Presse-Informationen 1171 bis 1176 von 1841
10.12.2014 10:00 Infineon bringt neue High-Power-Plattform auf den Markt – Angebot an die Industrie zur lizenzfreien Übernahme des Gehäusedesigns
München, 10. Dezember 2014 – Die Infineon Technologies AG gibt heute die Markteinführung von zwei neuen Leistungsmodul-Plattformen bekannt. Diese sind für Hochvolt-IGBTs in den Voltklassen von 1200 V bis zu 6,5 kV vorgesehen. Um die Vorteile der neuen Module einem möglichst breiten Nutzerkreis...
08.12.2014 15:20 Infineon beschleunigt Arduino-Projekte mit speziellen Shields für RGB-Beleuchtungsanwendungen und Motoransteuerungen
München, 8. Dezember 2014 – Für die Arduino Design-Community hat Infineon Technologies heute zwei erste Shields (Erweiterungsplatinen) vorgestellt. Die Shields decken zwei wichtige Anwendungsgebiete ab: RGB-Beleuchtung und Motoransteuerung. Beide Shields sind kompatibel zu Arduino Uno R3 und ...
26.11.2014 09:10 Infineon beteiligt sich mit 9,4 Prozent am Leiterplattenhersteller Schweizer Electronic
München und Schramberg, 26. November 2014 – Der Halbleiterhersteller Infineon Technologies AG und der Leiterplattenhersteller Schweizer Electronic AG haben heute bekannt gegeben, dass sich Infineon mit 9,4 Prozent an Schweizer beteiligen wird. Die entsprechenden Verträge wurden heute abgeschlossen...
25.11.2014 10:00 Infineon stellt anwendungsoptimierte bipolare Leistungsmodule in kostengünstiger Löt-Bond-Technologie vor
München, 25. November 2014 – Die Infineon Technologies AG führt bipolare Leistungsmodule in Löt-Bond-Technologie für kostengünstige Anwendungslösungen ein. Mit den neuen PowerBlock-Modulen erweitert das Unternehmen ein bereits existierendes, umfassendes Portfolio für Leistungsmodule, in dem bisher...
24.11.2014 11:15 Höhere diskrete Leistung: Infineon bringt neues TO-247PLUS-Gehäuse auf den Markt, das Stromstärken von bis zu 120 A ermöglicht
München, 24. November 2014 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Portfolio für diskrete IGBT für Hochleistungsanwendungen um das TO-247PLUS-Gehäuse. Dieses neue Gehäuse ermöglicht die gemeinsame Verwendung eines 120 A IGBTs und einer Diode mit voller Nennleistung. Trotz der erhöhten Stromstärke...
17.11.2014 14:30 Aufsichtsrat verlängert den Vertrag von Dr. Reinhard Ploss als Vorsitzender des Vorstands bis zum Jahr 2020
München, 17. November 2014 – Der Aufsichtsrat der Infineon Technologies AG hat in seiner heutigen Sitzung einstimmig beschlossen, Dr. Reinhard Ploss für
weitere fünf Jahre zum Vorsitzenden des Vorstands zu berufen. Der bisherige
Vertrag wäre zum 30. September 2015 ausgelaufen und wurde nun vom ...
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