekt ist im Rahmen des europäischen Chip-Gesetzes „European Chips Act“ geplant. |
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| 07.08.2023 14:15 |
Motorsteuerung für Automotive-Anwendungen: Neue MOTIX™ MCU Embedded Power IC-Familien mit CAN-FD-Schnittstelle bieten schnellere Kommunikation und höhere Leistung |
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München – 07. August 2023 – Mit den Produktfamilien TLE988x und TLE989x erweitert die Infineon Technologies AG das umfangreiche und bewährte Portfolio an MOTIX™ MCU Embedded Power ICs. Durch die Integration von Gate-Treiber, Mikrocontroller, Kommunikationsschnittstelle und Stromversorgung auf einem Chip sind die System-on-Chip-Lösungen von Infineon sehr platzsparend. Die neuen TLE988x- und TLE989x-Familien bieten eine höhere Leistung und verfügen nun über CAN-FD als Kommunikationsschnittstelle. Die ICs sind nach AEC Q-100 qualifiziert und eignen sich damit ideal für die Steuerung von bürstenbehafteten und bürstenlosen Gleichstrommotoren im Automotive-Bereich in Karosserie-, Komfort- und Wärmemanagement-Anwendungen. |
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| 04.08.2023 10:10 |
Führende Unternehmen der Halbleiterindustrie treiben gemeinsam RISC-V voran |
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Hamburg, Deutschland – 4. August 2023 – Die Halbleiterunternehmen Robert Bosch GmbH, Infineon Technologies AG, Nordic Semiconductor, NXP® Semiconductors und Qualcomm Technologies, Inc. investieren gemeinsam in ein Unternehmen, das die Entwicklung von Hardware der nächsten Generation ermöglichen und so die Verbreitung von RISC-V weltweit vorantreiben soll. |
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| 03.08.2023 07:33 |
Infineon im Juni-Quartal gut behauptet. Prognose für das Geschäftsjahr 2023 bestätigt |
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Neubiberg, 3. August 2023 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 30. Juni 2023 abgelaufene dritte Quartal des Geschäftsjahres 2023 bekannt. |
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| 03.08.2023 07:25 |
Infineon baut die weltweit größte 200-Millimeter-„SiC Power Fab“ in Kulim, Malaysia, mit einem Umsatzpotenzial von rund sieben Milliarden Euro bis zum Ende des Jahrzehnts |
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München, 3. August 2023 – Der Trend zur Dekarbonisierung wird zu einem stark wachsenden Markt für Leistungshalbleiter führen, insbesondere im Bereich der Verbindungshalbleiter. Als führendes Unternehmen im Bereich Power Systems unternimmt die Infineon Technologies AG nun einen weiteren, entscheidenden Schritt, um diesen Markt zu entwickeln: Durch den deutlichen Ausbau der Fertigung in Kulim – über die ursprünglich im Februar 2022 angekündigte Investition hinaus – wird das Unternehmen die weltweit größte 200-Millimeter-„SiC (Siliziumkarbid) Power Fab“ errichten. Der geplante Ausbau wird durch Kundenzusagen in Höhe von rund fünf Milliarden Euro für neue Design-Wins in den Bereichen Automobil und Industrie sowie durch Vorauszahlungen in Höhe von rund einer Milliarde Euro unterstützt. |
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