Neubiberg – 14. Mai 2013 – Die Infineon Technologies AG präsentiert auf der PCIM 2013 in Nürnberg die 650-V-TRENCHSTOP™ 5-Technologie. Seit Einführung der neuesten Dünnwafer-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-Generation im Herbst 2012 erfreut sich TRENCHSTOP™ 5 einer hohen Marktakzeptanz und wird...
Neubiberg und Nürnberg – 14. Mai 2013 – Auf der Fachmesse PCIM Europe 2013 in Nürnberg (14. bis 16. Mai 2013) stellt die Infineon Technologies AG eine neue Serie von EconoDUAL™ 3 IGBT-Modulen vor, die gemäß Automotive-Standards qualifiziert sind. Das neue Portfolio zielt insbesondere auf Anwendungen...
Neubiberg, 7. Mai, 2013 - Zur Fachmesse für Leistungselektronik PCIM 2013 führt die Infineon Technologies AG die neuen Halbbrücken Gate-Treiber 2EDL EiceDRIVER™ Compact für Anwendungen mit Sperrspannungen von 600 Volt auf den Markt ein. Mit einer sehr schnellen Bootstrap Diode und Widerstand ...
Neubiberg, 6. Mai 2013 - Infineon Technologies AG hat heute das TO 247-4-Gehäuse eingeführt. Der zusätzliche vierte Anschluss fungiert als "Kelvin-Source", um den negativen Einfluss der parasitären Induktivität in der Source-Zuleitung des Leistungs-MOSFETs zu reduzieren. Davon profitieren vor allem ...
Neubiberg, 6. Mai 2013 - Infineon Technologies erweitert sein Produkt-Portfolio mit dem CoolMOS™ C7 und führt damit eine neue Generation der 650V Superjunction MOSFET-Technologie ein. ...
Neubiberg, 2. Mai 2013 - Die Infineon Technologies AG hat heute das Ergebnis für das am 31. März 2013 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahrs 2013 bekannt gegeben. ...
