ROHM commence la production en série des componsants GaN 650V HEMT qui fournissent des performances de pointe

Augmentation de l’efficacité et de la miniaturisation dans une large gamme de systèmes d’alimentation, y compris les serveurs et les adaptateurs AC

Willich-Münchheide, Allemagne, 08 mai 2023 – ROHM a démarré la production en série des composants GaN (nitrure de gallium) 650V HEMTGNP1070TC-Z et GNP1150TCA-Z, optimisés pour une large gamme d’applications de systèmes d’alimentation. Ces nouveaux produits sont développés conjointement avec Ancora Semiconductors, Inc., une filiale de Delta Electronics, Inc., qui développe des composants GaN. L’amélioration de l’efficacité des alimentations électriques et des moteurs, qui représentent la majeure partie de la consommation mondiale d’électricité, est devenue un obstacle important à la réalisation d’une société décarbonée. L’adoption de nouveaux matériaux tels que le GaN et le SiC est essentielle pour améliorer l’efficacité des alimentations électriques. Après avoir lancé en mars 2023 la production en série des composants GaN 150V HEMT, présentant une tension de claquage de grille de 8 V en 2022, ROHM a établi une technologie de circuit intégré de contrôle pour maximiser les performances du GaN. Cette fois, ROHM a mis au point des composants GaN 650V HEMT présentant des performances de pointe qui contribuent à un meilleur rendement et à une taille moindre dans une gamme plus large de systèmes d’alimentation électrique. Le GNP1070TC-Z et le GNP1150TCA-Z fournissent des performances à la pointe de l’industrie en termes de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, un facteur de mérite pour les GaN HEMT, ce qui se traduit par une plus grande efficacité dans les systèmes d’alimentation électrique. En même temps, un élément de protection ESD intégré améliore la résistance à la rupture électrostatique jusqu’à 3,5 kV, ce qui accroît la fiabilité de l’application. Les caractéristiques de commutation à grande vitesse des GaN HEMT contribuent également à une miniaturisation accrue des composants périphériques. ROHM continue d’améliorer les performances des appareils grâce à sa gamme EcoGaN™ d’appareils au GaN qui contribuent à une miniaturisation et des économies d’énergie plus poussées. Tout en développant des produits ROHM, nous encouragerons également le développement conjoint par le biais de partenariats stratégiques afin de contribuer à la résolution de problèmes sociaux en rendant les applications plus efficaces et plus compactes. EcoGaN™ Se réfère à la nouvelle gamme d’appareils au GaN de ROHM. Ils contribuent à la conservation de l’énergie et à la miniaturisation en maximisant les caractéristiques du GaN, en vue de réduire la consommation d’énergie des applications, de diminuer la taille des composants périphériques et de simplifier les conceptions en réduisant le nombre de pièces. EcoGaN™ est une marque de commerce ou une marque déposée de ROHM Co., Ltd. Gamme de produits (Table) Exemples d’applications Idéal pour une large gamme de systèmes d’alimentation électrique dans les équipements industriels et les appareils grand public, y compris les serveurs et les adaptateurs AC Ancora Semiconductors Inc. Une filiale de Delta Electronics, un fournisseur mondial de solutions de gestion thermique et de puissance. Ancora a été créée en juillet 2022 et se concentre sur le développement d’appareils et de technologies GaN. Pour de plus amples informations, veuillez consulter : https://www.ancora-semi.com/EN Terminologie GaN HEMT Le GaN (nitrure de gallium) est un matériau semiconducteur composé utilisé dans les appareils d’alimentation de nouvelle génération. Il commence à être adopté en raison de ses propriétés supérieures à celles du silicium, telles que d’excellentes caractéristiques à haute fréquence. HEMT signifie High Electron Mobility Transistor (transistor à électron à haute mobilité). RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss Indice permettant d’évaluer les performances de commutation, où Ciss fait référence à la capacitance globale du côté de l’entrée et Coss du côté de la sortie. Plus cette valeur est basse, plus la vitesse de commutation est rapide et plus la perte pendant la commutation est faible. ESD (décharge électrostatique) Une surtension se produisant lorsque des objets chargés, tels que le corps humain et les équipements électroniques, entrent en contact les uns avec les autres. Ce type de surtension peut entraîner un dysfonctionnement ou la destruction de circuits et d’équipements.

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2022 un chiffre d’affaires de 452,1 milliards de yens (3,3 milliards d'euros) et qui compte plus de 23 000 employés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les Gate Driver et les Power Management ICs, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Nos produits hautement performants sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Allemagne, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com