ROHM propone 5 nuovi modelli di MOSFET duali da 100 V e a bassa resistenza di ON
Consumi di potenza inferiori e dimensioni ridotte dei motori delle ventole applicati a base-station e alle apparecchiature industriali in package da 5,0 mm × 6,0 mm e 3,3 mm × 3,3 mm
Willich-Münchheide, Germania, 18 ottobre 2023 ROHM ha sviluppato MOSFET duali che integrano in un unico package due chip da 100 V - l'ideale per il pilotaggio dei motori delle ventole di base station e apparecchiature industriali. Alle serie HP8KEx/HT8KEx (a canale N + a canale N) e HP8MEx (a canale N + a canale P) sono stati aggiunti cinque nuovi modelli.
(Fig. 1)

Negli ultimi anni si è assistito a una transizione a tensioni più elevate, partendo dai convenzionali sistemi da 12 V/24 V per arrivare a sistemi da 48 V nelle base station e nelle apparecchiature industriali, con l'intento di ottenere una maggiore efficienza riducendo i valori di corrente. In queste situazioni i MOSFET di commutazione richiedono una tensione di tenuta di 100 V per tenere conto delle fluttuazioni della tensione, dato che per raffreddare queste applicazioni nei motori delle ventole si usano anche alimentatori da 48 V. Tuttavia l'incremento della tensione di scarica disruptiva innalza la resistenza di ON (RDS(on)) in una relazione di bilanciamento il che comporta una diminuzione dell'efficienza e rende arduo ottenere contemporaneamente un valore di RDS(on) più basso e una tensione di scarica disruptiva più alta. Inoltre, diversamente dalla normale applicazione di più MOSFET di pilotaggio singoli ai motori di ventole, per risparmiare spazio è sempre più comune l'adozione di MOSFET duali che integrano due chip in un package.

In risposta a tali esigenze, ROHM ha sviluppato due nuove serie - la HP8KEx/HT8KEx (a canale N + N) e la HP8MEx (a canale N + P), che abbinano chip di MOSFET a canale N e a canale P utilizzando processi di ultima generazione. Entrambe le serie ottengono il valore di RDS(on) più basso del settore adottando nuovi package a dissipazione posteriore che presentano eccellenti caratteristiche di dissipazione termica. Di conseguenza il valore di RDS(on) subisce una riduzione massima nell'ordine del 56% rispetto ai MOSFET duali standard (19,6 mΩ per il modello HSOP8 e 57,0 mΩ per il modello HSMT8 a canale N + N), contribuendo così a diminuire sensibilmente il consumo di potenza. Al tempo stesso l'abbinamento di due chip in un unico package determina un maggior risparmio di spazio, riducendo considerevolmente l'area di ingombro. Per esempio sostituendo due MOSFET TO-252 su singolo chip con un modello HSOP8, l'ingombro diminuisce del 77%.

In seguito, ROHM continuerà ad estendere la sua line-up di MOSFET duali a tensioni di tenuta ideali per le apparecchiature industriali, sviluppando anche varianti a bassa rumorosità. Il contributo alla soluzione di questioni sociali come la tutela dell'ambiente grazie al risparmio di spazio e alla riduzione dei consumi di potenza in varie applicazioni rappresenta una delle attese legate a questo prodotto.
(Fig. 2 + 3)

Line-up di prodotti
MOSFET duali a canale N + a canale N
(Fig. 4)

MOSFET duali a canale N + a canale P
(Fig. 5)
*Alla line-up saranno aggiunti prodotti da 40 V, 60 V, 80 V e 150 V

Esempi applicativi
- Motori di ventole per base station
- Motori di ventole per automazione industriale e altre apparecchiature industriali
- Motori di ventole per i server dei centri di elaborazione dati, ecc.
(Fig. 6 + 7)

Abbinamento con un circuito integrato per pre-driver per ottenere la soluzione ottimale di pilotaggio dei motori
L'abbinamento di questi prodotti ai circuiti integrati per pre-driver di ROHM già affermati sul mercato per motori brushless monofase/trifase consente di prendere in considerazione perfino motori più piccoli con caratteristiche di consumo inferiori e di pilotaggio più silenzioso. Fornendo supporto totale al design del circuito periferico che coniuga la serie di MOSFET duali con i circuiti integrati per pre-driver, ROHM è in grado di offrire le migliori soluzioni di pilotaggio dei motori in relazione alle esigenze dei clienti.

Esempi di soluzione con i MOSFET duali da 100 V
- HT8KE5 (MOSFET duali a canale N + N) + BM64070MUV (circuito integrato per pre-driver di motori brushless trifase)
- HT8KE6 (MOSFET duali a canale N + N) + BM64300MUV (circuito integrato per pre-driver di motori brushless trifase) e altri modelli

Informazioni sulle vendite online
Data di lancio delle vendite: agosto 2023
Distributori online: Farnell, DigiKey e Mouser
I prodotti saranno offerti anche presso altri distributori online, non appena saranno disponibili.

Download delle nuove specifiche del prodotto per motori
È possibile scaricare dal sito web di ROHM le specifiche dei nostri MOSFET a bassa/media/alta tensione, prodotti nuovi compresi.
https://www.rohm.com/new-product/middle-power

Visitate il sito web di ROHM per ulteriori informazioni
https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2023-10-18_news_mosfet&defaultGroupId=false

Informazioni su ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor è una società globale da 507,8 miliardi di Yen (3,9 miliardi US Dollar) al 31 marzo 2023 con oltre 23.700 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Germania, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei prodotti altamente performanti. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa).
Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com
 
 
 
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Date: 18.10.2023 14:00
Number: PR31/23IT
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Fig. 1

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Fig. 2

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Fig. 3

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Fig. 4

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Fig. 5

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Fig. 6

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Fig. 7
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Public Relations
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Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
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Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
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