Presse-Informationen 1363 bis 1368 von 1752
04.05.2010 09:00 Neue .XT-Technologie von Infineon erhöht deutlich die Lebensdauer von IGBT-Modulen und ermöglicht Sperrschicht-Temperaturen von bis zu 200 °C
Neubiberg - 4. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt heute auf der PCIM Europe 2010 in Nürnberg (4.-6. Mai) eine innovative, modulinterne IGBT-Verbindungstechnologie vor, die die Lebensdauer von IGBT-Modulen deutlich erhöht. Die neue .XT-Technologie optimiert alle Verbindungen innerhalb eines IGBT ...
03.05.2010 14:00 Infineon Technologies und Mitsubishi Electric vereinbaren globale Zusammenarbeit im Bereich Leistungselektronik
Neubiberg, 3. Mai 2010, Infineon Technologies AG und Mitsubishi Electric Corporation haben sich darauf verständigt, eine Service-Vereinbarung abzuschließen, um den Markt für industrielle Steuerungen und Antriebe mit den fortschrittlichen IGBT-Modulen SmartPACK und SmartPIM weltweit zu beliefern. ...
03.05.2010 11:15 Infineon stellt neues ThinPAK 8x8 SMD-Gehäuse für Hochvolt-Leistungs-MOSFETs vor, das Anwendungen mit höherer Leistungsdichte ermöglicht
Neubiberg - 3. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt mit dem ThinPAK 8x8 ein neues SMD-Gehäuse ohne Anschluss-Pins ("leadless") für HV-MOSFETs vor. Das neue Gehäuse benötigt nur 64 mm² auf der Leiterplatte und damit signifikant weniger als ein alternatives D2PAK-Gehäuse ...
28.04.2010 07:32 Infineon hebt Prognose für das Geschäftsjahr 2010: Umsatzwachstum nun im hohen 30er-Prozent-Bereich bei einer Segmentergebnis-Marge von mehr als 10 Prozent - Gute Ergebnisse im zweiten Quartal mit einer Segmentergebnis-Marge von 10,6 Prozent
Neubiberg, 28. April 2010 - Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) hat heute die Geschäftszahlen für das am 31. März 2010 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahrs 2010 vorgelegt. ...
22.04.2010 11:00 Infineon Technologies und Fairchild Semiconductor vereinbaren Kompatibilität für Leistungs-MOSFETs
Neubiberg, 22. April 2010 - Infineon Technologies und Fairchild Semiconductor gaben heute eine Partnerschaft bekannt für die Kompatibilität ihrer Gehäuse für Leistungs-MOSFETs – PowerStage 3x3 von Infineon und MLP 3x3 (Power33™) von Fairchild. ...
19.04.2010 11:30 Infineon liefert Chiplösungen für marktfähige und bezahlbare Elektromobilität
Neubiberg, 19. April 2010 - Das Auto der Zukunft fährt elektrisch. Vor dem Hintergrund schwindender Erdölreserven, rasant gestiegener Energiepreise, Klimawandel und den strengen Vorschriften zum CO2-Ausstoß von Fahrzeugen herrscht hierzu Einigkeit bei Wirtschaft und Politik. ...
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