Presse-Informationen 121 bis 126 von 1752
11.09.2024 12:30 Infineon mit neuartiger Siliziumkarbid-Lösung für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert
München, Deutschland – 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG ist für die Entwicklung eines neuartigen Energiesparchips auf Basis des innovativen Halbleitermaterials Siliziumkarbid (SiC) für den Deutschen Zukunftspreis 2024, den Preis des Bundespräsidenten für Technik und Innovation, nominiert.  Die Jury hat die insgesamt drei nominierten Teams heute in München bekanntgegeben. Einem Entwickler-Team von Infineon ist es gemeinsam mit der Technischen Universität Chemnitz gelungen, den weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) und innovativer Kupferkontaktierung in der 3300V-Spannungsklasse zu entwickeln. Bei den neuen SiC-Modulen und den darauf basierenden Stromrichtern handelt es sich um einen revolutionären Innovationssprung in der Halbleitertechnologie von herkömmlichen Silizium hin zu energieeffizienterem Siliziumkarbid, durch den sich Schaltverluste bei Hochstromanwendungen um 90 Prozent reduzieren.
11.09.2024 10:00 Infineon präsentiert weltweit erste 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Power-Technologie – ein Meilenstein für die Branche
München, Deutschland und Villach, Österreich - 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG gab heute bekannt, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht. Dieser Durchbruch wird dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzutreiben. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht.
10.09.2024 11:15 Infineon kündigt StrongIRFET™ 2 30 V-Leistungs-MOSFET-Portfolio für Massenmarkt-Anwendungen an
München, 10. September 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt die neuen StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 30 V auf den Markt und erweitert damit die existierende StrongIRFET 2-Familie, um der wachsenden Nachfrage nach 30-V-Lösungen im Massenmarkt zu begegnen. Die neuen Leistungs-MOSFETs wurden für hohe Robustheit und Benutzerfreundlichkeit optimiert. Sie wurden speziell für die Anforderungen eines breiten Anwendungsspektrums entwickelt und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Zu den Anwendungen zählen industrielle Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe, batteriebetriebene Anwendungen, Batteriemanagementsysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
05.09.2024 15:45 Roborock setzt bei seinen Saug- und Wischrobotern auf hybrides Time-of-Flight-System von Infineon und pmdtechnologies
München, 5. September 2024 – Roborock, ein weltweit führender Anbieter von intelligenten Haushaltsrobotern, hat auf der IFA 2024 in Berlin den intelligenten Saug- und Wischroboter Roborock Qrevo Slim vorgestellt. Der Roboter ist mit einem innovativen 3D-Kameramodul zur Navigation und Hindernisvermeidung ausgestattet, das den REAL3™ Time-of-Flight (ToF)-Imager der Infineon Technologies AG integriert. Damit lässt sich die Größe reduzieren und die Zuverlässigkeit erhöhen. Verglichen mit herkömmlichen Saug- und Wischrobotern, die eine Gesamthöhe von rund 100 mm haben, beträgt die Gesamthöhe des Roborock Qrevo Slim nur 82 mm, wodurch er durch niedrigere und engere Bereiche fahren kann und gleichzeitig eine hohe Zuverlässigkeit bietet.
13.08.2024 11:15 Infineon erweitert Bluetooth®-Portfolio um acht neue Produkte, darunter AIROC™ CYW89829 Bluetooth LE Mikrocontroller für Automotive-Anwendungen
München, 13. August 2024 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Bluetooth®-Portfolio um acht neue Produkte der AIROC™ CYW20829 Bluetooth Low Energy 5.4 Mikrocontroller (MCU)-Familie. Diese umfasst Systems-on-Chip (SoCs) und Module für Industrie-, Consumer- und Automotive-Anwendungen. Die hohe Integration der CYW20829-Produktfamilie ermöglicht es Entwicklern, die Systemkosten und den Platzbedarf der Bauteile in einer Vielzahl von Anwendungen zu reduzieren, darunter PC-Zubehör, Wearables, Solar-Mikrowechselrichter, Asset Tracker, Gesundheits- und Lifestyleanwendungen sowie Gebäudeautomatisierung. Produktentwickler profitieren auch von der umfangreichen Entwicklungsinfrastruktur und dem Engagement von Infineon für robuste Produktsicherheit. Diese wird durch sicheres Booten und eine sichere Ausführungsumgebung sowie Kryptografie-Beschleunigung zum Schutz sensibler Daten erreicht.
12.08.2024 10:15 Infineon präsentiert intelligente Leistungsmodule CIPOS™ Maxi für industrielle Motorsteuerung mit bis zu 4 kW Nennleistung
München, 12. August 2024 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihre TRENCHSTOP™ IGBT7-Produktfamilie der siebten Generation um die CIPOS™ Maxi intelligenten Leistungsmodule (IPMs) für Motorantriebe mit geringer Leistung. Die Bauteile der neuen IM12BxxxC1-Serie basieren auf der TRENCHSTOP IGBT7 1200 V-Technologie und verfügen über eine schnelle EmCon 7 Diode. Dank des neuesten Micro-Pattern-Trench-Designs bietet er hervorragende Kontrolle und Leistung. Das führt zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer höheren Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst drei neue Produkte in Varianten von 10 A bis 20 A für Nennleistungen bis zu 4,0 kW: IM12B10CC1, IM12B15CC1 und IM12B20EC1.
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