| 07.06.2024 10:15 |
Infineon stellt neue 600 V CoolMOS™ S7TA MOSFETs mit integriertem hochpräzisen Temperatursensor vor |
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München, 7. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG hat den 600 V CoolMOS™ S7TA Superjunction-MOSFET für Power-Management-Anwendungen im Fahrzeug vorgestellt. Der S7TA wurde speziell für die Anforderungen der Automobilelektronik entwickelt und verfügt über einen integrierten Temperatursensor, der die Genauigkeit der Sperrschichttemperaturerfassung deutlich verbessert und auf den Fortschritten des Modells für industrielle Anwendungen (CoolMOS S7T) aufbaut. Zu den daraus resultierenden Vorteilen gehören verbesserte Lebensdauer, Sicherheit und Effizienz, die im Automotive-Bereich von entscheidender Bedeutung sind. |
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| 06.06.2024 10:15 |
Infineon präsentiert neue 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET Produktfamilie für anspruchsvolle und kosteneffiziente Anwendungen |
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München, 6. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG stellt die neue 600 V CoolMOS™ 8 Hochspannungs-Superjunction (SJ) MOSFET Produktfamilie vor. Die Bauteile vereinen die besten Eigenschaften der 600 V CoolMOS 7 MOSFET Serie und sind die Nachfolger der Produktfamilien P7, PFD7, C7, CFD7, G7 und S7. Die neuen Superjunction-MOSFETs ermöglichen kostengünstige Lösungen auf Siliziumbasis und bieten neben der Erweiterung des Silizium-Portfolios eine Alternative zu den Produkten von Infineon im Bereich Wide-Band-Gap. Sie sind mit einer integrierten schnellen Body-Diode ausgestattet und eignen sich dadurch für ein breites Spektrum and Anwendungen wie Server- und Industrie-Schaltnetzteile (SMPS), Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Micro-Solar. |
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| 05.06.2024 10:15 |
Infineon kündigt CoolGaN™ bidirektionale Schalter und Smart Sense Produkttechnologie für leistungsfähigere und kosteneffizientere Power Systeme an |
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München, 5. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG kündigt zwei neue CoolGaN™-Produkttechnologien an: CoolGaN bidirektionale Schalter (BDS) und CoolGaN Smart Sense. Die CoolGaN BDS-Familie ermöglicht ein weiches und hartes Schalten und umfasst bidirektionale Schalter mit 40 V, 650 V und 850 V. Zu den Zielanwendungen gehören USB-Ports für mobile Geräte, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichrichter. Die CoolGaN Smart Sense-Produkte bieten eine verlustfreie Strommessung, die das Design vereinfacht und die Leistungsverluste weiter reduziert, sowie integrierte Transistorschalterfunktionen in einem einzigen Gehäuse. Sie eignen sich ideal für den Einsatz in USB-C-Ladegeräten und Adaptern. |
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| 03.06.2024 10:15 |
Neue CoolSiC™ MOSFETs 650 V G2 im TOLT- und Thin-TOLL-Gehäuse verbessern die Systemleistungsdichte |
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München, 3. Juni 2024 – Die Elektronikbranche erlebt einen signifikanten Wandel hin zu kompakteren und leistungsfähigeren Systemen, die durch technologische Fortschritte und den zunehmenden Fokus auf die Dekarbonisierung angetrieben werden. Mit der Einführung der neuen Thin-TOLL 8x8- und TOLT-Gehäuse beschleunigt und unterstützt die Infineon Technologies AG diesen Trend. Die Gehäuse ermöglichen es, das PCB-Mainboard sowie die Tochterkarten maximal auszureizen und berücksichtigen dabei auch die thermischen Anforderungen und Platzbeschränkungen des Systems. Infineon erweitert nun sein Portfolio an diskreten CoolSiC™ MOSFETs 650 V um zwei neue Produktfamilien im Thin-TOLL 8x8- und TOLT-Gehäuse. Sie basieren auf der zweiten Generation (G2) der CoolSiC-Technologie und zeichnen sich durch deutlich verbesserte Figures-of-Merit, eine höhere Zuverlässigkeit und eine bessere Benutzerfreundlichkeit aus. Beide Produktfamilien sind speziell auf hohe und mittlere Frequenzen bei Schaltnetzteilen (SMPS) ausgerichtet, einschließlich KI-Server, erneuerbare Energien, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und große Haushaltsgeräte. |
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| 30.05.2024 18:00 |
Infineon erhält Baugenehmigung für letzten Bauabschnitt der Smart Power Fab in Dresden |
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Dresden – 30. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG liegt beim Bau der Smart Power Fab in Dresden voll im Zeitplan und leitet den finalen Bauabschnitt ein. Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer hat im Rahmen eines Besuchs die letzte noch ausstehende Baugenehmigung der Landesdirektion Sachsen für den Neubau offiziell übergeben. Der Aushub der Baugrube ist mittlerweile abgeschlossen. Nun schreitet der Roh- und Hochbau auf dem stellenweise fast zwei Meter dicken Betonfundament voran. Infineon hat im Mai 2023 offiziell den Spatenstich für das neue Werk in Dresden gesetzt. 2026 soll die Produktion starten. Im Zentrum der Fertigung stehen Halbleiter, die die Dekarbonisierung und Digitalisierung befördern. |
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| 29.05.2024 10:15 |
Infineon kündigt nächste Generation von CoolGaN™ Leistungstransistoren in 8-Zoll-Fertigungsprozessen an |
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München, 29. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG hat heute zwei neue Generationen von CoolGaN™ Leistungstransistoren für Hochspannung (HV) und Mittelspannung (MV) angekündigt. Damit können Kunden Galliumnitrid (GaN) in Spannungsklassen von 40 V bis 700 V für eine noch breitere Palette von Anwendungen einsetzen, die die Dekarbonisierung und Digitalisierung vorantreiben. Die beiden neuen Produktfamilien werden in hochleistungsfähigen 8-Zoll-Fertigungsprozessen in Kulim (Malaysia) und Villach (Österreich) hergestellt. Damit baut Infineon seine CoolGaN-Vorteile und -Kapazitäten weiter aus, um stabile Lieferketten auf dem Markt für GaN-Bauelemente zu gewährleisten. Nach Schätzungen der Yole Group wird der Markt in den kommenden fünf Jahren um durchschnittlich 46 Prozent pro Jahr (CAGR) wachsen. |
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