23.02.2024 09:45 |
Infineon: Virtuelle Hauptversammlung 2024 |
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Heute findet die 24. ordentliche Hauptversammlung der Infineon Technologies AG statt. Die Reden können von allen Interessierten live im Internet verfolgt werden und stehen nach der Hauptversammlung als Aufzeichnung zur Verfügung. Auch die Beantwortung der eingereichten Fragen kann online verfolgt werden. Gesonderte Zugangsdaten sind nicht nötig. |
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22.02.2024 09:30 |
Infineon veräußert Fertigungsstätten in Cavite (Philippinen) und Cheonan (Südkorea) an ASE und stärkt so die strategische Partnerschaft der beiden Unternehmen |
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München und Taipeh – 22. Februar 2024 – Die Infineon Technologies AG und ASE Technology Holding Co., Ltd. (TAIEX: 3711/ NYSE: ASX) gaben heute die Unterzeichnung zweier Verträge bekannt, nach denen die Infineon Backend-Fertigungsstätten in Cavite (Philippinen) und in Cheonan (Südkorea) an zwei Tochtergesellschaften von ASE verkauft werden. ASE ist ein führender Auftragsfertiger in den Bereichen Montage und Test. Die Werke werden derzeit betrieben unter den Namen Infineon Technologies Manufacturing Ltd. – Philippine Branch (Cavite) sowie Infineon Technologies Power Semitech Co., Ltd. (Cheonan) und werden von ASE Inc. bzw. ASE Korea Inc. übernommen. |
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21.02.2024 10:15 |
OPTIGA™ Trust M MTR von Infineon: Die einfachste Lösung, Smart Home-Geräte mit Matter und Sicherheit auszurüsten |
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München – 21. Februar 2024 – In unserer zunehmend vernetzten Welt, in der das Internet of Things beständig Fahrt aufnimmt, sind eine reibungslose Interoperabilität zwischen Geräten sowie deren verbesserte Verlässlichkeit und Sicherheit unverzichtbar. Für eben diese Anforderungen wurde der Matter-Standard entwickelt. Um die Integration von Matter und von Sicherheitsfunktionen in Smart Home-Geräte und Smart Building-Anlagen zu vereinfachen, stellt die Infineon Technologies AG nun den OPTIGA™ Trust M MTR vor. Das Matter-zertifizierte Secure Element ist die neueste Weiterentwicklung von Infineons OPTIGA Trust M, kombiniert mit einem Matter-Provisioning-Service. |
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20.02.2024 11:40 |
Infineon platziert Anleihe über 500 Millionen Euro mit einer Laufzeit von drei Jahren |
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Neubiberg – 20. Februar 2024 – Die Infineon Technologies AG hat gestern erfolgreich eine Unternehmensanleihe mit einem Volumen von 500 Millionen Euro unter ihrem EMTN-Programm (European Medium Term Notes) platziert. Die Emission war mehrfach überzeichnet. Die Anleihe hat einen jährlichen Kupon von 3,375% und eine Laufzeit von drei Jahren. |
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15.02.2024 10:15 |
Infineon präsentiert kostengünstiges Bluetooth®-Modul mit hoher Reichweite für Low-Power-Anwendungen |
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München, 15. Februar 2024 – Die Infineon Technologies AG stellt mit dem CYW20822-P4TAI040 ihr neuestes Bluetooth®-Modul für kabellose Konnektivität im IoT und in der Unterhaltungselektronik vor, das neue Maßstäbe bei Reichweite und geringem Energiebedarf setzt. Das Modul ist das kosteneffektivste seiner Klasse und bietet eine nahtlose Integration, eine verbesserte Leistung mit Unterstützung für Bluetooth Low Energy Long Range (LE-LR) und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit für zahlreiche Anwendungen. Mit der richtigen Kombination aus niedrigem Energiebedarf und hoher Leistung unterstützt das Bluetooth-Modul das gesamte Spektrum an Bluetooth LE-LR-Anwendungsfällen, darunter industrielle IoT-Anwendungen, Smart Home, Asset Tracking, Beacons und Sensoren sowie medizinische Geräte. |
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14.02.2024 11:25 |
Infineon treibt Dekarbonisierung und Digitalisierung mit branchenweit breitestem Portfolio an Energielösungen auf der APEC 2024 weiter voran |
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München, Deutschland, und San Jose, Kalifornien – 14. Februar 2024 - Die Infineon Technologies AG wird auf der Applied Power Electronics Conference (APEC) 2024 vom 25. bis 29. Februar das breiteste Angebot an leistungselektronischen Lösungen der Branche vorstellen. Die Wide-Bandgap-Lösungen von Infineon bieten die höchste Effizienz und Leistungsdichte und sind damit ein Schlüsselelement, um den Klimawandel zu bekämpfen und die Dekarbonisierung zu beschleunigen. Das Best-in-Class-Portfolio von Infineon umfasst Leistungsbauelemente für führende Anwendungen auf Silizium-, Siliziumkarbid (SiC)- und Galliumnitrid (GaN)-Materialien. |
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