Les nouvelles SBD de ROHM : Le meilleur temps de recouvrement inverse de sa catégorie* avec une tension de claquage de 100V en adoptant une structure Trench-MOS améliorant significativement le compromis VF-IR

Idéales pour les phares LED d’automobiles et d’autres applications de commutation à grande vitesse

Willich-Münchheide, Allemagne, 15 février 2024 – ROHM a développé des diodes à barrière Schottky (SBD) à 100V de tension de claquage fournissant un temps de récupération inverse (trr) à la pointe de l’industrie pour l’alimentation électrique et les circuits de protection dans les applications automobiles, industrielles et grand public. (Fig. 1 + 2) Bien qu’il existe de nombreux types de diodes, les SBD à haut rendement sont de plus en plus utilisées dans de nombreuses applications. En particulier, les SBD avec une structure Trench-MOS qui fournissent une tension VF inférieure à celle des types planaires permettent une plus grande efficacité dans les applications de rectification. Cependant, un inconvénient des structures Trench-MOS est qu’elles présentent généralement un temps de récupération inverse moins bon que celui des topologies planes, d’où une perte de puissance plus élevée lorsqu’elles sont utilisées pour la commutation. Pour y répondre, ROHM a développé une nouvelle série utilisant une structure Trench-MOS propriétaire réduisant simultanément à la fois la tension VF et le courant IR (qui se trouvent dans une relation de compromis) tout en réalisant un temps de récupération inverse de premier ordre. En élargissant les quatre gammes SBD conventionnelles existantes optimisées pour de nombreuses exigences, la série YQ est la première de ROHM à adopter une structure MOS en tranchée. La conception propriétaire réalise un temps de récupération inverse de premier ordre de 15ns qui réduit la perte de temps de récupération inverse d’environ 37% et la perte globale de commutation d’environ 26% par rapport aux produits MOS généraux de type « Trench », contribuant à une moindre consommation d’énergie dans les applications. La nouvelle structure améliore également à la fois les pertes VF et IR en comparaison avec les SBD planaires conventionnelles. Il en résulte une perte de puissance plus faible en cas d’utilisation dans des applications de polarisation directe telles que la rectification, tout en réduisant le risque d’emballement thermique, qui représente un problème majeur des SBD. En tant que telles, elles sont idéales pour les ensembles nécessitant une commutation à grande vitesse, tels que les circuits d’entraînement pour les phares LED d’automobiles et les convertisseurs DC-DC des véhicules xEV, enclins à générer de la chaleur. À l’avenir, ROHM s’efforcera d’améliorer encore la qualité de ses appareils à semiconducteurs, de la basse à haute tension, tout en renforçant sa vaste gamme afin de réduire davantage la consommation d’énergie et d’atteindre une plus grande miniaturisation du boîtier. (Fig. 3 + 4) Structure MOS de SBD en tranchée La structure Trench-MOS est créée en formant une tranchée utilisant du polysilicium dans la couche de tranche épitaxiale afin d’atténuer la concentration du champ électrique. Cela réduit la résistance de la couche de tranche épitaxiale, pour obtenir une tension VF moindre en appliquant une tension dans le sens direct. En même temps, pendant la polarisation inverse, la concentration du champ électrique est minimisée, ce qui décroît significativement l’intensité IR. Par conséquent, la série YQ améliore VF et IR de respectivement 7% et 82% environ par rapport à des produits conventionnels. (Fig. 5) Et contrairement aux structures Trench-MOS typiques où le temps de récupération inverse est moins bon que celui des types planaires en raison d’une plus grande capacitance parasite (composant de résistance dans l’appareil), la série YQ parvient à un temps de récupération inverse à la pointe de l’industrie de 15ns en adoptant une conception structurelle unique. Cela permet de réduire les pertes de commutation d’environ 26%, ce qui contribue à de meilleures économies d’énergie dans les applications. Exemples d’applications • Phares LED d’automobiles • Convertisseurs DC-DC de véhicules xEV • Alimentations en courant pour les équipements industriels • Éclairage Gamme (Fig. 6) Page produit et informations connexes Des notes d’application soulignant les avantages de ces nouveaux produits dans les circuits ainsi qu’un livre blanc qui présente les fonctionnalités de chaque série de SBD sont disponibles sur le site Web de ROHM. Une page consacrée aux SBD permettant aux utilisateurs d’affiner les options de produits en saisissant les conditions de tension et d’autres paramètres est également disponible, ce qui facilite le processus de sélection lors de la conception. Cliquez sur les URL ci-dessous pour plus d’informations. Page de produit SBD de ROHM https://www.rohm.com/products/diodes/schottky-barrier-diodes Notes d’application Les avantages des séries YQ : diodes à barrière Schottky compactes et à haute efficacité de conversion de courant pour les applications automobiles https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-e.pdf Livre blanc La gamme de SBD de ROHM contribue à une plus grande miniaturisation et à une réduction des pertes dans les secteurs de l’automobile, de l’industrie et de l’équipement grand public https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-e.pdf Informations sur la vente en ligne Distributeurs en ligne : DigiKey, Mouser et Farnell Numéros de pièces applicables : se référer au tableau. (Fig. 6) Disponibilité : décembre 2023 Les produits seront également vendus chez d’autres distributeurs en ligne. Visitez le site web de ROHM pour de plus amples informations https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2024-02-15_news_sbd&defaultGroupId=false *Étude ROHM du 15 février 2024

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2023 un chiffre d’affaires de 507,8 milliards de yens (3,9 milliards US Dollar) et qui compte plus de 23 700 employés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les Gate Driver et les Power Management ICs, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Les produits hautement performants de ROHM sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Allemagne, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com