Les nouveaux circuits intégrés d’étage de puissance EcoGaN™ de ROHM contribuent à une taille moindre et à des pertes plus faibles
Réduction du volume des composants de 99 % et de la perte de puissance de 55 % lors du remplacement des MOSFET au silicium
Willich-Münchheide, Allemagne, 31 août 2023 – Avec la série BM3G0xxMUV-LB, ROHM a développé des circuits intégrés d’étage de puissance en utilisant des HEMT 650 V au GaN intégrés et un Gate Driver. Ces appareils sont idéaux pour les alimentations primaires dans les applications industrielles et grand public, telles que les serveurs de données et les adaptateurs AC.
(Fig. 1)

Depuis ces dernières années, les secteurs grand public et de l’industrie exigent davantage d’économies d’énergie pour parvenir à une société durable. Cependant, alors que l’on s’attend à ce que les HEMT au GaN contribuent de manière significative à une miniaturisation accrue et à une meilleure efficacité de conversion de puissance, la difficulté de manipulation de la grille par rapport aux MOSFET au silicium nécessite l’utilisation d’un pilote de grille dédié. Pour y répondre, ROHM a développé des circuits intégrés d’étage de puissance qui intègrent des HEMT au GaN et des pilotes de grille dans un seul boîtier en tirant parti de l’alimentation de base et des technologies analogiques, facilitant ainsi considérablement le montage.

De plus, la série BM3G0xxMUV-LB (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) intègre des fonctions supplémentaires et des composants périphériques conçus pour maximiser les performances des HEMT au GaN, ainsi que des HEMT 650 V au GaN : la nouvelle génération d’appareils d’alimentation. Et les caractéristiques de ROHM, telles qu’une large plage de tension de commande (2,5 V à 30 V), permettent une compatibilité avec pratiquement tous les circuits intégrés de commande dans les alimentations primaires, ce qui facilite le remplacement des MOSFET au silicium existants (Super Junction). Cela permet de réduire simultanément le volume des composants et la perte de puissance de respectivement environ 99 % et 55 %, réalisant ainsi un rendement supérieur dans une taille plus petite.

ISAAC LIN, directeur général de PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center), Delta Electronics, Inc.
« Les appareils au GaN attirent beaucoup d’attention dans les industries en tant qu’appareil contribuant grandement à la miniaturisation et aux économies d’énergie des équipements.
Les nouveaux produits de ROHM ont permis de réaliser une commande de grille sûre et à grande vitesse en utilisant la technologie analogique originale de ROHM. Ces produits favoriseront davantage l’utilisation des appareils d’alimentation au GaN, appelés à se développer. »

(Fig. 2 + 3)

Gamme de produits
Une large plage de tension d’entraînement (2,5 V à 30 V), un temps de propagation court et un temps de démarrage rapide permettent une compatibilité avec pratiquement tous les circuits intégrés de contrôleur dans les alimentations principales.
(Fig. 4)

Exemples d’applications
Optimisés pour les alimentations primaires (circuits AC-DC, PFC) dans de nombreuses applications.
Grand public : Appareils électroménagers, adaptateurs AC, PC, téléviseurs, réfrigérateurs, climatiseurs
Industrie : Serveurs, équipements bureautiques

Information ventes en ligne
Distributeurs : DigiKey, Mouser et Farnell
Les produits et les cartes d’évaluation seront proposés par les distributeurs en ligne au fur et à mesure de leur disponibilité.
Date de lancement des ventes : juin 2023

Information de produit
Numéros de pièces applicables :
BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB

N° de pièce de cartes d’évaluation :
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240W)
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003
(Fig. 5)

EcoGaN™
Fait référence à la nouvelle gamme d’appareils au GaN de ROHM qui contribuent à la conservation de l’énergie et à la miniaturisation en maximisant les caractéristiques du GaN pour réduire la consommation d’énergie des applications, la taille des composants périphériques et simplifier les conceptions en utilisant moins de pièces.

EcoGaN™ est une marque de commerce ou une marque déposée de ROHM Co., Ltd.

À propos de ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2023 un chiffre d’affaires de 507,8 milliards de yens (3,9 milliards US Dollar) et qui compte plus de 23 700 employés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les Gate Driver et les Power Management ICs, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Nos produits hautement performants sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Allemagne, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique).
Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Press Releases
» Press Release
Date: 31.08.2023 14:00
Number: PR27/23FR
» Press Photos

 Download der hochauflösenden Version...
Les nouveaux circuits intégrés d’étage de puissance EcoGaN™ de ROHM contribuent à une taille moindre et à des pertes plus faibles

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 1

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 2

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 3

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 4

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 5
» Contacts
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Contact Agency
Mexperts AG
Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Germany
Phone: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» More Press Releases
23.04.2024 14:00
De nouveaux circuits intégrés de convertisseurs DC-DC à économies d’énergie de ROHM, proposés dans le boîtier TSOT23

10.04.2024 14:00
ROHM développe un nouvel amplificateur opérationnel qui minimise la consommation de courant

14.03.2024 14:00
ROHM a développé des LDO primaires pour l’automobile : exploitation de la technologie propriétaire QuiCur™ pour aboutir à des caractéristiques de réponse de charge à la pointe de l’industrie*

15.02.2024 14:00
Les nouvelles SBD de ROHM : Le meilleur temps de recouvrement inverse de sa catégorie* avec une tension de claquage de 100V en adoptant une structure Trench-MOS améliorant significativement le compromis VF-IR

07.02.2024 14:00
Un nouvel amplificateur opérationnel à dérive nulle de ROHM et de haute précision, indépendamment des changements de température