| 17.06.2008 14:15 |
Infineon kündigt die weltweit ersten LDMOS-HF-Leistungstransistoren in Kupfer-basierten Open-Cavity-Plastikgehäusen für RoHS-kompatible Designs an |
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Neubiberg, Deutschland und Atlanta, USA - 16. Juni 2008 - Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium kündigt die Infineon Technologies AG (FSE/NYSE: IFX) heute eine neue Familie von HF-Leistungstransistoren in einem innovativen Open-Cavity-Plastikgehäuse auf Kupfer-Basis an. ... |
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| 16.06.2008 15:00 |
Infineon stellt die weltweit höchstintegrierte VoIP-Lösung für die neueste Generation von Access-Netzwerk-Anwendungen vor |
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Las Vegas, USA und Neubiberg, Deutschland - 16. Juni 2008 - Auf der NXTcomm 2008 Show in Las Vegas stellt Infineon Technologies, ein führender Anbieter von Kommunikations-ICs, heute mit dem VINETIC™-SVIP, eine neue Bausteinfamilie für die kommende Generation von VoIP-Access-Anwendungen vor... |
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| 30.05.2008 09:30 |
Infineon stellt die weltweit kleinsten 3G-Lösungen für günstige HSDPA- bis hin zu hochperformanten HSUPA-Mobiltelefonen vor |
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Neubiberg, 30. Mai 2008 - Infineon Technologies AG (FSE/NYSE: IFX) kündigt die Verfügbarkeit seiner neuen 3G-Plattform-Generation an. Die neue Plattform-Familie adressiert alle wesentlichen 3G-Marktsegmente und beinhaltet sowohl Lösungen für hochleistungsfähige HSPA-Modems, modernste Multimedia-Mobiletelefone ... |
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| 29.05.2008 08:05 |
Infineon aktualisiert Ausblick für den Kommunikationsbereich |
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Neubiberg, Germany - May 29, 2008 - Infineon Technologies today revised the outlook for its Communication Solutions segment due to lower volumes in certain wireless platform projects. Infineon now anticipates revenues in the third quarter of fiscal year 2008 to be about flat from the previous ... |
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| 27.05.2008 10:40 |
OptiMOS 3 MOSFETs mit 40 V, 60 V und 80 V von Infineon im SuperSO8-Gehäuse bieten weltweit niedrigsten Durchlasswiderstand und verbessern Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent in Industrie-, Konsumer- und Telekommunikationsanwendungen |
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Neubiberg und Nürnberg - 27. Mai 2008 - Auf der Nürnberger Kongressmesse "PCIM Europe 2008" hat die Infineon Technologies AG die neuen OptiMOS™3 N-Kanal-MOSFETs mit 40 V, 60 V und 80 V in den kleinen SMD-Gehäusevarianten SuperSO8™ und S3O8 vorgestellt. In diesen Gehäusen und diesen ... |
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| 27.05.2008 10:30 |
Infineon stellt mit MIPAQ eine neue Generation von hoch integrierten Leistungsmodulen vor |
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Neubiberg und Nürnberg - 27. Mai 2008 - Auf der Nürnberger Kongressmesse "PCIM Europe 2008" stellt die Infineon Technologies AG die ersten IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Module ihrer neuen MIPAQ™-Familie vor. Die MIPAQ-Module (Modules Integrating Power, Application and Quality) ... |
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