I nuovi MOSFET a canale N con bassa resistenza di ON di ROHM raggiungono i vertici del settore*: alta efficienza di funzionamento per un gran numero di applicazioni

Line-up con tensione di scarica disruptiva da 40 V a 150 V: l'ideale per gli alimentatori industriali e per il pilotaggio motori

Willich-Münchheide, Germania, 31 maggio 2023 – ROHM ha sviluppato i MOSFET a canale N (da 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) delle serie RS6xxxxBx / RH6xxxxBx, comprendenti 13 codici di prodotto, idonei per applicazioni con alimentatori da 24 V/36 V/48 V quali base station, server e motori per apparecchiature industriali e di consumo. (Fig. 1) Negli ultimi anni in tutto il mondo si è registrato un aumento del consumo di potenza – circostanza che ha dato forte impulso all'esigenza di maggiore efficienza per le apparecchiature industriali, tra le quali server e base station, nonché vari motori. Per molte di queste applicazioni che utilizzano MOSFET di media tensione, all'interno di un gran numero di circuiti, i produttori richiedono perdite di potenza perfino più basse. Tuttavia, in generale i MOSFET sono caratterizzati da due principali parametri che comportano perdite di potenza: la resistenza di ON (RDS(on)) – inversamente proporzionale alle dimensioni del chip – e la carica gate-drain (Qgd), che è direttamente proporzionale alle dimensioni del chip. Diventa così arduo ottimizzare entrambi i parametri. ROHM ha migliorato la relazione di bilanciamento fra i due, adottando collegamenti a clip in rame e migliorando la struttura del gate. I nuovi MOSFET raggiungono un valore di RDS(on) di 2,1 mΩ che è ai vertici del settore – inferiore circa del 50% rispetto al valore convenzionale – incrementando la performance del dispositivo e adottando il package HSOP8/HSMT8 che comprende collegamenti a clip in rame a bassa resistenza. Ma non è tutto, il miglioramento della struttura dell'elemento gate riduce il valore di Qgd, che generalmente per una relazione di bilanciamento con il valore di RDS(on) si aggira attorno al 40% rispetto ai prodotti convenzionali (dal confronto tra i valori tipici di RDS(on) e valore di Qgd di prodotti in package HSOP8 da 60 V). Sono miglioramenti che riducono sia le perdite di commutazione che di conduzione, contribuendo notevolmente a una maggiore efficienza dell'applicazione. A titolo esemplificativo, quando si paragona l'efficienza dell'evaluation board di un alimentatore per apparecchiature industriali, i nuovi prodotti di ROHM raggiungono un'efficienza ai vertici del settore pari a circa il 95% (picco) nel range di corrente di uscita durante il funzionamento in regime stazionario. Per il futuro, ROHM continuerà a sviluppare MOSFET con valori di RDS(on) addirittura più bassi, che riducono il consumo di potenza in un gran numero di applicazioni, contribuendo alla risoluzione di problematiche sociali come la tutela dell'ambiente attraverso la preservazione dell'energia. (Fig. 2 + 3) Line-up di prodotti (Fig. 4) Esempi applicativi Alimentatori per server e base station di comunicazione Motori per prodotti industriali e di consumo Idonei anche a vari circuiti di potenza e dispositivi dotati di motore *Ricerca ROHM 31 maggio 2023

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor è una società globale da 507,9 miliardi di Yen al 31 marzo 2023 con oltre 23.700 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Germania, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei suoi prodotti altamente performanti. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com