| 05.05.2010 09:00 |
Infineon überwindet mit 3. Generation der 600-V und 1200-V-IGBTs bisherige Beschränkungen bei Schalt-Performance und Effizienz |
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Neubiberg - 5. Mai 2010 - Infineon Technologies stellte heute seine 3. Generation High Speed-IGBTs mit 1200 und 600V vor. Die neue High Speed 3-IGBT-Familie ist für hochfrequente und hart schaltende Anwendungen ausgelegt. Die neue Produktfamilie setzt Maßstäbe in Bezug auf reduzierte Schaltverluste ... |
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| 04.05.2010 12:15 |
Infineon auf Platz 1 bei Chips für Automobilelektronik |
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Neubiberg, 4. Mai 2010 - Infineon Technologies hat den Sprung zum weltweit führenden Chipanbieter für die Automobilelektronik geschafft und ist klare Nummer eins. Nach der neuesten Studie des amerikanischen Marktforschungsinstituts Strategy Analytics, Boston, erreichte Infineon bei einem Umsatz von ... |
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| 04.05.2010 09:00 |
Neue .XT-Technologie von Infineon erhöht deutlich die Lebensdauer von IGBT-Modulen und ermöglicht Sperrschicht-Temperaturen von bis zu 200 °C |
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Neubiberg - 4. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt heute auf der PCIM Europe 2010 in Nürnberg (4.-6. Mai) eine innovative, modulinterne IGBT-Verbindungstechnologie vor, die die Lebensdauer von IGBT-Modulen deutlich erhöht. Die neue .XT-Technologie optimiert alle Verbindungen innerhalb eines IGBT ... |
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| 03.05.2010 14:00 |
Infineon Technologies und Mitsubishi Electric vereinbaren globale Zusammenarbeit im Bereich Leistungselektronik |
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Neubiberg, 3. Mai 2010, Infineon Technologies AG und Mitsubishi Electric Corporation haben sich darauf verständigt, eine Service-Vereinbarung abzuschließen, um den Markt für industrielle Steuerungen und Antriebe mit den fortschrittlichen IGBT-Modulen SmartPACK und SmartPIM weltweit zu beliefern. ... |
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| 03.05.2010 11:15 |
Infineon stellt neues ThinPAK 8x8 SMD-Gehäuse für Hochvolt-Leistungs-MOSFETs vor, das Anwendungen mit höherer Leistungsdichte ermöglicht |
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Neubiberg - 3. Mai 2010 - Infineon Technologies stellt mit dem ThinPAK 8x8 ein neues SMD-Gehäuse ohne Anschluss-Pins ("leadless") für HV-MOSFETs vor. Das neue Gehäuse benötigt nur 64 mm² auf der Leiterplatte und damit signifikant weniger als ein alternatives D2PAK-Gehäuse ... |
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| 28.04.2010 07:32 |
Infineon hebt Prognose für das Geschäftsjahr 2010: Umsatzwachstum nun im hohen 30er-Prozent-Bereich bei einer Segmentergebnis-Marge von mehr als 10 Prozent - Gute Ergebnisse im zweiten Quartal mit einer Segmentergebnis-Marge von 10,6 Prozent |
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Neubiberg, 28. April 2010 - Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) hat heute die Geschäftszahlen für das am 31. März 2010 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahrs 2010 vorgelegt. ... |
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