| 22.05.2013 10:10 |
Mit den neuen IGBT-Treibern EiceDRIVER™ SIL und EiceDRIVER™ Boost unterstützt Infineon schnelle und kosteneffiziente ASIL C/D-Designs für Hybrid- und Elektrofahrzeuge; Erste Entwicklungsmuster sind erhältlich |
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Neubiberg, 22. Mai 2013 - Für Antriebsumrichter von Hybrid- und Elektrofahrzeugen (HEV) bringt Infineon Technologies neue Hochspannungs-IGBT-Gate-Treiber auf den Markt. Mit den neuen Ansteuerbausteinen, dem EiceDRIVER™ SIL und dem EiceDRIVER™ Boost, können Hersteller von Automobilsystemen ihre HEV-Antriebssubsysteme gemäß der ASIL C/D-Anforderungen für die Funktionale Sicherheit (ISO 26262) schneller und kosteneffizienter als bisher entwickeln. ... |
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| 14.05.2013 10:10 |
Infineon stellt neues TO-Leadless-Gehäuse vor – entwickelt für Hochstrom-Anwendungen bis zu 300 A |
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Neubiberg, 14. Mai 2013 – Infineon Technologies hat heute ein neues TO-Leadless-Gehäuse vorgestellt, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant geringere Abmessungen und ein verbessertes EMV-Verhalten bietet. In dem Gehäuse verbirgt sich die neueste OptiMOS MOSFET-Generation für Anwendungen... |
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| 14.05.2013 10:10 |
Infineon präsentiert 650-V-TRENCHSTOP™ 5 – IGBTs mit höchster Performance in ihrer Klasse erfüllen anspruchsvollste Kundenvorgaben |
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Neubiberg – 14. Mai 2013 – Die Infineon Technologies AG präsentiert auf der PCIM 2013 in Nürnberg die 650-V-TRENCHSTOP™ 5-Technologie. Seit Einführung der neuesten Dünnwafer-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-Generation im Herbst 2012 erfreut sich TRENCHSTOP™ 5 einer hohen Marktakzeptanz und wird... |
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| 14.05.2013 10:10 |
Infineon bietet EconoDUAL™ 3-Leistungsmodule mit Automotive-Qualifizierung für höchste Leistungsdichte und Zuverlässigkeit |
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Neubiberg und Nürnberg – 14. Mai 2013 – Auf der Fachmesse PCIM Europe 2013 in Nürnberg (14. bis 16. Mai 2013) stellt die Infineon Technologies AG eine neue Serie von EconoDUAL™ 3 IGBT-Modulen vor, die gemäß Automotive-Standards qualifiziert sind. Das neue Portfolio zielt insbesondere auf Anwendungen... |
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| 07.05.2013 12:25 |
Infineon ergänzt EiceDRIVER™-Familie um die Compact-Klasse – Neue 2EDL EiceDRIVER™ für eine Vielzahl von Leistungsapplikationen |
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Neubiberg, 7. Mai, 2013 - Zur Fachmesse für Leistungselektronik PCIM 2013 führt die Infineon Technologies AG die neuen Halbbrücken Gate-Treiber 2EDL EiceDRIVER™ Compact für Anwendungen mit Sperrspannungen von 600 Volt auf den Markt ein. Mit einer sehr schnellen Bootstrap Diode und Widerstand ... |
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| 06.05.2013 15:20 |
Infineon bietet CoolMOS™-MOSFETs jetzt auch im TO 247-4-Gehäuse an; Deutliche Erhöhung des Wirkungsgrades in hart schaltenden Topologien |
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Neubiberg, 6. Mai 2013 - Infineon Technologies AG hat heute das TO 247-4-Gehäuse eingeführt. Der zusätzliche vierte Anschluss fungiert als "Kelvin-Source", um den negativen Einfluss der parasitären Induktivität in der Source-Zuleitung des Leistungs-MOSFETs zu reduzieren. Davon profitieren vor allem ... |
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