| 05.02.2025 09:30 |
Infineon schließt revolvierende Kreditlinie in Höhe von € 2,0 Milliarden ab |
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München, Deutschland – 5. Februar 2025 – Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) hat gestern eine revolvierende Kreditlinie in Höhe von € 2,0 Milliarden abgeschlossen. Die syndizierte Kreditlinie hat eine Laufzeit von fünf Jahren, mit der Option, diese mit der Zustimmung der finanzierenden Banken zweimal, um jeweils ein Jahr zu verlängern. |
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| 04.02.2025 07:33 |
Infineon startet leicht besser als erwartet in das Geschäftsjahr und erhöht währungsbedingt die Jahresprognose |
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Neubiberg, 4. Februar 2025 – Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 31. Dezember 2024 abgelaufene erste Quartal des Geschäftsjahres 2025 bekannt. |
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| 30.01.2025 14:15 |
512 Mbit QSPI NOR Flash für Satellitenanwendungen ist jetzt gemäß DLAM QML-V und QML-P qualifiziert |
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München, 30. Januar 2025 – Der strahlungsfeste 512-Mbit-QSPI-NOR-Flash-Speicher der Infineon Technologies AG für Anwendungen in der Raumfahrt und in extremen Umgebungen hat die QML-V- und QML-P-Qualifizierung der Defense Logistics Agency Land and Maritime (DLAM) erhalten. Die QML-Zertifizierung ist der höchste Zuverlässigkeitsstandard für Mikroschaltungen, der von der US-Regierung vergeben wird, und bestätigt, dass der Speicher auch unter schwierigsten Bedingungen zuverlässig funktioniert. Damit ist der Flash-Speicher der erste und einzige QML-qualifizierte strahlungsfeste NOR-Flash-Speicher für die Raumfahrtindustrie. Er umfasst eine schnelle vierfache serielle Peripherieschnittstelle mit 133 MHz (Quad-Serial-Peripheral-Interface; QSPI) sowie die höchste Speicherdichte und Strahlungsfestigkeit (Single-Event-Effects; SEE) die für einen vollständig QML-qualifizierten nichtflüchtigen Speicher für den Einsatz mit FPGAs und Multicore-Prozessoren in der Raumfahrt verfügbar sind. |
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| 30.01.2025 10:15 |
Infineon Prognosen 2025 – Gallium Nitride (GaN)-Halbleiter: GaN erreicht Durchbruch in weiteren Branchen und treibt Energieeffizienz weiter voran |
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München, 30. Januar 2025 – Während die Welt weiterhin mit den Herausforderungen des Klimawandels und der ökologischen Nachhaltigkeit konfrontiert ist, setzt sich die Infineon Technologies AG an vorderster Front für Innovationen ein. Dabei nutzt das Unternehmen die Leistungsfähigkeit aller relevanten Halbleitermaterialien wie Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), um signifikante Fortschritte bei der Dekarbonisierung und Digitalisierung zu erreichen. |
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| 29.01.2025 10:15 |
FORVIA HELLA selects Infineon's new CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200 V for its next generation of charging solutions |
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Munich, Germany – 29 January 2025 – FORVIA HELLA, an international automotive supplier, has selected the new CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200 V from Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) for its next generation 800 V DCDC charging solution. Designed for on-board charger and DCDC applications in 800 V automotive architectures, Infineon's CoolSiC MOSFET comes in a Q-DPAK package. The device uses top-side cooling (TSC) technology, which enables excellent thermal performance, easier assembly and lower system costs. |
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| 28.01.2025 10:15 |
Infineon präsentiert isolierte EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs für Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen |
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München, 28. Januar 2025 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihre EiceDRIVER™-Familie um neue isolierte Gate-Treiber-ICs für Elektrofahrzeuge. Die Bauteile sind für die neuesten IGBT- und Siliziumkarbid (SiC) -Technologien ausgelegt. Zudem unterstützen sie das neue HybridPACK™ Drive G2 Fusion-Modul, das erste Plug-and-Play-Leistungsmodul, das die Silizium- und SiC-Technologien von Infineon kombiniert. Die vorkonfigurierten EiceDRIVER-Produkte der dritten Generation, 1EDI302xAS (IGBT) und 1EDI303xAS (SiC/ Fusion), sind AEC-qualifiziert und ISO 26262-konform. Damit eignen sie sich ideal für Traktionswechselrichter in kostengünstigen und leistungsstarken xEV-Plattformen. |
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