Nuevos SBD de ROHM: logran un tiempo de recuperación inversa líder en su categoría* con una tensión de ruptura de 100 V al adoptar una estructura Trench-MOS que mejora significativamente la compensación VF-IR
Ideal para faros LED en automoción y aplicaciones de conmutación de alta velocidad
Willich-Münchheide, Alemania, 15 de febrero de 2024 – ROHM ha desarrollado diodos de barrera Schottky (SBD) de 100 V que ofrecen un tiempo de recuperación inversa (trr) líder en la industria para circuitos de alimentación eléctrica y protección en aplicaciones de consumo, industria y automoción.
(Fig. 1 + 2)

Aunque existen numerosos tipos de diodos, los SBD de alta eficiencia son los que se utilizan cada vez más en una gran variedad de aplicaciones. Específicamente, los SBD con una estructura Trench-MOS, que proporcionan una VF más baja que los tipos planares, permiten una mayor eficiencia en aplicaciones de rectificación. Sin embargo, uno de los inconvenientes de las estructuras Trench-MOS es que suelen presentar un trr peor que las topologías planas, lo que da como resultado una mayor pérdida de energía cuando se utilizan para conmutación.

En respuesta a ello, ROHM ha desarrollado una nueva serie que utiliza una estructura Trench-MOS patentada que reduce simultáneamente tanto la VF como la IR (que están en una relación de compensación) a la vez que consigue un trr líder en su categoría.

La serie YQ es la primera de ROHM en adoptar una estructura Trench-MOS al ampliar las cuatro gamas de SBD convencionales ya existentes optimizadas para atender una gran variedad de requisitos. El diseño patentado consigue un trr líder en su categoría de 15 ns que reduce la pérdida de trr en aproximadamente un 37 % y la pérdida global por conmutación en aproximadamente un 26 % con respecto a los productos Trench-MOS en general, lo que contribuye a reducir el consumo de energía de las aplicaciones. La nueva estructura también mejora las pérdidas de VF e IR en comparación a los SBD de tipo planar convencionales. Esta permite una menor pérdida de energía cuando se utiliza en aplicaciones de polarización directa, como la rectificación, al tiempo que reduce el riesgo de fuga térmica, que es uno de los principales problemas de los SBD. En este sentido, son ideales para conjuntos que requieren conmutación de alta velocidad, como los circuitos de accionamiento para los faros LED en automoción y los convertidores CC-CC de los xEV, que tienden a generar calor.

En el futuro, ROHM se esforzará por seguir mejorando la calidad de sus dispositivos semiconductores, desde los de baja a los de alta tensión, a la vez que seguirá reforzando su amplia gama para reducir aún más el consumo de energía y lograr una mayor miniaturización.
(Fig. 3 + 4)

Estructura Trench-MOS del SBD
La estructura Trench-MOS se crea al formar una trinchera con polisilicio en la capa epitaxial de la oblea para mitigar la concentración de campo eléctrico. Así se reduce la resistencia de la capa epitaxial de la oblea y se consigue una menor VF al aplicar tensión en el sentido directo. Al mismo tiempo, durante la polarización inversa se minimiza la concentración de campo eléctrico, con lo cual se reduce significativamente la IR. Como resultado, la serie YQ mejora la VF y la IR en aproximadamente un 7 % y un 82 %, respectivamente, en comparación con los productos convencionales.
(Fig. 5)

Y a diferencia de las estructuras MOS de trinchera típicas, en las que el trr es peor que en los tipos planares debido a una mayor capacitancia parásita (componente de resistencia en el dispositivo), la serie YQ consigue un trr líder en la industria de 15 ns al adoptar un diseño estructural único. Esto permite reducir las pérdidas de conmutación en aproximadamente un 26 %n y contribuye a reducir el consumo de energía de las aplicaciones.

Ejemplos de aplicación
• Faros LED para automoción
• Convertidores CC- CC para xEV
• Fuentes de alimentación para equipos industriales
• Iluminación

Gama
(Fig. 6)

Página de producto e información relacionada
En el sitio web de ROHM pueden consultarse las notas de aplicación que destacan las ventajas de estos nuevos productos en circuitos, además de un libro blanco que muestra las características de cada serie de SBD. También se dispone de una página de SBD que permite a los usuarios filtrar las opciones de producto introduciendo las condiciones de tensión y otros parámetros, lo que facilita el proceso de selección durante el diseño. Haga clic en las siguientes URL para obtener más información.

Página de producto de SBD de ROHM
https://www.rohm.com/products/diodes/schottky-barrier-diodes

Notas de aplicación
Ventajas de la serie YQ: diodos de barrera Schottky compactos y de alta eficiencia para conversión de energía en automoción
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-e.pdf

Libro blanco
La gama de SBD de ROHM contribuye a una mayor miniaturización y a reducir las pérdidas en equipos destinados a la automoción, la industria y el consumo
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-e.pdf

Información de ventas en línea
Distribuidores en línea: DigiKey, Mouser y Farnell
Números de pieza aplicables: consulte la tabla. (Fig. 6)
Disponibilidad: diciembre de 2023
Los productos también se venderán en otros distribuidores en línea.

Visite el sitio web de ROHM para obtener más información
https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2024-02-15_news_sbd&defaultGroupId=false

*Estudio de ROHM del 15 de febrero de 2024

Acerca de ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor es una compañía global de 507,8 billones de yenes (3,9 billones US Dollar) a 31 de marzo de 2023 con más de 23.700 empleados. La empresa desarrolla y fabrica una amplia gama de productos, desde diodos y MOSFET de SiC, circuitos integrados analógicos, como gate drivers y circuitos integrados de gestión de la energía, hasta transistores y diodos de potencia, además de componentes pasivos. La producción de los productos de alto rendimiento de ROHM se lleva a cabo en plantas de fabricación de última generación en Japón, Alemania, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas y China. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Düsseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África).
Para más información visite www.rohm.com
 
 
 
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Date: 15.02.2024 14:00
Number: PR05/24ES
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Fig. 1

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Fig. 2

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Fig. 3

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Fig. 4

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Fig. 5

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Fig. 6
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ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
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Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
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Phone: +49 8143 59744 12
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